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（Ge）_n／（Si）_n应变层超晶格的电子结构
1
作者
张国英
刘贵立
黄和鸾
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期54-57,64,共5页
本文用ＬＣＡＯ－Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法研究了应变层超晶格（ＳＬＳ）（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎ（ｎ＝１，２）的电子结构。计算了超晶格体内和表面Ｇｅ、Ｓｉ的局域和分波态密度及其原子价。讨论了不同的ｎ对（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎＳ...
本文用ＬＣＡＯ－Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法研究了应变层超晶格（ＳＬＳ）（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎ（ｎ＝１，２）的电子结构。计算了超晶格体内和表面Ｇｅ、Ｓｉ的局域和分波态密度及其原子价。讨论了不同的ｎ对（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎＳＬＳ电子结构的影响。我们发现超晶格表面存在表面态，表面退杂化。电子在超晶格界面处发生转移，并随ｎ的不同，转移量不同。
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关键词
应变
超晶格
电子结构
态密度
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职称材料
题名
（Ge）_n／（Si）_n应变层超晶格的电子结构
1
作者
张国英
刘贵立
黄和鸾
机构
电子工业部东北微电子研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期54-57,64,共5页
文摘
本文用ＬＣＡＯ－Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法研究了应变层超晶格（ＳＬＳ）（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎ（ｎ＝１，２）的电子结构。计算了超晶格体内和表面Ｇｅ、Ｓｉ的局域和分波态密度及其原子价。讨论了不同的ｎ对（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎＳＬＳ电子结构的影响。我们发现超晶格表面存在表面态，表面退杂化。电子在超晶格界面处发生转移，并随ｎ的不同，转移量不同。
关键词
应变
超晶格
电子结构
态密度
分类号
O734 [理学—晶体学]
TN304.053 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
（Ge）_n／（Si）_n应变层超晶格的电子结构
张国英
刘贵立
黄和鸾
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1996
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