KGD质量和可靠性保障技术 被引量：11

1

作者 黄云 恩云飞 +1 位作者 师谦 罗宏伟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期40-43,共4页

通过裸芯片可靠性保障技术研究,在国内形成了一部完整的已知良好芯片(KGD)质量与可靠性保证程序,建立了从裸芯片到KGD的质量与可靠性保证系统,确立了裸芯片测试、老化和评价技术,实现了工作温度为-55～+125℃的裸芯片静态、动态工作频... 通过裸芯片可靠性保障技术研究,在国内形成了一部完整的已知良好芯片(KGD)质量与可靠性保证程序,建立了从裸芯片到KGD的质量与可靠性保证系统,确立了裸芯片测试、老化和评价技术,实现了工作温度为-55～+125℃的裸芯片静态、动态工作频率小于100MHz的测试和工作频率小于3MHz的125℃动态老化筛选,可保障裸芯片在技术指标和可靠性指标上达到封装成品的等级要求。 展开更多

关键词 已知良好芯片 质量 可靠性 测试 老化

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集成电路可靠性评价技术 被引量：4

2

作者 孔学东 章晓文 恩云飞 《中国集成电路》 2005年第1期83-86,共4页

对工艺过程进行评估的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方,它是针对技术磨损的机理,通过对专门设计的测试结构进行封装级或圆片级可靠性测试,获取器件的可靠性模型参数和可靠性信息。超大规模集成电路主要的三个的失效机理分别是热载流... 对工艺过程进行评估的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方,它是针对技术磨损的机理,通过对专门设计的测试结构进行封装级或圆片级可靠性测试,获取器件的可靠性模型参数和可靠性信息。超大规模集成电路主要的三个的失效机理分别是热载流子注入效应、金属化电迁移效应和氧化层的TDDB击穿。本文对这三种失效机理分别进行了介绍,对各自对应的可靠性模型进行了说明,强调了可靠性评价的重要性,给出了可靠性评价在工艺中的应用流程图。 展开更多

关键词 超大规模集成电路 TDDB 电迁移效应 热载流子注入效应 圆片级 可靠性评价 失效机理 可靠性模型 可靠性测试 测试结构

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异质异构微系统集成可靠性技术综述 被引量：5

3

作者 周斌 陈思 +5 位作者 王宏跃 付志伟 施宜军 杨晓锋 曲晨冰 时林林 《电子与封装》 2021年第10期110-118,共9页

随着智能移动、智能汽车、物联网、可穿戴设备等市场的快速增长,兼具信号感知、信号处理、信令执行和赋能等多功能集成的微系统技术成为业界关注的焦点。在深度摩尔和超越摩尔的共同推动下,微系统技术正呈现出工艺节点不断缩小、集成密... 随着智能移动、智能汽车、物联网、可穿戴设备等市场的快速增长,兼具信号感知、信号处理、信令执行和赋能等多功能集成的微系统技术成为业界关注的焦点。在深度摩尔和超越摩尔的共同推动下,微系统技术正呈现出工艺节点不断缩小、集成密度不断提高、结构框架软硬一体、失效机制交叉融合、分析技术更新迭代等全新特征,新结构、新工艺的引入带来了新的可靠性问题,使得部分原有可靠性表征方法不再适用。针对基于异质异构集成微系统技术的可靠性问题,综述了国内外研究进展,提出了亟需解决的若干问题和表征方法,如热、力学可靠性问题,多尺度、多场耦合问题,微纳工艺、结构的性能表征和退化问题,微系统可靠性评价问题,电磁、辐照、极低温等特殊环境下的适应性问题。 展开更多

关键词 微系统 异质异构 残余应力 热管理 可靠性

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GaAs PHEMT器件高温加速寿命试验及物理分析 被引量：5

