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优质Si_3N_4、SiO_2双层介质膜的研究
被引量:
1
1
作者
李春瑛
张玉平
+1 位作者
胡丹萍
刘士杰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第1期45-49,共5页
报导了等离子体化学气相沉积(PECVD)法在锑化铟衬底上生长Si3N4和SiO2双层介质膜的实验技术。并用理化分析手段对膜层的物理化学性质进行了分析,给出了实验研究结果。
关键词
介质膜
PECVD
半导体器件
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职称材料
分子束外延碲镉汞薄膜中VOID缺陷的研究
被引量:
2
2
作者
林立
张艳冰
+1 位作者
陈世达
何先忠
《红外与激光工程》
EI
CSCD
1997年第2期45-50,共6页
HgCdTe薄膜中的Void缺陷严重影响面阵器件的有效元数。对用分子束外延法在GaAs衬底上生长的HgCdTe薄膜中的Void缺陷进行了形貌、剖面观测和能谱分析。衬底表面状况和HgCdTe生长过程中的Hg/Te束流比及衬底温度决定了Void缺陷的密度和尺...
HgCdTe薄膜中的Void缺陷严重影响面阵器件的有效元数。对用分子束外延法在GaAs衬底上生长的HgCdTe薄膜中的Void缺陷进行了形貌、剖面观测和能谱分析。衬底表面状况和HgCdTe生长过程中的Hg/Te束流比及衬底温度决定了Void缺陷的密度和尺寸。在比较优化的条件下,可将Void缺陷密度降到5×102cm-2以下。
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关键词
HGCDTE
分子束外延
晶体缺陷
红外焦平面器件
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职称材料
如何正确选择红外测温仪
被引量:
6
3
作者
林瑶
张德欣
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
1999年第10期40-42,共3页
介绍了10 种正确选择红外测温仪的原则。
关键词
红外测温仪
光学分辨率
响应时间
温度测量
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职称材料
双色测温仪工作原理及其应用
被引量:
1
4
作者
张德欣
林瑶
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
1998年第10期38-39,I001,共3页
一、引言在许多工业领域,监测温度是生产过程中极其重要的组成部份。非接触式测温仪已成为厂家改进产品质量的重要工具。非接触式测温仪测量物体表面温度,无需接触被测物体,只测量其在0.7~1.4μm电磁频谱区域发出的红外辐射...
一、引言在许多工业领域,监测温度是生产过程中极其重要的组成部份。非接触式测温仪已成为厂家改进产品质量的重要工具。非接触式测温仪测量物体表面温度,无需接触被测物体,只测量其在0.7~1.4μm电磁频谱区域发出的红外辐射。由于这种仪器为非接触式测温,通常...
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关键词
温度测量
双色测温仪
非接触式
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职称材料
激光接收装置的设计考虑
被引量:
1
5
作者
邓蕴岳
《激光杂志》
CAS
1984年第1期49-54,共6页
激光测距仪的激光接收装置,包括接收光学系统、光电探测器、滤光片和前置放大器等四个部分,它们的设计考虑分述如下。
关键词
激光测距仪
接收装置
设计考虑
光电探测器
前置放大器
光学系统
滤光片
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职称材料
碲镉汞薄膜材料
被引量:
1
6
作者
陈世达
《红外与激光技术》
CSCD
1994年第3期27-32,共6页
研制HgCdTe焦平面器件是当前实现长波红外焦平面器件的主要途径。红外焦平面器件要求大面积、均匀性好和高质量的HgCdTe材料。用LPE、MOCVD和MBE外延生长的HgCdTe薄膜材料可满足焦平面器件对材料的要求。...
