车规级功率器件的封装关键技术及封装可靠性研究进展 被引量：8

1

作者 武晓彤 邓二平 +3 位作者 吴立信 刘鹏 杨少华 丁立健 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期689-701,共13页

半导体技术的进步推动了车规级功率器件封装技术的不断发展和完善,然而车规级功率器件应用工况十分复杂,面临高度多样化的热循环挑战,对其可靠性提出了更高的要求。因此,在设计、制造和验证阶段都必须执行更为严格的高功能安全标准。综... 半导体技术的进步推动了车规级功率器件封装技术的不断发展和完善,然而车规级功率器件应用工况十分复杂,面临高度多样化的热循环挑战,对其可靠性提出了更高的要求。因此,在设计、制造和验证阶段都必须执行更为严格的高功能安全标准。综述了车规级功率器件的封装关键技术和封装可靠性研究进展,通过系统地归纳适应市场发展需求的车规级功率器件封装结构,总结了封装设计关键技术和先进手段,同时概述了封装可靠性研究面临的挑战。深入探讨了车规级功率器件封装设计和封装可靠性的重要问题,在此基础上,借鉴总结已有的研究成果,提出了可行的解决方案。 展开更多

关键词 车规级功率器件 封装关键技术 封装结构 封装可靠性 第三代半导体器件

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功率器件可靠性试验样本数量确定理论及影响 被引量：3

2

作者 王作艺 王延浩 +3 位作者 邓二平 牛皓 杨少华 黄永章 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第8期722-728,共7页

在功率器件的可靠性试验、评估和验证中,样本数量的大小决定着试验结果的准确性。然而,在不同的标准中,对于相同试验,样本数量的选择却不尽相同,给实际应用带来了困难。通过研究各类标准中的试验内容,将样本数量的选择分为探究型试验和... 在功率器件的可靠性试验、评估和验证中,样本数量的大小决定着试验结果的准确性。然而,在不同的标准中,对于相同试验,样本数量的选择却不尽相同,给实际应用带来了困难。通过研究各类标准中的试验内容,将样本数量的选择分为探究型试验和验收型试验两类,分析、解释了选择不同样本数量的理由。对样本数量计算公式进行了分析,并将公式中的变量与标准规定指标联系起来。结果表明,批允许不合格率(LTPD)和置信度会影响样本数量。因此,在满足标准规定指标的前提下,可以根据实际需求适当调整试验样本数量,为器件可靠性试验评估提供有效的手段。 展开更多

关键词 可靠性试验 样本数量 功率器件 批允许不合格率(LTPD) 置信度

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大气中子在系统级封装器件中引起的单粒子效应特性及机理研究

3

作者 叶结锋 梁朝辉 +5 位作者 张战刚 郑顺顺 雷志锋 刘志利 耿高营 韩慧 《原子能科学技术》 北大核心 2025年第5期1154-1164,共11页

基于大气中子辐照谱仪(ANIS)提供的宽能谱中子束流,开展了系统级封装(SiP)器件的加速辐照实验,观察到了中子辐照导致SiP器件发生单粒子翻转(SEU)及单粒子功能中断(SEFI)效应。SEU发生于数字信号处理器(DSP)内部的静态随机存取存储器(SR... 基于大气中子辐照谱仪(ANIS)提供的宽能谱中子束流,开展了系统级封装(SiP)器件的加速辐照实验,观察到了中子辐照导致SiP器件发生单粒子翻转(SEU)及单粒子功能中断(SEFI)效应。SEU发生于数字信号处理器(DSP)内部的静态随机存取存储器(SRAM)模块以及现场可编程门阵列(FPGA)内部的块随机存取存储器(BRAM)模块。SEFI的错误类型主要是上位机程序闪退以及DSP状态机卡死。基于加速辐照实验结果计算了中子导致的SEU截面,探讨了工艺节点、中子束流能谱对SEU截面的影响。当工艺节点从40 nm减小到28 nm时,U型SEU截面减少了73%。热中子对SRAM模块的SEU截面有较大影响,滤除中子束流中的热中子成分后,SRAM的SEU截面下降了28.8%。基于GEANT4仿真软件对实验结果进行了分析,解释了实验组SEU截面较低的原因。最后,通过计算纽约海平面的软错误率发现,SEU最敏感模块为FPGA内部的BRAM,能量大于1 MeV高能中子引起的软错误率为766.8 FIT/Mbit,未在第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器(DDR2 SDRAM)、FPGA内部的可配置逻辑块(CLB)和只读存储器(ROM)中发现SEU;SEFI最敏感模块为DSP。实验数据对SiP的抗中子辐照设计有重要意义。 展开更多

