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高功率微波介质窗表面矩形槽抑制二次电子倍增被引量：3: 1; 作者宋佰鹏范壮壮 +3 位作者苏国强穆海宝张冠军刘纯亮《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期271-275,共5页; 为深入研究高功率微波(HPM)作用下介质窗沿面击穿破坏的物理机制,探索提高闪络场强阈值的方法和途径,开展了介质窗表面矩形刻槽抑制电子倍增的理论与试验研究。首先根据动力学方程建立了介质窗表面电子倍增模型并分析了介质窗槽内电子... 展开更多; 关键词高功率微波二次电子倍增介质窗沿面闪络矩形槽; 在线阅读下载PDF 职称材料

高功率微波介质窗表面电子倍增二维粒子模拟被引量：2: 2; 作者范壮壮王洪广 +2 位作者林舒李永东刘纯亮《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期51-54,共4页; 基于第一性原理的粒子模拟方法,对高功率微波器件中介质窗表面电子实际形成和发展的变化情况进行了研究。使用VORPAL粒子模拟软件,建立一个简单的TEM波垂直入射介质窗表面的二维模型,采用Vaughan二次电子发射模型,利用蒙特卡罗碰撞方法... 展开更多; 关键词高功率微波介质窗电子倍增粒子模拟蒙特卡罗碰撞; 在线阅读下载PDF 职称材料

预调制型同轴虚阴极振荡器数值模拟被引量：1: 3; 作者杨永旺杨占峰 +2 位作者李永东邵浩刘纯亮《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期167-170,共4页; 提出一种高效率预调制型同轴虚阴极振荡器,进行了数值模拟研究。研究表明:径向束流预调制型同轴虚阴极振荡器利用在束-波互作用区加载金属圆环形成谐振腔,改变束-波互作用区的电场,对电子束进行调制。圆筒形金属形成的调制腔产生的电场... 展开更多; 关键词高功率微波同轴虚阴极振荡器谐振腔预调制粒子模拟; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体断路开关输出脉冲宽度的参数影响规律被引量：2: 4; 作者王古森王洪广 +1 位作者戚玉佳李永东《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期95-98,共4页; 采用Silvaco TCAD软件,对P+-P-N-N+SOS结构输出脉冲宽度的参数影响规律进行了一维数值模拟研究,包括N+区扩散深度、有效横截面积、外电路参数等。模拟结果表明:随着N+区扩散深度、有效横截面积的增加和外电路电阻的增大,输出脉冲的宽度... 展开更多; 关键词半导体断路开关数值模拟截断特性脉冲宽度; 在线阅读下载PDF 职称材料

正交场返波管太赫兹源慢波系统: 5; 作者保荣李彦松 +3 位作者王洪广刘纯亮李永东刘美琴《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期204-207,共4页; 为解决正交场返波管太赫兹源慢波结构的设计问题,研究了开放式单排矩形梳齿慢波结构的色散及耦合阻抗特性并给出了设计思路及结果.利用单模近似法和数值计算得到了各几何参数对慢波结构性能的影响.结果表明：慢波周期长度可相对独立地... 展开更多; 关键词太赫兹返波管慢波结构色散方程矩形梳齿; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs PIN二极管电热特性: 6; 作者戚玉佳李永东 +3 位作者周家乐王洪广李平刘纯亮《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期276-279,共4页; 通过T-CAD软件建立了PIN二极管的电学模型和热学模型,模拟了PIN二极管的稳态与瞬态特性。研究了PIN二极管器件在正反偏压和脉冲电压下的电学特性及热学特性,讨论了PIN二极管的I层厚度与温度的关系,模拟得到了不同I层厚度的稳态与瞬态响... 展开更多; 关键词 PIN二极管电热特性脉冲电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高功率微波介质窗表面矩形槽抑制二次电子倍增被引量：3: 1; 作者宋佰鹏范壮壮苏国强穆海宝张冠军刘纯亮; 机构电力设备电气绝缘国家重点实验室(西安交通大学) 电子物理与器件教育部重点实验室(西安交通大学); 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期271-275,共5页; 基金国家高技术发展计划项目; 文摘为深入研究高功率微波(HPM)作用下介质窗沿面击穿破坏的物理机制,探索提高闪络场强阈值的方法和途径,开展了介质窗表面矩形刻槽抑制电子倍增的理论与试验研究。