4

作者 崔晓英 许燕 黄云 《电子器件》 CAS 2010年第1期22-26,共5页

GaAs微波器件的退化与金属化稳定性密切相关,实现PHEMT器件功能的金属化主要有栅金属化、欧姆接触金属化和信号传输线金属化。本文针对定制的GaAs PHEMT器件的栅金属接触孔链和欧姆接触金属方块条进行了高温加速应力寿命试验,并对器件... GaAs微波器件的退化与金属化稳定性密切相关,实现PHEMT器件功能的金属化主要有栅金属化、欧姆接触金属化和信号传输线金属化。本文针对定制的GaAs PHEMT器件的栅金属接触孔链和欧姆接触金属方块条进行了高温加速应力寿命试验,并对器件金属化失效单机理进行寿命预计,同时对试验后的样品进行物理分析。结果显示栅金属接触孔链在180℃下就发生失效,接触孔链表面的金属化层形变,金属化发生了迁移;而AuGeNi欧姆接触在225℃高温下更易发生电迁移失效,金属向体内扩散并在金属条上形成空洞。 展开更多

关键词 GAAS PHEMT 栅接触 欧姆接触 高温加速应力试验 寿命预计

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GaAs MMIC钝化层介质Si_3N_4的可靠性评价 被引量：1

5

作者 李斌 林丽 +1 位作者 黄云 钮利荣 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期92-95,104,共5页

在斜坡电压应力条件下对GaAsMM IC介质层Si3N4的击穿特性进行了测试,探讨了电容面积、周长以及斜率对与时间有关的介质击穿(TDDB)特性的影响.实验结果表明,电容面积越大,周长越长,介质中的缺陷就越多,其击穿电压也就越低,可靠性越差.根... 在斜坡电压应力条件下对GaAsMM IC介质层Si3N4的击穿特性进行了测试,探讨了电容面积、周长以及斜率对与时间有关的介质击穿(TDDB)特性的影响.实验结果表明,电容面积越大,周长越长,介质中的缺陷就越多,其击穿电压也就越低,可靠性越差.根据TDDB线性电场模型,采用不同斜率的斜坡电压应力测试数据预测了正常工作电压下的Si3N4寿命.与温度加速实验相比,文中所提方法快速、成本低廉. 展开更多

关键词 GAAS MMIC 击穿 寿命预测 TDDB 氮化硅

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芯片剥层技术在集成电路失效分析中的应用 被引量：6

6

作者 陈媛 李少平 《电子产品可靠性与环境试验》 2009年第B10期10-14,共5页

随着集成电路向多层结构方向的发展,对芯片进行失效分析必须解决多层结构下层的可观察性和可测试性。本文介绍了失效分析中去钝化层、金属化层和层间介质等的各种方法,包括湿法腐蚀、反应离子刻蚀和FIB刻蚀等方法,结合图例进行剥层前后... 随着集成电路向多层结构方向的发展,对芯片进行失效分析必须解决多层结构下层的可观察性和可测试性。本文介绍了失效分析中去钝化层、金属化层和层间介质等的各种方法,包括湿法腐蚀、反应离子刻蚀和FIB刻蚀等方法,结合图例进行剥层前后对比分析,并通过实例说明剥层技术在集成电路失效分析中的重要作用。 展开更多

关键词 失效分析 钝化层 金属化层 层间介质 剥层技术

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湿热对PoP封装可靠性影响的研究 被引量：7

7

作者 刘海龙 杨少华 李国元 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1054-1058,1098,共6页

堆叠封装(package-on-package,PoP)是一种先进的三维封装。首先基于有限元分析方法对PoP封装进行建模,对PoP封装在潮湿环境中进行了吸湿和解吸附分析。研究了吸湿膨胀引入的湿应力和回流焊过程中引入的热应力对PoP封装可靠性的影响,与... 堆叠封装(package-on-package,PoP)是一种先进的三维封装。首先基于有限元分析方法对PoP封装进行建模,对PoP封装在潮湿环境中进行了吸湿和解吸附分析。研究了吸湿膨胀引入的湿应力和回流焊过程中引入的热应力对PoP封装可靠性的影响,与热膨相似,聚合物与非聚合物膨胀系数不同会导致封装中出现吸湿不匹配应力。模拟结果表明,最大湿-机械应力出现在封装边缘焊球的边角处,顶层封装的湿-热-机械应力均比底层封装大。顶层封装是PoP封装的关键因素,湿气与热应力一样对PoP封装的可靠性起着重要的作用。 展开更多

关键词 堆叠封装 湿热应力 有限元 湿气扩散 塑封器件

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基于TCAD的绝缘体上硅器件总剂量效应仿真技术研究 被引量：3