关键词 单粒子效应 中子辐照 系统级封装 单粒子翻转截面 热中子 软错误率

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柔性直流换流阀功率器件大气中子辐照效应研究

4

作者 蔡希鹏 杨柳 +7 位作者 周月宾 饶宏 赵晓斌 袁智勇 彭超 徐义良 王达名 雷志锋 《中国电机工程学报》 北大核心 2025年第9期3589-3597,I0027,共10页

柔性直流输电技术是大规模新能源外送的重要载体,未来我国大量的沙漠、戈壁、荒漠大规模新能源基地海拔偏高,甚至超过4000 m,宇宙射线大气中子通量大,严重威胁柔性直流换流阀(voltage sourced converter-high voltage direct current,VS... 柔性直流输电技术是大规模新能源外送的重要载体,未来我国大量的沙漠、戈壁、荒漠大规模新能源基地海拔偏高,甚至超过4000 m,宇宙射线大气中子通量大,严重威胁柔性直流换流阀(voltage sourced converter-high voltage direct current,VSC-HVDC)功率器件的安全可靠运行。但是,目前我国柔性直流工程中换流阀尚无2000 m以上高海拔地区应用案例,国内外也缺乏大气中子辐照功率器件的失效率数据,大气中子对功率器件的影响规律不明,难以支撑工程应用。该文首次针对柔性直流使用的4.5 kV等级主流功率器件,提出绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)、旁路转折晶闸管等功率器件高海拔大气中子辐照效应的等效加速试验方法,并开展试验,结合试验结果分析了器件工作电压、工作温度、中子通量对器件失效率的影响规律,得出高海拔地区IGBT和旁路转折晶闸管的大气中子辐照失效率,为高海拔VSC-HVDC的安全设计提供指导。 展开更多

关键词 柔性直流换流阀 功率半导体器件 大气中子 加速辐照 失效率

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中红外固体激光器的振动可靠性 被引量：2

5

作者 刘雯雯 苏伟 +2 位作者 罗文豪 李健坷 刘人怀 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2021年第4期106-111,共6页

基于ANSYS建立了中红外固体激光器的有限元仿真计算模型,通过模态分析获取了固体激光器的各阶固有频率、振型等模态参数。结合非接触测振技术搭建了振动模态试验平台,通过试验与仿真对比,验证了模态仿真模型的可靠性。然后,在模态仿真... 基于ANSYS建立了中红外固体激光器的有限元仿真计算模型,通过模态分析获取了固体激光器的各阶固有频率、振型等模态参数。结合非接触测振技术搭建了振动模态试验平台,通过试验与仿真对比,验证了模态仿真模型的可靠性。然后,在模态仿真的基础上,通过谐响应分析,重点研究了激光器光学晶体组件在车载正弦扫频振动下的振动特性,获得了等效应力、总机械应变以及位移与激振频率的关系。最后,分析了影响激光器振动可靠性的关键位置,为改进设计提供了有益的参考。结果表明,2 000 Hz以内,底面固定约束的中红外固体激光器共有4阶固有频率与振型,试验与模态仿真得到的振型描述一致,且固有频率误差小于8%,车载扫频振动条件下,最大总机械应变和等效应力均出现在扩束器的输入镜边缘,沿光学晶体组件轴向的位移最大,其值约为0.14 mm。 展开更多

关键词 振动可靠性 中红外固体激光器 非接触测振技术 光学晶体组件 仿真

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盲元作为红外焦平面可靠性分析手段的探讨 被引量：10

6

作者 郝立超 黄爱波 +6 位作者 赖灿雄 陈星 陈辉 郝明明 路国光 黄云 恩云飞 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第5期25-30,共6页

