微电子工业中的清洗方法 被引量：11

1

作者 杨培根 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期46-49,共4页

首先简介半导体工业中的常规清洗方法，而后，有比较地介绍近年推广使用的电子清洗剂。

关键词 腐蚀清洗 电子清洗剂 半导体集成电路

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台湾半导体工业现状 被引量：2

2

作者 李栓庆 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期17-21,共5页

台湾半导体工业现状电子工业部第十三研究所（石家庄０５００５１）李栓庆１引言在六十年代，台湾当局开始建立出口加工区来吸引外国投资。丰富的廉价劳动力诱发了外国半导体公司在台湾开展封装经营，从此拉开了半导体工业的序幕。由于... 台湾半导体工业现状电子工业部第十三研究所（石家庄０５００５１）李栓庆１引言在六十年代，台湾当局开始建立出口加工区来吸引外国投资。丰富的廉价劳动力诱发了外国半导体公司在台湾开展封装经营，从此拉开了半导体工业的序幕。由于台湾当局的积极扶持，台湾的半导体工... 展开更多

关键词 半导体工业 台湾 制造工艺 市场

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金刚石镶嵌非晶碳膜的场致电子发射研究

3

作者 何金田 李运钧 +3 位作者 姚宁 王建恩 张兵临 张友渝 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第5期49-51,共3页

用微波ＣＶＤ方法在钼衬底上沉积出金刚石镶嵌非晶碳薄膜，对其场致电子发射特性和机理进行了研究，使该薄膜的场致发射电子激发荧光屏，并观察到发光。

关键词 金刚石 场致电子 发射 CVD 薄膜

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台湾半导体工业现状（续）

4

作者 李栓庆 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期6-7,共2页

台湾半导体工业现状（续）石家庄电子工业部第十三研究所（石家庄０５００５１）李栓庆１９９４年台湾产值突破百亿，增长率达到２３１％。需求量增大给半导体制造商带来新的机会和希望。台湾的半导体厂家都认识到了只有大投入才能得到... 台湾半导体工业现状（续）石家庄电子工业部第十三研究所（石家庄０５００５１）李栓庆１９９４年台湾产值突破百亿，增长率达到２３１％。需求量增大给半导体制造商带来新的机会和希望。台湾的半导体厂家都认识到了只有大投入才能得到较大的回报，所以许多半导体厂家纷纷... 展开更多

关键词 半导体工业 台湾 电子工业

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光集成与光电子集成

5

作者 梁春广 黄以明 方瑞禹 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1993年第7期27-30,共4页

把发射或者接收光信号的有源光子器件与无源波导器件(如分支器、耦合器、滤波器及光开关等)集成在单块半导体衬底上称为光集成(PIC);把发射或者接收光信号的有源光子器件与处理电信号和控制光子器件的电子电路制作在单块半导体衬底上称... 把发射或者接收光信号的有源光子器件与无源波导器件(如分支器、耦合器、滤波器及光开关等)集成在单块半导体衬底上称为光集成(PIC);把发射或者接收光信号的有源光子器件与处理电信号和控制光子器件的电子电路制作在单块半导体衬底上称为光电子集成(OEIC)。目前研制的光集成不包含电子器件和电子电路,所以又称全光集成。而光电集成也不包含无源波导及光互连问题,即目前只侧重于光发射端机和光接收端机的集成。但从发展来看,它们将互相结合,应能将各类有源光子器件(激光器、发光二极管和探测器等)、光子控制器件(调制器、光开关等)、光子无源器件(光波导、耦合器、滤波器等)以及处理电信号(存储、放大、复用等)、控制光子器件的电子电路(驱动器、调制器等)制造在同一半导体衬底上,成为理想的光子电子集成电路。 展开更多

关键词 光集成 光电子集成

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汽车电子学的发展概况和主要技术

6

作者 钱小工 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第1期5-10,共6页

叙述汽车电子学的概况，重点讨论目前国外所进行的主要研究课题及汽车电子学中所用的半导体器件与技术。

关键词 汽车电子学 智能车辆 智能功率器件 传感技术

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汽车电子学的发展概况和主要技术(续)

7

作者 钱小工 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期11-17,共7页

汽车电子学的发展概况和主要技术（续）钱小工电子工业部第十三研究所（石家庄０５００５１）３．３．４安全装置及其他开关应用中的功率器件要求高可靠性的气囊系统和ＡＢＳ等系统中，必须经常诊断传动装置的状态，在检测出异常时应使... 汽车电子学的发展概况和主要技术（续）钱小工电子工业部第十三研究所（石家庄０５００５１）３．３．４安全装置及其他开关应用中的功率器件要求高可靠性的气囊系统和ＡＢＳ等系统中，必须经常诊断传动装置的状态，在检测出异常时应使警示灯点亮，同时停止机器的操作。另... 展开更多