研制HgCdTe焦平面器件是当前实现长波红外焦平面器件的主要途径。红外焦平面器件要求大面积、均匀性好和高质量的HgCdTe材料。用LPE、MOCVD和MBE外延生长的HgCdTe薄膜材料可满足焦平面器件对材料的要求。LPE是目前研制HgCdTe光伏列阵主要材料,用双层掺杂生长的p-n异质结得到当前最高的R_0A值。MOCVD和MBE生长的HgCdTe外延膜近期有了较大的进展,除了在硅衬底上MBE生长HgCdTe仍在研究之外,其它已趋向成熟并开始转向工业生产。为了研制高质量的HgCdTe外延膜,高质量的衬底材料与建立薄膜均匀性的检测工艺是十分必要的。
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关键词
碲镉汞
薄膜
材料
外延生长
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职称材料
60元光导碲镉汞探测器实用化组件
7
作者
王海华
《红外与激光技术》
CSCD
1994年第5期21-24,共4页
本文论述了电子工业部十一所60元光导碲镉汞探测器实用化组件的最新技术进展,着重分析了影响探测器组件性能指标的诸多因素,并且首次发表了几只组件达到的主要技术指标。
关键词
碲镉汞
红外探测器
光导器件
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职称材料
固定床粒状阴极反应器镀银漂洗水银回收方法及设备
8
《中国有色冶金》
CAS
2012年第3期86-86,共1页
本发明公开了一种用固定床粒状阴极反应器构成的镀银漂洗水银回收方法和设备。采用固定床粒状电极电解法,反应器阴极段内是电子导体和离子导体的混合填料.电导率高。反应器与活性炭过滤器构成闭路循环,能消除氰污染。能够对银含量小...
本发明公开了一种用固定床粒状阴极反应器构成的镀银漂洗水银回收方法和设备。采用固定床粒状电极电解法,反应器阴极段内是电子导体和离子导体的混合填料.电导率高。反应器与活性炭过滤器构成闭路循环,能消除氰污染。能够对银含量小于50mgL的镀银漂洗水中的银进行回收,银的回收率达94%,回收的银纯度在97%以上.
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关键词
回收方法
反应器
固定床
漂洗水
水银
镀银
阴极
粒状
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职称材料
题名
优质Si_3N_4、SiO_2双层介质膜的研究
被引量:
1
1
作者
李春瑛
张玉平
胡丹萍
刘士杰
机构
国家标准物质研究中心
北京西门子电器有限公司
电子工业部
第
十一
研究所
中科院高能物理研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第1期45-49,共5页
文摘
报导了等离子体化学气相沉积(PECVD)法在锑化铟衬底上生长Si3N4和SiO2双层介质膜的实验技术。并用理化分析手段对膜层的物理化学性质进行了分析,给出了实验研究结果。
关键词
介质膜
PECVD
半导体器件
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
分子束外延碲镉汞薄膜中VOID缺陷的研究
被引量:
2
2
作者
林立
张艳冰
陈世达
何先忠
机构
电子工业部
第
十一
研究所
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
1997年第2期45-50,共6页
文摘
HgCdTe薄膜中的Void缺陷严重影响面阵器件的有效元数。对用分子束外延法在GaAs衬底上生长的HgCdTe薄膜中的Void缺陷进行了形貌、剖面观测和能谱分析。衬底表面状况和HgCdTe生长过程中的Hg/Te束流比及衬底温度决定了Void缺陷的密度和尺寸。在比较优化的条件下,可将Void缺陷密度降到5×102cm-2以下。
关键词
HGCDTE
分子束外延
晶体缺陷
红外焦平面器件
Keywords
Mercury cadmium telluride Molecular beam epitaxy Crystal defect Scanning-transmission microscope X-ray energy spectrum
分类号
TN214 [电子电信—物理电子学]
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
如何正确选择红外测温仪
被引量:
6
3
作者
林瑶
张德欣
机构
雷泰(中国)公司
电子工业部十一所
出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
1999年第10期40-42,共3页
文摘
介绍了10 种正确选择红外测温仪的原则。
关键词
红外测温仪
光学分辨率
响应时间
温度测量
分类号
TH811.07 [机械工程—精密仪器及机械]
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职称材料
题名
双色测温仪工作原理及其应用
被引量:
1
4
作者
张德欣
林瑶
机构
电子工业部十一所
北京雷泰(中国)公司
出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
1998年第10期38-39,I001,共3页
文摘
一、引言在许多工业领域,监测温度是生产过程中极其重要的组成部份。非接触式测温仪已成为厂家改进产品质量的重要工具。非接触式测温仪测量物体表面温度,无需接触被测物体,只测量其在0.7~1.4μm电磁频谱区域发出的红外辐射。由于这种仪器为非接触式测温,通常...