红外焦平面器件广泛应用于国防安全、空间探测、环境监测、工业控制等各个领域,但是由于量少价高的特点,可靠性成为其技术发展的主要瓶颈之一。盲元是红外焦平面的失效像元,是对器件工作特性的反映,因此,可以用作可靠性评价和失效分析... 红外焦平面器件广泛应用于国防安全、空间探测、环境监测、工业控制等各个领域,但是由于量少价高的特点,可靠性成为其技术发展的主要瓶颈之一。盲元是红外焦平面的失效像元,是对器件工作特性的反映,因此,可以用作可靠性评价和失效分析手段的重要参数。以出厂时间为界,将盲元分为初始盲元和使用盲元,并分析了其类型、性质、数量、位置及分布等方面的特征。根据红外焦平面器件结构特点,从探测器、互联铟柱和读出电路三个方面分析了盲元形成原因,全面探讨了盲元分析在研究器件损伤应力、失效位置、损伤机理上的应用,以及准确评价器件性能和提高盲元剔除精度的可行性,为器件结构的优化和工艺的改进提供了支撑。 展开更多

关键词 盲元 红外焦平面 可靠性 失效分析 性能评价

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数字化电力装备专用传感应用需求与发展趋势 被引量：17

7

作者 江俊杰 胡军 +6 位作者 马国明 严英杰 杨庆 杨爱军 陈义强 刘亚东 江秀臣 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期3271-3302,I0001-I0005,共37页

电力专用传感器是数字化电力装备实现可观、可测、可控的重要基础保障。该文面向新型电力系统建设目标,从数智化电网及智能传感器行业发展驱动政策出发,根据电网自身运行特性,分析了数字化电力装备电力专用传感技术的政策导向以及其在... 电力专用传感器是数字化电力装备实现可观、可测、可控的重要基础保障。该文面向新型电力系统建设目标,从数智化电网及智能传感器行业发展驱动政策出发,根据电网自身运行特性,分析了数字化电力装备电力专用传感技术的政策导向以及其在传感器小型化、多参量集成感知、一二次融合技术、可靠性与环境适应性、智能化等方面的需求。此外,该文围绕传感器敏感元件、制备技术、测试与校准、通信网络和能量收集技术,对传感器行业的现状和发展趋势进行了介绍和研判,并进一步分析了电力专用智能传感的标准建设需求,提出了未来电力专用传感技术的发展形态。 展开更多

关键词 传感器 数字化 新型电力系统 电力装备 标准化

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融合CNN-LSTM的硬件木马旁路检测方法

8

作者 周康 侯波 +3 位作者 王力纬 雷登云 罗永震 黄中铠 《电子与信息学报》 北大核心 2025年第9期3312-3320,共9页

随着集成电路设计与制造全球化,通过供应链植入硬件木马的潜在威胁日益显著。传统旁路检测方法依赖人工特征提取,易受噪声干扰且泛化能力不足,导致检测耗时且准确率不高。为此,该文提出一种基于一维卷积神经网络(CNN)及其与长短期记忆网... 随着集成电路设计与制造全球化,通过供应链植入硬件木马的潜在威胁日益显著。传统旁路检测方法依赖人工特征提取,易受噪声干扰且泛化能力不足,导致检测耗时且准确率不高。为此,该文提出一种基于一维卷积神经网络(CNN)及其与长短期记忆网络(LSTM)的组合架构(1D-CNN-LSTM)的硬件木马旁路检测方法,分别从局部空间特征与时序依赖关系两方面捕获硬件木马动态功耗信号特征,构建算法模型进行硬件木马检测。另外为了提高检测效率和算法鲁棒性,该文结合硬件木马特征对瞬态功耗原始数据进行预处理,并引入高斯噪声进行样本增强。以流片后的ASIC芯片为对象,开展硬件木马检测实验,结果显示经数据预处理后,1D-CNN-LSTM模型的训练效率提升近10倍,算法在4分类任务中的整体检测精度达到99.6%。该文所提出的方法可有效降低计算资源消耗、消除噪声干扰并实现高精度检测。 展开更多

关键词 硬件木马 旁路检测 深度学习

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加速度计标定中静态半径误差项的消除技术 被引量：5

9

作者 黄钦文 杨少华 +1 位作者 董显山 王蕴辉 《中国惯性技术学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第1期122-126,共5页