8

作者 彭超 雷志锋 +3 位作者 张战刚 何玉娟 黄云 恩云飞 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期1755-1761,共7页

绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)器件的全介质隔离结构改善了其抗单粒子效应性能,但也使其对总剂量效应更加敏感.为了评估SOI器件的总剂量效应敏感性,本文提出了一种基于TCAD(Technology Computer Aided Design)的总剂量效应仿真... 绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)器件的全介质隔离结构改善了其抗单粒子效应性能,但也使其对总剂量效应更加敏感.为了评估SOI器件的总剂量效应敏感性,本文提出了一种基于TCAD(Technology Computer Aided Design)的总剂量效应仿真技术.通过对SOI器件三维结构进行建模,利用TCAD内置的辐射模型开展瞬态仿真,模拟氧化层中辐射感应电荷的产生、输运和俘获过程,从而分别评估绝缘埋层(Buried Oxide,BOX)和浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation,STI)氧化层中辐射感应陷阱电荷对器件电学性能的影响.基于该仿真技术,本文分别研究了不同偏置、沟道长度、体区掺杂浓度以及STI形貌对SOI MOSFET器件总剂量辐射效应的影响.仿真结果表明高浓度的体区掺杂、较小的STI凹槽深度和更陡峭的STI侧壁将有助于改善SOI器件的抗总剂量效应性能. 展开更多

关键词 绝缘体上硅 总剂量效应 浅沟槽隔离 TCAD仿真

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高可靠应用的塑封微电路升级筛选和鉴定的探讨

9

作者 杨少华 来萍 《电子产品可靠性与环境试验》 2009年第B10期76-80,共5页

介绍了塑封微电路(PEM)的可靠性问题,以及应用、筛选和鉴定研究状况,探讨了PEM在高可靠应用中的破坏性物理分析(DPA)、筛选、鉴定等技术方法及其注意事项。

关键词 塑封微电路 高可靠应用 DPA 筛选 鉴定

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行波管慢波结构抗振可靠性研究

10

作者 冯先龙 宋芳芳 恩云飞 《电子产品可靠性与环境试验》 2009年第6期19-22,共4页

慢波结构为行波管的核心部件之一。为了评价行波管的慢波结构振动可靠性,整合了慢波结构有限元分析和简化模型的数学推导,得到了慢波结构的固有频率和振型,再研究慢波结构电性能与结构尺寸的关系,以及自然振动频率公式的内在联系。最后... 慢波结构为行波管的核心部件之一。为了评价行波管的慢波结构振动可靠性,整合了慢波结构有限元分析和简化模型的数学推导,得到了慢波结构的固有频率和振型,再研究慢波结构电性能与结构尺寸的关系,以及自然振动频率公式的内在联系。最后,比较分析四者的关系,从主动避振的角度,提出了优化慢波结构的设计方法,以提高产品的抗振性能。 展开更多

关键词 行波管 慢波结构 振动分析 有限元分析

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SOI MOSFET器件X射线总剂量效应研究 被引量：6

11

作者 何玉娟 师谦 +2 位作者 李斌 林丽 张正选 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期357-360,共4页

研究了以10keV X射线为辐照源对注氧隔离(SIMOX)SOI MOSFET器件进行辐照的总剂量效应。采用ARACOR 10keV X射线对埋氧层加固样品与未加固的对比样品在开态和传输门态两种辐照偏置下进行辐照,分析了器件的特性曲线,并计算了SOI MOS器件... 研究了以10keV X射线为辐照源对注氧隔离(SIMOX)SOI MOSFET器件进行辐照的总剂量效应。采用ARACOR 10keV X射线对埋氧层加固样品与未加固的对比样品在开态和传输门态两种辐照偏置下进行辐照,分析了器件的特性曲线,并计算了SOI MOS器件前栅与寄生背栅晶体管辐照前后的阈值电压的漂移。实验结果表明,加固样品的抗辐射性能优越,且不同的辐照偏置对SOI MOSFET器件的辐照效应产生不同的影响。 展开更多

关键词 X射线 总剂量辐射效应 绝缘体上硅 注氧隔离

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先进工艺对MOS器件总剂量辐射效应的影响 被引量：4

12

作者 刘远 恩云飞 +2 位作者 李斌 师谦 何玉娟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期738-742,746,共6页