关键词
温度测量
双色测温仪
非接触式
分类号
TH811.2 [机械工程—精密仪器及机械]
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职称材料
题名
激光接收装置的设计考虑
被引量:
1
5
作者
邓蕴岳
机构
电子工业部
第
十一
研究所
出处
《激光杂志》
CAS
1984年第1期49-54,共6页
文摘
激光测距仪的激光接收装置,包括接收光学系统、光电探测器、滤光片和前置放大器等四个部分,它们的设计考虑分述如下。
关键词
激光测距仪
接收装置
设计考虑
光电探测器
前置放大器
光学系统
滤光片
分类号
TN948.55 [电子电信—信号与信息处理]
TH761.2 [机械工程—精密仪器及机械]
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职称材料
题名
碲镉汞薄膜材料
被引量:
1
6
作者
陈世达
机构
电子工业部十一所
出处
《红外与激光技术》
CSCD
1994年第3期27-32,共6页
文摘
研制HgCdTe焦平面器件是当前实现长波红外焦平面器件的主要途径。红外焦平面器件要求大面积、均匀性好和高质量的HgCdTe材料。用LPE、MOCVD和MBE外延生长的HgCdTe薄膜材料可满足焦平面器件对材料的要求。LPE是目前研制HgCdTe光伏列阵主要材料,用双层掺杂生长的p-n异质结得到当前最高的R_0A值。MOCVD和MBE生长的HgCdTe外延膜近期有了较大的进展,除了在硅衬底上MBE生长HgCdTe仍在研究之外,其它已趋向成熟并开始转向工业生产。为了研制高质量的HgCdTe外延膜,高质量的衬底材料与建立薄膜均匀性的检测工艺是十分必要的。
关键词
碲镉汞
薄膜
材料
外延生长
分类号
TN304.25 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
60元光导碲镉汞探测器实用化组件
7
作者
王海华
机构
电子工业部十一所
出处
《红外与激光技术》
CSCD
1994年第5期21-24,共4页
文摘
本文论述了电子工业部十一所60元光导碲镉汞探测器实用化组件的最新技术进展,着重分析了影响探测器组件性能指标的诸多因素,并且首次发表了几只组件达到的主要技术指标。
关键词
碲镉汞
红外探测器
光导器件
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
固定床粒状阴极反应器镀银漂洗水银回收方法及设备
8
机构
电子工业部
第
十一
设计研究院
出处
《中国有色冶金》
CAS
2012年第3期86-86,共1页
文摘
本发明公开了一种用固定床粒状阴极反应器构成的镀银漂洗水银回收方法和设备。采用固定床粒状电极电解法,反应器阴极段内是电子导体和离子导体的混合填料.电导率高。反应器与活性炭过滤器构成闭路循环,能消除氰污染。能够对银含量小于50mgL的镀银漂洗水中的银进行回收,银的回收率达94%,回收的银纯度在97%以上.
关键词
回收方法
反应器
固定床
漂洗水
水银
镀银
阴极
粒状
分类号
TQ052 [化学工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
优质Si_3N_4、SiO_2双层介质膜的研究
李春瑛
张玉平
胡丹萍
刘士杰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997
1
在线阅读
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职称材料
2
分子束外延碲镉汞薄膜中VOID缺陷的研究
林立
张艳冰
陈世达
何先忠
《红外与激光工程》
EI
CSCD
1997
2
在线阅读
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职称材料
3
如何正确选择红外测温仪
林瑶
张德欣
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
1999
6
在线阅读
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职称材料
4
双色测温仪工作原理及其应用
张德欣
林瑶
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
1998
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
5
激光接收装置的设计考虑
邓蕴岳
《激光杂志》
CAS
1984
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
6
碲镉汞薄膜材料
陈世达
《红外与激光技术》
CSCD
1994
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
7
60元光导碲镉汞探测器实用化组件
王海华
《红外与激光技术》
CSCD
1994
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
8
固定床粒状阴极反应器镀银漂洗水银回收方法及设备
《中国有色冶金》
CAS
2012
0
在线阅读
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职称材料
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