期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
ArF浸没式光刻胶用抗水涂层研究进展
1
作者 郑祥飞 徐亮 +3 位作者 陈侃 刘敬成 张家龙 陈韦帆 《涂料工业》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期74-81,共8页
氟化氩(ArF)浸没式光刻需在光刻胶表面形成抗水涂层,阻挡光刻胶和水之间组分交换。抗水涂层对光刻胶的分辨率、工艺窗口、低缺陷要求起着重要作用,平衡抗水涂层的疏水性和碱溶性是设计聚合物结构的重点和难点。分析了形成抗水涂层的方... 氟化氩(ArF)浸没式光刻需在光刻胶表面形成抗水涂层,阻挡光刻胶和水之间组分交换。抗水涂层对光刻胶的分辨率、工艺窗口、低缺陷要求起着重要作用,平衡抗水涂层的疏水性和碱溶性是设计聚合物结构的重点和难点。分析了形成抗水涂层的方法和成膜机理,对比了不同方法的优缺点,根据聚合物所含官能团及其碱溶性,对抗水涂层聚合物进行了分类总结,重点阐述抗水涂层聚合物的结构和性能要求,尤其关注了聚合物侧链的位阻效应和氢键作用对涂层的疏水性影响。最后对抗水涂层的应用和发展进行了展望。 展开更多
关键词 ArF浸没式光刻 抗水涂层 疏水和碱溶性 聚合物结构
在线阅读 下载PDF
ArF光刻胶成膜树脂研究进展 被引量:2
2
作者 郑祥飞 徐亮 +3 位作者 陈侃 刘敬成 张家龙 陈韦帆 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第S02期126-130,共5页
ArF曝光分为干式光刻和浸没式光刻,结合多重曝光技术,分辨率覆盖90~97nm,是芯片制造的主流工艺。ArF光刻胶要求透光率高(193nm波长处)、分辨率高、感度快、抗刻蚀性强、边缘粗糙度小及缺陷少,因此对成膜树脂提出了更高要求。目前报道的... ArF曝光分为干式光刻和浸没式光刻,结合多重曝光技术,分辨率覆盖90~97nm,是芯片制造的主流工艺。ArF光刻胶要求透光率高(193nm波长处)、分辨率高、感度快、抗刻蚀性强、边缘粗糙度小及缺陷少,因此对成膜树脂提出了更高要求。目前报道的ArF光刻胶成膜树脂大致分为三类:(甲基)丙烯酸酯体系;环烯烃体系;马来酸酐体系。主要对三类成膜树脂进行了分类总结,并介绍成膜树脂结构的特点。 展开更多
关键词 ArF光刻 光刻胶性能 成膜树脂 聚合物结构 研究进展
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部