首先根据动力学方程建立了介质窗表面电子倍增模型并分析了介质窗槽内电子运动轨迹,考虑了矩形槽结构对表面微波电场的影响,理论分析表明在闪络击穿的起始和发展阶段矩形槽可有效抑制电子倍增。在S波段(2.86 GHz,脉宽1μs)下开展了介质窗表面矩形刻槽的击穿破坏试验,试验结果发现表面矩形刻槽可大幅度提高微波传输功率,在槽深(1.0mm)一定时不同的刻槽宽度(0.5 mm和1.0 mm)对应的微波功率抑制范围不同。采用PIC-MC仿真模拟槽内倍增电子的时空演化,仿真结果很好地验证了试验现象。; 关键词高功率微波二次电子倍增介质窗沿面闪络矩形槽; Keywords high power microwave electrons multipactor dielectric window flashover rectangular grooves; 分类号 TM21 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高功率微波介质窗表面电子倍增二维粒子模拟被引量：2: 2; 作者范壮壮王洪广林舒李永东刘纯亮; 机构电子物理与器件教育部重点实验室(西安交通大学); 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期51-54,共4页; 基金国家自然科学基金项目(50977076) 高功率微波技术重点实验室基金项目; 文摘基于第一性原理的粒子模拟方法,对高功率微波器件中介质窗表面电子实际形成和发展的变化情况进行了研究。使用VORPAL粒子模拟软件,建立一个简单的TEM波垂直入射介质窗表面的二维模型,采用Vaughan二次电子发射模型,利用蒙特卡罗碰撞方法处理电子与背景气体之间的弹性碰撞、激发碰撞和电离碰撞,获得了介质窗表面电子倍增的图像。模拟结果表明,介质窗表面电子数量在一定的时间内达到饱和状态,其振荡频率是入射射频电场频率的两倍。改变初始发射种子电子的数量、入射射频电场的幅值以及背景气体的压强等关键性参数,可得到不同条件下介质窗表面电子数量的变化规律。; 关键词高功率微波介质窗电子倍增粒子模拟蒙特卡罗碰撞; Keywords high power microwave dielectric window multipactor particle-in-cell simulation Monte Carlo collision; 分类号 O461 [理学—电子物理学] O462 [理学—电子物理学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名预调制型同轴虚阴极振荡器数值模拟被引量：1: 3; 作者杨永旺杨占峰李永东邵浩刘纯亮; 机构电子物理与器件教育部重点实验室(西安交通大学) 西北核技术研究所; 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期167-170,共4页; 基金国家自然科学基金项目(11175144); 文摘提出一种高效率预调制型同轴虚阴极振荡器,进行了数值模拟研究。研究表明:径向束流预调制型同轴虚阴极振荡器利用在束-波互作用区加载金属圆环形成谐振腔,改变束-波互作用区的电场,对电子束进行调制。圆筒形金属形成的调制腔产生的电场既对电子束进行了调制,同时对微波频率进行了锁定,其谐振频率主要是由加载的金属圆筒的长度和两个圆筒之间的径向距离决定。经过优化设计,在600 kV,73 kA无外加引导磁场的条件下,预调制型同轴虚阴极振荡器获得了平均功率6 GW,频率为2.575 GHz的微波输出,效率达到13.94%。; 关键词高功率微波同轴虚阴极振荡器谐振腔预调制粒子模拟; Keywords high power microwave coaxial vircator resonant cavity premodulation PIC simulation; 分类号 TN128 [电子电信—物理电子学] O441 [理学—电磁学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体断路开关输出脉冲宽度的参数影响规律被引量：2: 4; 作者王古森王洪广戚玉佳李永东; 机构电子物理与器件教育部重点实验室(西安交通大学); 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期95-98,共4页; 基金国家自然科学基金项目(51277147) 高功率微波技术重点实验室基金项目; 文摘采用Silvaco TCAD软件,对P+-P-N-N+SOS结构输出脉冲宽度的参数影响规律进行了一维数值模拟研究,包括N+区扩散深度、有效横截面积、外电路参数等。