基于离心机对线加速度计进行标定时,首先需确定加速度计有效质量中心到离心机旋转中心的距离,即静态半径。目前相关的确定方法较为繁琐,实际中难以操作。提出一种直接消除双离心机静态半径误差的测试分析方法,该方法基于加速度计在双离... 基于离心机对线加速度计进行标定时,首先需确定加速度计有效质量中心到离心机旋转中心的距离,即静态半径。目前相关的确定方法较为繁琐,实际中难以操作。提出一种直接消除双离心机静态半径误差的测试分析方法,该方法基于加速度计在双离心机上测试标定时在正向输入和反向输入条件下其安装位置误差的对称性,将安装位置误差项引入加速度计的静态模型方程中。通过对模型方程的处理,消除了结果数据中的安装误差项,获得了不含安装误差项的加速度计标度因数计算方法,并且基于所获得的标度因数,可以计算获得安装位置误差值。对比测试验证结果表明,同个加速度计在正常安装((35)R/R_1约0.37%)和人为增大安装位置误差((35)R/R_1约5.22%)的情况下,经过消除安装位置误差项的处理,所获得的标度因数仅相差约0.036%,证明了该方法的有效性。该方法有效消除了安装位置误差对标度因数的影响,提高了标定精度,同时简化了加速度计的标定步骤。 展开更多

关键词 双离心机 加速度计 静态半径 安装位置误差 标度因数

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基于高功率微波脉冲注入的氮化镓低噪声放大器效应研究

10

作者 刘敏 蔡宗棋 +4 位作者 卞立安 唐厚鹭 吕安如 陈义强 路国光 《中国舰船研究》 北大核心 2025年第4期32-42,共11页

[目的]针对日益增多的有意电磁干扰,研究高功率微波脉冲作用下雷达、通信用氮化镓(GaN)低噪声放大器(LNA)的损伤效应。[方法]开展不同脉冲宽度和占空比的微波脉冲注入试验研究,以探究GaN LNA直流及射频参数的变化情况。通过连续波及不... [目的]针对日益增多的有意电磁干扰,研究高功率微波脉冲作用下雷达、通信用氮化镓(GaN)低噪声放大器(LNA)的损伤效应。[方法]开展不同脉冲宽度和占空比的微波脉冲注入试验研究,以探究GaN LNA直流及射频参数的变化情况。通过连续波及不同脉冲宽度和占空比的微波脉冲试验,获取器件的阈值功率。同时,为了进一步确定GaNLNA的损伤部位以及损伤机理,对芯片进行开封,并利用显微镜、双束聚焦离子束(FIB)等分析设备对芯片表面及内部进行微观形貌表征。[结果]试验结果表明,当GaNLNA遭受脉冲宽度30ns,上升沿18ns,下降沿18ns,周期为2ms的高功率微波脉冲注入冲击后,其增益从约23.67dB恶化到-8.91dB,噪声系数从1.59dB恶化到18.13dB,输出波形严重压缩。分析表明GaNLNA的核心有源器件高电子迁移率晶体管(HEMT)容易被高功率微波损伤,受损主要源于高功率微波攻击导致栅极形成微电流通道,随后引发漏极过电流,最终永久损坏器件。[结论]研究GaNLNA及其核心有源器件HEMT在高功率微波作用下的损伤效应,为深入了解高功率微波脉冲对GaNLNA的影响以及提升GaNLNA鲁棒性提供了重要的参考价值。 展开更多