器件栅氧厚度的减小、场氧工艺的改变以及衬底材料的不同等都将导致MOS器件的总剂量辐射效应发生改变。亚阈斜率、阈值电压漂移、衬底技术和场氧抗辐射能力已经成为器件按比例缩小给器件带来冲击的最主要的四个方面。综述了上述条件、高... 器件栅氧厚度的减小、场氧工艺的改变以及衬底材料的不同等都将导致MOS器件的总剂量辐射效应发生改变。亚阈斜率、阈值电压漂移、衬底技术和场氧抗辐射能力已经成为器件按比例缩小给器件带来冲击的最主要的四个方面。综述了上述条件、高k介质/硅系统以及选择SOI材料作为衬底材料对MOS器件总剂量辐射效应的影响。 展开更多

关键词 辐射效应 总剂量 金属-氧化物-半导体场效应晶体管

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裸芯片封装技术的发展与挑战 被引量：7

13

作者 吴少芳 孔学东 黄云 《电子与封装》 2008年第9期1-3,7,共4页

随着IC制造技术的发展,传统的封装形式已经不能够满足集成电路对于高性能、高集成度、高可靠性的要求。裸芯片由于其本身具有的特点而被广泛应用于HIC/MCM等新型的封装形式中。文章的目的在于分析使用裸芯片所带来的技术优势和存在的一... 随着IC制造技术的发展,传统的封装形式已经不能够满足集成电路对于高性能、高集成度、高可靠性的要求。裸芯片由于其本身具有的特点而被广泛应用于HIC/MCM等新型的封装形式中。文章的目的在于分析使用裸芯片所带来的技术优势和存在的一些不足之处,使得人们能够更加客观地看待一种新的技术,并且扬长避短地利用好它。一方面裸芯片的引入能够提高系统集成度和速度,这是裸芯片应用技术发展的必然性;另一方面针对裸芯片应用技术存在的问题,文章着重介绍了两种解决方法,即通过发展KGD技术和改进工艺的方法来提高裸芯片的质量和可靠性。 展开更多

关键词 裸芯片 多芯片组件 已知良好芯片

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虚拟试验技术发展历史、现状和趋势 被引量：2

14

作者 路国光 杨晓锋 +3 位作者 陈思 时林林 付志伟 苏伟 《电子产品可靠性与环境试验》 2021年第S02期39-42,共4页

随着计算机技术、数学建模技术、虚拟样机技术和虚拟现实技术的迅猛发展,数值模拟和仿真试验广泛的应用于电子元器件、武器装备的研制过程中,并逐渐地减少或部分替代物理试验。针对电子产品的虚拟试验技术,介绍了虚拟试验技术的基本概... 随着计算机技术、数学建模技术、虚拟样机技术和虚拟现实技术的迅猛发展,数值模拟和仿真试验广泛的应用于电子元器件、武器装备的研制过程中,并逐渐地减少或部分替代物理试验。针对电子产品的虚拟试验技术,介绍了虚拟试验技术的基本概念、电子元器件的虚拟试验发展历史及研究现状,重点对典型电子产品虚拟试验案例进行深入剖析。此外,分析了当前虚拟试验存在的挑战,并对电子产品的虚拟试验发展提出了建议。 展开更多

关键词 虚拟试验 可靠性 仿真

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集成电路失效分析新技术 被引量：8

15

作者 费庆宇 《电子产品可靠性与环境试验》 2005年第4期1-5,共5页

通过实例综述了目前国内集成电路失效分析技术的现状和发展方向,包括:无损失效分析技术、信号寻迹技术、二次效应技术、样品制备技术和背面失效定位技术,为进一步开展这方面的工作提供参考。

关键词 集成电路 失效分析 无损分析

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SEU电荷收集模式的器件级仿真 被引量：1

16

作者 汪俊 师谦 《电子质量》 2009年第11期32-34,48,共4页

文章通过计算机模拟仿真的方法对单粒子翻转(SEU)电荷收集的三种模式进行研究。模拟结果表明,在SEU的三种电荷收集模式中,浓度梯度引起的扩散电荷收集和漏斗区的漂移电荷收集对SEU影响很小,它们均只在短时间内对电荷收集有作用,所以对SE... 文章通过计算机模拟仿真的方法对单粒子翻转(SEU)电荷收集的三种模式进行研究。模拟结果表明,在SEU的三种电荷收集模式中,浓度梯度引起的扩散电荷收集和漏斗区的漂移电荷收集对SEU影响很小,它们均只在短时间内对电荷收集有作用,所以对SEU的影响不大,随着集成电路的发展,由于漏斗电场的减弱,漏斗区的漂移作用越来越小,在SEU的产生过程中,耗尽层的漂移对SEU的产生起主要作用。 展开更多

