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金属氧化物与现代微电子学——过渡金属前体化合物及转化为材料的化学过程（英文）
被引量：
1
1
作者
Tabitha M.Cook
Adam C.Lamb
薛子陵
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2017年第11期1947-1958,共12页
金属氧化物薄膜如HfO_2(被称为高k电介质)是现代微电子器件的关键组件,广泛用于计算机(平板电脑,笔记本电脑和台式机)、智能电话、智能电视、汽车和医疗设备中。具有大介电常数(k)的金属氧化物已经取代了介电常数小的SiO_2(k=3.9),从而...
金属氧化物薄膜如HfO_2(被称为高k电介质)是现代微电子器件的关键组件,广泛用于计算机(平板电脑,笔记本电脑和台式机)、智能电话、智能电视、汽车和医疗设备中。具有大介电常数(k)的金属氧化物已经取代了介电常数小的SiO_2(k=3.9),从而使得微电子元件进一步小型化。过渡金属化合物在化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)中被广泛用作前体,通过与O2、H_2O或O_3的反应生成金属氧化物薄膜。微电子金属氧化物膜是纳米材料最广泛应用的一个领域。本文概观该领域的最新进展,包括我们对d0过渡金属配合物与O_2反应的研究。
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关键词
金属氧化物
栅极电介质材料
薄膜
微电子学
化学气相沉积
原子层沉积
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职称材料
题名
金属氧化物与现代微电子学——过渡金属前体化合物及转化为材料的化学过程（英文）
被引量：
1
1
作者
Tabitha M.Cook
Adam C.Lamb
薛子陵
机构
田纳西大学化学系、美国诺克斯维尔市田纳西州
出处
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2017年第11期1947-1958,共12页
基金
美国国家科学基金会(No.CHE-1633870)资助项目
文摘
金属氧化物薄膜如HfO_2(被称为高k电介质)是现代微电子器件的关键组件,广泛用于计算机(平板电脑,笔记本电脑和台式机)、智能电话、智能电视、汽车和医疗设备中。具有大介电常数(k)的金属氧化物已经取代了介电常数小的SiO_2(k=3.9),从而使得微电子元件进一步小型化。过渡金属化合物在化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)中被广泛用作前体,通过与O2、H_2O或O_3的反应生成金属氧化物薄膜。微电子金属氧化物膜是纳米材料最广泛应用的一个领域。本文概观该领域的最新进展,包括我们对d0过渡金属配合物与O_2反应的研究。
关键词
金属氧化物
栅极电介质材料
薄膜
微电子学
化学气相沉积
原子层沉积
Keywords
metal oxides
gate dielectrics
thin films
microelectronics
CVD
ALD
分类号
O614 [理学—无机化学]
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题名
作者
出处
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被引量
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1
金属氧化物与现代微电子学——过渡金属前体化合物及转化为材料的化学过程（英文）
Tabitha M.Cook
Adam C.Lamb
薛子陵
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2017
1
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