关键词 低噪声放大器 氮化镓 高电子迁移率晶体管 高功率微波 电磁防护 损伤效应

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硅通孔电迁移寿命评价系统设计

11

作者 张立廷 龚涛 +2 位作者 陈思 周斌 卢向军 《电子测量技术》 北大核心 2025年第2期75-83,共9页

由于缺乏专门的试验系统,三维封装中的硅通孔电迁移寿命评价往往需要借助多种设备和仪器,以应对不同试验需求,这不仅增加了试验的复杂性,还可能引入不确定性因素。以LabVIEW作为上位机软件开发平台,可编程控制器和工控机作为核心控制单... 由于缺乏专门的试验系统,三维封装中的硅通孔电迁移寿命评价往往需要借助多种设备和仪器,以应对不同试验需求,这不仅增加了试验的复杂性,还可能引入不确定性因素。以LabVIEW作为上位机软件开发平台,可编程控制器和工控机作为核心控制单元,联合精密电源、高精度万用表、继电器阵列、样品连接端等研发了TSV电迁移寿命评价系统,以确保对TSV电迁移试验过程中电压、电流等关键参数的准确采集和监测。借助研发的TSV电迁移寿命评价系统,通过开展双通孔TSV样品电迁移加速寿命试验,分析了TSV在不同电应力(1×10^(5)、5×10^(5)和1×10^(6)A/cm^(2))和温度应力(25℃、50℃和75℃)条件下的特征失效特性。实验结果表明,相同温度下,电流越大TSV样品失效越快,在25℃下电流密度为1×10^(5)A/cm^(2)时的样品失效时间约为56.2 h,而1×10^(6)A/cm^(2)时仅为10.5 h;电流相同时,温度越高TSV样品失效越快,温度从25℃升高到75℃时,样品失效时间减少了约64.9%。基于TSV样品失效时间得到其特征失效时间,并通过设计算法得到TSV电迁移Black寿命模型及其参数,E a=0.672、n=0.665825、A=6.08999×10^(-130)。 展开更多

关键词 LABVIEW 硅通孔 电迁移 寿命评价 特征失效

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基于自动化试验系统的低噪声放大器高功率微波脉冲损伤阈值研究

12

作者 郭濠逸 蔡宗棋 +1 位作者 黄淇锋 方文啸 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第11期98-107,共10页

高功率微波试验是研究半导体器件在强电磁环境下损伤效应的重要手段。然而,传统试验方法主要依赖人工操作,难以精准测定器件的失效阈值,影响实验的重复性和可靠性。为提升测试精度并减少人为误差,基于半导体器件与高功率微波相互作用机... 高功率微波试验是研究半导体器件在强电磁环境下损伤效应的重要手段。然而,传统试验方法主要依赖人工操作,难以精准测定器件的失效阈值,影响实验的重复性和可靠性。为提升测试精度并减少人为误差,基于半导体器件与高功率微波相互作用机制,设计了一套高功率微波脉冲自动化试验系统及标准化试验流程。以典型商用低噪声放大器为研究对象,系统评估其在高功率微波脉冲作用下的损伤阈值。通过同步测量器件的时域响应、频域特性及电流变化,并结合失效前后的参数对比分析,精确确定器件的失效阈值点。进一步地针对失效器件的一次、二次及三次损伤过程进行系统评估,并结合微观物理机制探讨损伤累积效应对器件关键参数的影响,以揭示失效机理。 展开更多

关键词 自动化试验系统 低噪声放大器 高功率微波脉冲 损伤阈值 失效分析

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非单调IG过程运算放大器剩余寿命预测

13

作者 殷如心 锁斌 杨少华 《探测与控制学报》 北大核心 2025年第2期127-134,共8页

针对运算放大器退化数据不满足单调递增情况下的剩余寿命预测问题,提出一种结合倒挂数据处理和IG过程(逆高斯过程)的寿命预测新方法。首先利用Bayes后验期望对倒挂退化数据进行修正,然后建立每个样本的IG过程退化轨迹,利用加速模型实现... 针对运算放大器退化数据不满足单调递增情况下的剩余寿命预测问题,提出一种结合倒挂数据处理和IG过程(逆高斯过程)的寿命预测新方法。首先利用Bayes后验期望对倒挂退化数据进行修正,然后建立每个样本的IG过程退化轨迹,利用加速模型实现正常应力下IG过程的参数估计后,利用非参核密度拟合参数的密度函数并用bootstrap求出其均值,进而得到运算放大器不同性能参数的IG过程模型。最后,利用多参数性能退化竞争失效求出运算放大器在不同时刻的剩余寿命。通过运算放大器加速退化数据的评估,验证了该方法的有效性。 展开更多

关键词 运算放大器 倒挂数据 逆高斯过程 剩余寿命 核密度估计

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MEMS惯性器件的主要失效模式和失效机理研究 被引量：17

14

作者 陈俊光 谷专元 +3 位作者 何春华 黄钦文 来萍 恩云飞 《传感器与微系统》 CSCD 2017年第3期1-5,13,共6页

针对微机电系统(MEMS)器件的可靠性问题,通过大量的历史资料调研和失效信息收集等方法,针对微机电系统(MEMS)器件的可靠性问题,对冲击、振动、湿度、温变、辐照和静电放电(ESD)等不同环境应力条件下的MEMS惯性器件典型失效模式及失效机... 针对微机电系统(MEMS)器件的可靠性问题,通过大量的历史资料调研和失效信息收集等方法,针对微机电系统(MEMS)器件的可靠性问题,对冲击、振动、湿度、温变、辐照和静电放电(ESD)等不同环境应力条件下的MEMS惯性器件典型失效模式及失效机理进行了深入分析和总结,研究结果有利于指导未来MEMS惯性器件的失效分析和可靠性设计。 展开更多

