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GaAs高速电路在片瞬态测试技术研究
1
作者
王国全
马振昌
+2 位作者
王竞
衣茂斌
田小建
《半导体情报》
1999年第5期50-52,共3页
介绍了ＧａＡｓ高速集成电路在片瞬态参数测试的技术原理和系统组成。利用该系统对部分ＧａＡｓ高速电路进行的测试结果表明，
关键词
集成电路
在片瞬态测试
微波探针
GAAS集成电路
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职称材料
GaAs 6位数-模转换器技术研究
2
作者
杨中月
梁玉英
+1 位作者
郝景晨
廉亚光
《半导体情报》
1999年第2期56-58,共3页
介绍一种ＧａＡｓ６位数－模转换器（ＤＡＣ）。时钟频率达到５００ＭＨｚ，采用全耗尽型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ制作，平面凹槽工艺，最小线宽１μｍ，输入与ＥＣＬ电平兼容，输出能驱动５０Ω负载，最大静态功耗９００ｍＷ。
关键词
凹槽
数-模转换器
耗尽型
静态测试
DAC
砷化镓
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职称材料
题名
GaAs高速电路在片瞬态测试技术研究
1
作者
王国全
马振昌
王竞
衣茂斌
田小建
机构
电子十三所gaasic国家重点实验室
吉林大学集成光
电子
国家
重点
实验室
出处
《半导体情报》
1999年第5期50-52,共3页
文摘
介绍了ＧａＡｓ高速集成电路在片瞬态参数测试的技术原理和系统组成。利用该系统对部分ＧａＡｓ高速电路进行的测试结果表明，
关键词
集成电路
在片瞬态测试
微波探针
GAAS集成电路
Keywords
HSIC Transient on wafer test Microwave probe
分类号
TN432.07 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
GaAs 6位数-模转换器技术研究
2
作者
杨中月
梁玉英
郝景晨
廉亚光
机构
信息产业部
电子十三所gaasic国家重点实验室
出处
《半导体情报》
1999年第2期56-58,共3页
文摘
介绍一种ＧａＡｓ６位数－模转换器（ＤＡＣ）。时钟频率达到５００ＭＨｚ，采用全耗尽型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ制作，平面凹槽工艺，最小线宽１μｍ，输入与ＥＣＬ电平兼容，输出能驱动５０Ω负载，最大静态功耗９００ｍＷ。
关键词
凹槽
数-模转换器
耗尽型
静态测试
DAC
砷化镓
Keywords
Recess flute DAC Depletion mode Threshold voltage Static measurement
分类号
TP335.406 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TN792 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
GaAs高速电路在片瞬态测试技术研究
王国全
马振昌
王竞
衣茂斌
田小建
《半导体情报》
1999
0
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职称材料
2
GaAs 6位数-模转换器技术研究
杨中月
梁玉英
郝景晨
廉亚光
《半导体情报》
1999
0
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职称材料
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