模拟结果表明:随着N+区扩散深度、有效横截面积的增加和外电路电阻的增大,输出脉冲的宽度减小。通过参数优化,获得了脉宽约为4 ns的输出脉冲。; 关键词半导体断路开关数值模拟截断特性脉冲宽度; Keywords semiconductor opening switch numerical simulation interruption characteristic pulse width; 分类号 O475 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名正交场返波管太赫兹源慢波系统: 5; 作者保荣李彦松王洪广刘纯亮李永东刘美琴; 机构电子物理与器件教育部重点实验室(西安交通大学); 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期204-207,共4页; 基金国家自然科学基金项目(51107097); 文摘为解决正交场返波管太赫兹源慢波结构的设计问题,研究了开放式单排矩形梳齿慢波结构的色散及耦合阻抗特性并给出了设计思路及结果.利用单模近似法和数值计算得到了各几何参数对慢波结构性能的影响.结果表明：慢波周期长度可相对独立地优化耦合阻抗;设计慢波结构时可根据工作频率、加工工艺和电子枪性能确定其余三个几何参数,主要是对慢波周期长度进行调节.进一步的数值计算给出了梳齿间距在0.0l0～0.025 mm范围内、工作频率在300～420 GHz范围内的开放式矩形梳齿慢波结构的具体尺寸.利用粒子模拟软件对一个设计结果进行了仿真,得到的工作频率验证了冷腔分析的结果.; 关键词太赫兹返波管慢波结构色散方程矩形梳齿; Keywords terahertz backward wave oscillator slow-wave structure dispersion equation rectangular grating wave guide; 分类号 TN125.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs PIN二极管电热特性: 6; 作者戚玉佳李永东周家乐王洪广李平刘纯亮; 机构电子物理与器件教育部重点实验室(西安交通大学) 西北核技术研究所; 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期276-279,共4页; 基金国家自然科学基金项目(51277147) 高功率微波技术重点实验室基金项目; 文摘通过T-CAD软件建立了PIN二极管的电学模型和热学模型,模拟了PIN二极管的稳态与瞬态特性。研究了PIN二极管器件在正反偏压和脉冲电压下的电学特性及热学特性,讨论了PIN二极管的I层厚度与温度的关系,模拟得到了不同I层厚度的稳态与瞬态响应曲线、得到了与器件内部温度的关系。模拟结果表明:随着I层厚度的增加,器件内部最高温度增长减慢,器件内部最高温度区由结区位置向器件的中间位置移动。; 关键词 PIN二极管电热特性脉冲电压; Keywords PIN diode electric thermal characteristic pulse voltage; 分类号 O472.2 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	高功率微波介质窗表面矩形槽抑制二次电子倍增	宋佰鹏范壮壮苏国强穆海宝张冠军刘纯亮	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	高功率微波介质窗表面电子倍增二维粒子模拟	范壮壮王洪广林舒李永东刘纯亮	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	预调制型同轴虚阴极振荡器数值模拟	杨永旺杨占峰李永东邵浩刘纯亮	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	半导体断路开关输出脉冲宽度的参数影响规律	王古森王洪广戚玉佳李永东	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	正交场返波管太赫兹源慢波系统	保荣李彦松王洪广刘纯亮李永东刘美琴	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	GaAs PIN二极管电热特性	戚玉佳李永东周家乐王洪广李平刘纯亮	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料