关键词 微机电系统(MEMS)惯性器件 可靠性 失效模式 失效机理

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非晶硅薄膜晶体管关态电流的物理模型 被引量：1

15

作者 恩云飞 刘远 +2 位作者 何玉娟 师谦 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期135-140,共6页

基于器件有源层内纵向电场变化模型,提出了背沟界面能带弯曲量与栅源电压的近似方程,并针对背沟电子传导机制建立器件反向亚阈电流模型;基于空穴的一维连续性方程,提出有源层内空穴逃逸率的物理模型,并针对前沟空穴传导机制建立器件泄... 基于器件有源层内纵向电场变化模型,提出了背沟界面能带弯曲量与栅源电压的近似方程,并针对背沟电子传导机制建立器件反向亚阈电流模型;基于空穴的一维连续性方程,提出有源层内空穴逃逸率的物理模型,并针对前沟空穴传导机制建立器件泄漏电流模型.实验结果验证了所提关态电流物理模型的准确性,曲线拟合良好. 展开更多

关键词 非晶硅 薄膜晶体管 关态电流 泄漏电流 反向亚阈电流

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材料释气对MEMS真空封装腔内压强影响的研究

16

作者 朱春龙 阮彬 +2 位作者 黄钦文 郭辉辉 李金桐 《传感器与微系统》 北大核心 2025年第7期32-36,共5页

真空封装技术对MEMS的制备至关重要。由于其内部腔体较小,使得该腔内压强的测量成为了业界公认的难题。因此,本文根据扩散理论建立了简化的真空腔封装结构的材料释气模型,并且提出了通过测量MEMS的品质因子间接表征出腔内的气压变化的... 真空封装技术对MEMS的制备至关重要。由于其内部腔体较小,使得该腔内压强的测量成为了业界公认的难题。因此,本文根据扩散理论建立了简化的真空腔封装结构的材料释气模型,并且提出了通过测量MEMS的品质因子间接表征出腔内的气压变化的方法。从以下3个方面验证了提出方法的有效性和准确性。首先,建立MEMS真空腔内材料释气的理论推导;然后,分别采用硅和铜作为MEMS的封装材料,在不同初始封装气压和温度下,获取仅氢气的扩散解吸对腔体内部压强的仿真值;最后,搭建了真空封装MEMS陀螺仪真空度加速退化实验平台,并将实验值并与仿真值进行对比。对比结果表明,本文提出的MEMS内部腔内的气压退化表征方法具有较强的工程应用价值。 展开更多

关键词 MEMS真空封装 材料释气 扩散解吸 加速退化

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电离辐射对部分耗尽SOI器件关态电流的影响

17

作者 恩云飞 刘远 何玉娟 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期683-687,共5页

针对辐射前后环栅与条栅结构部分耗尽绝缘体上硅(SOI,Silicon On Insula-tor)器件关态电流的变化展开实验,研究结果表明辐射诱使关态电流增加主要取决于侧壁泄漏电流、背栅寄生晶体管导通、带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应.在条栅结... 针对辐射前后环栅与条栅结构部分耗尽绝缘体上硅(SOI,Silicon On Insula-tor)器件关态电流的变化展开实验,研究结果表明辐射诱使关态电流增加主要取决于侧壁泄漏电流、背栅寄生晶体管导通、带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应.在条栅结构器件中,辐射诱生场氧化层固定电荷将使得器件侧壁泄漏电流增加,器件前、背栅关态电流随总剂量变化明显;在环栅结构器件中,辐射诱使背栅晶体管开启将使得前栅器件关态电流变大,而带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应将使得器件关态电流随前栅电压减小而迅速增加.基于以上结果,可通过改良版图结构以提高SOI器件的抗总剂量电离辐射能力. 展开更多

关键词 绝缘体上硅 部分耗尽 关态电流 电离辐射

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应用于近场测量的超宽带有源磁场探头设计

18

作者 陈志坚 王雨晨 +4 位作者 黄鹏程 邵伟恒 叶长青 方文啸 黄云 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期131-140,共10页

