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等离子氨化硅应力的研究
被引量：
3
1
作者
俞诚
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期26-28,共3页
氮化硅的应力严重制约着它的应用，但常见资料对氨化硅应力的分析颇略。本文较详细地介绍了ＰＥＣＶＤＳｉｘＮｙ，薄膜应力大小与制备工艺的关系，从而揭示了能有效地抑制ＳｉｘＮｙ应力的工艺途径。文中给出了大量数据，对许多实际问...
氮化硅的应力严重制约着它的应用，但常见资料对氨化硅应力的分析颇略。本文较详细地介绍了ＰＥＣＶＤＳｉｘＮｙ，薄膜应力大小与制备工艺的关系，从而揭示了能有效地抑制ＳｉｘＮｙ应力的工艺途径。文中给出了大量数据，对许多实际问题进行了讨论。
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关键词
等离子氮化硅
薄膜
应力
制备工艺
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职称材料
题名
等离子氨化硅应力的研究
被引量：
3
1
作者
俞诚
机构
电子工业部中国华晶电子集团公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期26-28,共3页
文摘
氮化硅的应力严重制约着它的应用，但常见资料对氨化硅应力的分析颇略。本文较详细地介绍了ＰＥＣＶＤＳｉｘＮｙ，薄膜应力大小与制备工艺的关系，从而揭示了能有效地抑制ＳｉｘＮｙ应力的工艺途径。文中给出了大量数据，对许多实际问题进行了讨论。
关键词
等离子氮化硅
薄膜
应力
制备工艺
分类号
TN304.22 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
等离子氨化硅应力的研究
俞诚
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1996
3
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