关键词 电荷漏斗模型 单粒子翻转 临界电荷

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微波功率器件动态试验系统 被引量：2

17

作者 来萍 张晓明 +3 位作者 荣炳麟 冯敬东 范国华 金毓铨 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期451-454,共4页

为开展微波功率器件动态加速寿命试验,建立了一套由计算机实时监测的微波动态试验系统。采用微带电路剥离以及加热部件与其他电路的隔热连接等方法,实现了对每个器件进行独立的内腔式加热,从而单独提高受试器件环境温度,保证了高温应力... 为开展微波功率器件动态加速寿命试验,建立了一套由计算机实时监测的微波动态试验系统。采用微带电路剥离以及加热部件与其他电路的隔热连接等方法,实现了对每个器件进行独立的内腔式加热,从而单独提高受试器件环境温度,保证了高温应力下微波动态电路的稳定性和可靠性。同时编制了计算机程序软件,解决了参数校准、参数提取等方面存在的误差修正及提高测试精度等技术问题,实现了对试验过程的实时监测和数据的完整保存。 展开更多

关键词 微波功率器件 动态 试验系统

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塑封微电路筛选鉴定和DPA技术的研究 被引量：1

18

作者 林湘云 来萍 +1 位作者 刘建 李少平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1108-1111,共4页

由于塑封器件结构和材料等因素,存在非气密性、易受温度形变等特有潜在缺陷。有效的筛选和鉴定已经成为检验塑封微电路(PEMs)质量和提高应用可靠性的关键。DPA作为产品质量检验与可靠性评价技术,能提供PEM生产与设计、工艺和制造缺陷的... 由于塑封器件结构和材料等因素,存在非气密性、易受温度形变等特有潜在缺陷。有效的筛选和鉴定已经成为检验塑封微电路(PEMs)质量和提高应用可靠性的关键。DPA作为产品质量检验与可靠性评价技术,能提供PEM生产与设计、工艺和制造缺陷的信息。介绍了一套筛选、鉴定和DPA技术相结合的PEMs产品保证方法,可以作为向高可靠性要求用户提供高质量PEMs的主要评价手段。 展开更多

关键词 塑封微电路 缺陷 筛选 鉴定 破坏性物理分析

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深亚微米体硅器件电离辐射及退火与温度的相关性研究

19

作者 尹雪梅 师谦 李斌 《电子质量》 2011年第3期18-20,共3页

对经过Co60不同剂量剂量率辐照的体硅MOS器件(NMOSFET与PMOSFET)分别进行了室温和高温下的退火实验,并对退火结果进行分析,讨论了退火温度对MOS器件阈值电压及辐射感生的氧化层陷阱电荷与界面态电荷产生的影响。

关键词 温度 退火效应 总剂量效应 电离辐射

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GaAs器件寿命试验结温测试方法研究

20

作者 洪潇 芦忠 来萍 《电子产品可靠性与环境试验》 2012年第B05期118-121,共4页

在GaAs器件寿命试验中,器件的性能参数退化与结温密切相关。对于如何确定结温问题进行了研究,介绍了热阻的定义以及目前热阻测试中常用的方法。针对GaAs器件长期使用中出现的参数漂移、输出功率下降等问题,试验设计了4种相关的单机理评... 在GaAs器件寿命试验中,器件的性能参数退化与结温密切相关。对于如何确定结温问题进行了研究,介绍了热阻的定义以及目前热阻测试中常用的方法。针对GaAs器件长期使用中出现的参数漂移、输出功率下降等问题,试验设计了4种相关的单机理评价结构,并使用电参数测试法确定出GaAs加速寿命试验中最合适的环境温度。 展开更多

关键词 砷化镓器件 热阻测试 结温

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