针对目前有源探头的探测频率主要集中在低频段,难以满足高频段探测需求的问题,提出了一种小型、高带宽、非接触式的有源磁场探头。该有源磁场探头采用多层印刷电路版(PCB)制作,于无源探头的基础上,加入了有源放大器模块及其配套的电源... 针对目前有源探头的探测频率主要集中在低频段,难以满足高频段探测需求的问题,提出了一种小型、高带宽、非接触式的有源磁场探头。该有源磁场探头采用多层印刷电路版(PCB)制作,于无源探头的基础上,加入了有源放大器模块及其配套的电源管理芯片,对超宽带类型探头的传输增益进行提升;并从频率响应、空间分辨率、校准因子、差分电场抑制能力4个方面对探头进行了测试分析。结果表明:文中设计的探头的传输增益达到-20 dB,空间分辨率达到900μm,有良好的差分电场抑制能力,该探头可用于超宽带下的PCB板与较复杂集成电路等场景的测量工作。 展开更多

关键词 有源磁场探头 超宽带 传输增益 频率响应 空间分辨率 校准系数 差分电场抑制能力

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32×32甚长波红外HgCdTe焦平面器件（英文） 被引量：2

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作者 郝立超 黄爱波 +5 位作者 解晓辉 李辉 赖灿雄 陈洪雷 魏彦锋 丁瑞军 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第5期59-64,共6页

甚长波红外波段富含大气湿度、CO_2含量及云层结构和温度轮廓等大量信息,是大气遥感的重要组成部分。设计了一种32×32甚长波红外焦平面阵列,采用在ZnCdTe衬底上液相外延生长的As掺杂p型材料上进行B+离子注入形成光敏元,通过铟柱倒... 甚长波红外波段富含大气湿度、CO_2含量及云层结构和温度轮廓等大量信息,是大气遥感的重要组成部分。设计了一种32×32甚长波红外焦平面阵列,采用在ZnCdTe衬底上液相外延生长的As掺杂p型材料上进行B+离子注入形成光敏元,通过铟柱倒焊技术和带有改进型背景抑制结构的读出电路互联,制成截止波长达到14滋m的焦平面器件。该红外焦平面器件像元面积为60滋m×60滋m,工作温度在50 K温度下。测试结果显示:读出电路性能良好,焦平面黑体响应率达到1.35×107V/W,峰值探测率为2.57×10^(10)cmH z^(1/2)/W,响应率非均匀性约为45%,盲元率小于12%。 展开更多

关键词 碲镉汞 甚长波 红外焦平面 读出电路 背景抑制

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位移损伤效应对AlGaN/GaN HEMT器件的影响 被引量：2

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作者 陈柏炜 孙常皓 +7 位作者 马腾 宋宏甲 王金斌 彭超 张战刚 雷志锋 梁朝辉 钟向丽 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期2274-2280,共7页

对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)分别进行3 MeV质子辐照和14 MeV中子辐照实验。3 MeV质子辐照下累积注量达到1×10^(15) cm^(-2)或14 MeV中子辐照下累积注量达到2×10^(13)cm^(-2)时,AlGaN/GaN HEMTs饱和漏电流下降,阈值... 对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)分别进行3 MeV质子辐照和14 MeV中子辐照实验。3 MeV质子辐照下累积注量达到1×10^(15) cm^(-2)或14 MeV中子辐照下累积注量达到2×10^(13)cm^(-2)时,AlGaN/GaN HEMTs饱和漏电流下降,阈值电压正向漂移,峰值跨导降低。分别对3 MeV质子辐照和14 MeV中子辐照后的AlGaN/GaN HEMTs进行深能级瞬态谱(DLTS)测试。3 MeV质子辐照后缺陷浓度下降降低了反向栅极漏电流,而14 MeV中子辐照会导致缺陷浓度增加,使得反向栅极漏电流增加。根据质子和中子辐照后的缺陷能级均为(0.850±0.020)eV,推断缺陷类型均为氮间隙缺陷,质子辐照和中子辐照后氮间隙缺陷的位移导致的位移损伤效应是AlGaN/GaN HEMT器件电学性能退化的主要原因。 展开更多

关键词 AlGaN/GaN HEMT 质子辐照 中子辐照 位移损伤

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