关键词 汽车 电子学 安全装置

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金刚石薄膜半导体研究进展及其应用前景 被引量：7

8

作者 周灵平 靳九成 +1 位作者 李绍禄 王长河 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期1-4,9,共5页

ＣＶＤ金刚石薄膜是一种有发展前途的半导体材料，近几年来国内外研究取得了一定进展。目前采取的主要研究技术是在非金刚石衬底上生长掺杂金刚石多晶膜，其应用方向是耐高温和抗辐射的半导体器件。尽管金刚石薄膜半导体还有许多问题极... ＣＶＤ金刚石薄膜是一种有发展前途的半导体材料，近几年来国内外研究取得了一定进展。目前采取的主要研究技术是在非金刚石衬底上生长掺杂金刚石多晶膜，其应用方向是耐高温和抗辐射的半导体器件。尽管金刚石薄膜半导体还有许多问题极待解决，但其应用前景十分广阔，到２０００年以后，市场销售额将超过金刚石膜工具而跃居首位。 展开更多

关键词 金刚石薄膜 半导体 掺杂 准单晶

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GaAsMESFET热特性电学法测量与分析 被引量：2

9

作者 冯士维 谢雪松 +3 位作者 吕长志 何大伟 刘成名 李道成 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期32-35,18,共5页

采用快速脉冲技术，研制了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ热特性测试仪，并测量、分析了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ冷响应曲线、温升、稳态热阻、瞬态热阻及热响应曲线。采用该方法，可在器件正常工作条件下，快速、非破坏性地测量分析器件的芯片、粘... 采用快速脉冲技术，研制了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ热特性测试仪，并测量、分析了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ冷响应曲线、温升、稳态热阻、瞬态热阻及热响应曲线。采用该方法，可在器件正常工作条件下，快速、非破坏性地测量分析器件的芯片、粘接及管壳各部分的热阻。 展开更多

关键词 热阻 电学法 热响应曲线 砷化镓 MESFET

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用红外扫描法测量功率晶体管热阻 被引量：6

10

作者 黄雒光 崔恩录 +2 位作者 秦仲波 田建军 郭贺军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期43-44,共2页

器件的热阻不是恒量。功率晶体管的结温不是空间均匀的；对于不同的工作点，有不同的热阻值；而热阻随结温的变化率的测定，对于保证功率晶体管安全工作，预测可靠程度是很重要的，红外扫描法可满足其要求。

关键词 热阻 热斑 热时间常数 功率晶体管

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微波功率电路的热电耦合CAD研究 被引量：1

11

作者 高学邦 高建军 +1 位作者 吴洪江 蒋敬旗 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期6-10,共5页

本文提出了一种新的方法用于微波功率电路的热电一体化设计。该方法是谐波平衡技术的扩展，其特点是能够同时模拟功率电路的电性能和电路中有源器件的结温，并具有很好的计算效率，该方法已实现在通用微波４卜线性模拟软件中。一个Ｃ波... 本文提出了一种新的方法用于微波功率电路的热电一体化设计。该方法是谐波平衡技术的扩展，其特点是能够同时模拟功率电路的电性能和电路中有源器件的结温，并具有很好的计算效率，该方法已实现在通用微波４卜线性模拟软件中。一个Ｃ波段功率放大器的模拟和测量结果的比较证实了本文方法较传统的电学ＣＡＤ方法更为精确和全面。 展开更多

关键词 热电耦合 微波功率电路 谐波平衡 CAD

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一种基于光纤Bragg光栅的全光纤分/插复用器 被引量：3

12

作者 郭玉彬 秦志强 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 2000年第1期93-96,共4页

　研制了用于ＷＤＭ 全光网的全光纤型分／插复用器，由两个相同的光纤环行器和串接其间的光纤Ｂｒａｇｇ 光栅组成。其中光纤Ｂｒａｇｇ 光栅是用紫外光直写方式在普通单模光纤上制成。文中给出了该复用器的上／下路端口隔离度和信道... 　研制了用于ＷＤＭ 全光网的全光纤型分／插复用器，由两个相同的光纤环行器和串接其间的光纤Ｂｒａｇｇ 光栅组成。其中光纤Ｂｒａｇｇ 光栅是用紫外光直写方式在普通单模光纤上制成。文中给出了该复用器的上／下路端口隔离度和信道插入损耗等主要测量结果。其特点是结构简单，可实现信道波长再利用，从而提高网络的灵活性。 展开更多

关键词 光纤 光栅 全光网络 复用器 光纤通信

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n型GaAs上的欧姆接触 被引量：5

13

作者 党冀萍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期26-34,共9页

本文介绍了欧姆接触的原理及测试方法，着重概述了近几年来在ｎ型ＧａＡｓ上制备欧姆接触所做的研究工作，介绍了改善欧姆接触特性的途径和方法。

关键词 半导体器件 欧姆接触 砷化镓 N型

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GaAs经硫和硒钝化处理后的光致发光 被引量：2

14

作者 邢东 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期44-46,共3页

研究了用Ｎａ＿２Ｓ·９Ｈ＿２Ｏ，（ＮＨ＿４）＿２Ｓ＿ｘ和Ｓｅ钝化的ＧａＡｓ的光致发光。这种钝化是经湿法化学处理来进行的。硫和硒处理后，我们观察到光致发光强左有明显的增强。同时我们也比较了三种钝化方法的效果。经分析... 研究了用Ｎａ＿２Ｓ·９Ｈ＿２Ｏ，（ＮＨ＿４）＿２Ｓ＿ｘ和Ｓｅ钝化的ＧａＡｓ的光致发光。这种钝化是经湿法化学处理来进行的。硫和硒处理后，我们观察到光致发光强左有明显的增强。同时我们也比较了三种钝化方法的效果。经分析认为，这种增强是由于表面复合中心密度的减小而造成的。 展开更多

关键词 硫 硒 钝化处理 GAAS 光致发光 表面处理

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用于SMT的柔性制造技术及现状 被引量：1

15

作者 苏世民 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第6期25-32,共8页

用于ＳＭＴ的柔性制造技术及现状电子工业部第十三研究所（石家庄０５０００２）苏世民１引言从整个电子工业的发展史来看，器件的发展经历了电子管、晶体管、ＩＣ及ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ几个重要发展阶段。如果没有器件的进步和发展，电... 用于ＳＭＴ的柔性制造技术及现状电子工业部第十三研究所（石家庄０５０００２）苏世民１引言从整个电子工业的发展史来看，器件的发展经历了电子管、晶体管、ＩＣ及ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ几个重要发展阶段。如果没有器件的进步和发展，电子制造业的革命（如小型化及大幅度提... 展开更多

关键词 柔性制造技术 SMT技术 PCB元件 贴装

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国军标器件3DG135的可靠性研究

16

作者 崔恩录 穆杰 +1 位作者 王于辉 秦仲波 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期16-18,共3页

较详细地叙述了３ＤＧ１３５在可靠性研究过程中，技术攻关的主要内容及所采取的工艺措施，并给出三个检验批次认证的实验结果。

关键词 国军标 硅超高频晶体管 半导体器件 可靠性

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GaAs技术在移动通信中的应用

17

作者 张汉三 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第5期4-9,共6页

首先介绍了当前移动通信的发展概况，进而阐述了移动通信对半导体器件的要求、ＧａＡｓ技术在移动通信领域中的应用，最后主要介绍了开发应用的具体实例。

关键词 移动通信 砷化镓技术 手持电话 数字电话

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半导体柔性制造工厂

18

作者 党冀萍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第6期3-9,共7页

半导体柔性制造工厂电子工业部第十三研究所（石家庄０５００５１）党冀萍１半导体柔性制造随着微电子技术、计算机技术等高科技的飞速发展和军事武器装备更新换代周期的缩短，半导体产品制造面临着短周期、低成本、高质量的挑战。再加... 半导体柔性制造工厂电子工业部第十三研究所（石家庄０５００５１）党冀萍１半导体柔性制造随着微电子技术、计算机技术等高科技的飞速发展和军事武器装备更新换代周期的缩短，半导体产品制造面临着短周期、低成本、高质量的挑战。再加上我国市场经济逐步建立，市场竞争日... 展开更多

关键词 半导体 柔性制造 工厂

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提高微波功率晶体管击穿电压研究 被引量：6

19

作者 黄忠升 潘宏菽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第5期22-26,共5页

微波功率晶体管其微波参数（ｆＴ、ＧＰ、ＰＯ等）和击穿电压ＢＶＣＢＯ对外延层参数选取是互相制约的。现采取超低浓度深结保护环新工艺较巧妙地解决此矛盾，使得微波功率晶体管的微波参数和击穿电压ＢＶＣＢＯ获得明显改善。此工艺已... 微波功率晶体管其微波参数（ｆＴ、ＧＰ、ＰＯ等）和击穿电压ＢＶＣＢＯ对外延层参数选取是互相制约的。现采取超低浓度深结保护环新工艺较巧妙地解决此矛盾，使得微波功率晶体管的微波参数和击穿电压ＢＶＣＢＯ获得明显改善。此工艺已成功用于３．１～３．４ＧＨｚ系列脉冲功率晶体管研制中。 展开更多

关键词 微波 低浓度深结 环扩 功率晶体管

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多晶硅发射极晶体管直流特性研究 被引量：2

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作者 刘英坤 张大立 +3 位作者 周名辉 张振宇 周晓黎 李锦标 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期28-31,共4页

研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性，并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能进行了比较。结果表明多晶硅发射极晶体管具有较高的发射效率，高的电流能力，改善了ＥＢ击穿和ＣＢ击穿。电流增益依赖于淀积多晶硅前的表面处理条件。

关键词 多晶硅发射极 砷注入 电流增益 掺杂 晶体管

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