检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

24~30 GHz GaN HEMT单片集成单刀双掷开关被引量：2: 1; 作者曾丁元朱浩慎 +2 位作者冯文杰车文荃薛泉《南京信息工程大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2021年第4期444-449,共6页; 本文研究了一种基于100 nm氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺设计的24~30 GHz单片集成单刀双掷(SPDT)开关.该开关采用1/4波长微带线并联HEMT开关器件的结构,通过采用两级并联HEMT实现低插入损耗同时获得更好的隔离度.测试结果显... 展开更多; 关键词 GaN HEMT 单片微波集成电路单刀双掷开关; 在线阅读下载PDF 职称材料

20~26 GHz硅基氮化镓可变增益低噪声放大器被引量：1: 2; 作者江兰兰陈宏尘 +3 位作者朱浩慎冯文杰车文荃薛泉《南京信息工程大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2021年第4期413-419,共7页; 基于100 nm硅基氮化镓(GaN)工艺,本文设计并实现了一款工作频段为20~26 GHz且增益平坦的可变增益低噪声放大器(VGLNA).该放大器采用三级共源级级联来实现高增益,并通过调节第二、第三级的栅极偏置实现增益控制.测试结果表明,该放大器在... 展开更多; 关键词 GaN HEMT 微波单片集成电路低噪声放大器可变增益放大器; 在线阅读下载PDF 职称材料

差分电感的建模与仿真及其在振荡器电路中的应用被引量：1: 3; 作者李超宛操 +1 位作者朱浩慎薛泉《南京信息工程大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2021年第4期397-404,共8页; 本文提出一种中心抽头差分电感模型,可以有效地替代电磁仿真文件进行电路的仿真,并不影响电路仿真结果.将提出的中心抽头差分电感模型应用于振荡器电路,并对模型结果与测试结果进行比较,验证电感模型的有效性.测试结果表明,模型可以在... 展开更多; 关键词中心抽头差分电感建模与仿真振荡器 S参数; 在线阅读下载PDF 职称材料

硅基毫米波收发前端集成电路研究进展: 4; 作者邱枫宛操 +8 位作者罗雄耀邓帅徐涛涛梅术聪陈嘉文吴亮朱浩慎车文荃薛泉《南京信息工程大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2021年第4期383-396,共14页; 随着第五代移动通信技术(5G)逐步向毫米波频段(FR2)部署,以及目前无人驾驶技术对毫米波雷达技术的需求,高性能的毫米波收发前端集成电路成为了目前研究的热点.与此同时,硅基器件工艺的快速发展,极大地提高了晶体管的截止频率,为低成本... 展开更多; 关键词集成电路毫米波射频前端; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名24~30 GHz GaN HEMT单片集成单刀双掷开关被引量：2: 1; 作者曾丁元朱浩慎冯文杰车文荃薛泉; 机构华南理工大学电子与信息学院/广东省毫米波与太赫兹重点实验室琶洲实验室智能感知与无线传输中心南京理工大学电子工程与光电技术学院; 出处《南京信息工程大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2021年第4期444-449,共6页; 基金国家重点研发计划(2018YFB1802002) 广东省“珠江人才计划”引进创新创业团队项目(2017ZT07X032)。; 文摘本文研究了一种基于100 nm氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺设计的24~30 GHz单片集成单刀双掷(SPDT)开关.该开关采用1/4波长微带线并联HEMT开关器件的结构,通过采用两级并联HEMT实现低插入损耗同时获得更好的隔离度.测试结果显示,在24~30 GHz的5G毫米波频段内以及0/-5 V的控制电压下,该开关的插入损耗低于1.5 dB,隔离度优于28 dB,输入功率1 dB压缩点大于27 dBm.测试结果能够很好地验证仿真结果.; 关键词 GaN HEMT 单片微波集成电路单刀双掷开关; Keywords GaN HEMT monolithic microwave integrated circuit(MMIC) SPDT switch; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名20~26 GHz硅基氮化镓可变增益低噪声放大器被引量：1: 2; 作者江兰兰陈宏尘朱浩慎冯文杰车文荃薛泉; 机构华南理工大学电子与信息学院/广东省毫米波与太赫兹重点实验室琶洲实验室智能感知与无线传输中心南京理工大学电子工程与光电技术学院; 出处《南京信息工程大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2021年第4期413-419,共7页; 基金国家重点研发计划(2018YFB1802002) 广东省“珠江人才计划”引进创新创业团队项目(2017ZT07X032)。; 文摘基于100 nm硅基氮化镓(GaN)工艺,本文设计并实现了一款工作频段为20~26 GHz且增益平坦的可变增益低噪声放大器(VGLNA).该放大器采用三级共源级级联来实现高增益,并通过调节第二、第三级的栅极偏置实现增益控制.测试结果表明,该放大器在工作频段内实现了超过20 dB的增益可变范围和±1.5 dB的增益平坦度,在增益可变范围内功耗为126 mW至413 mW.在最大增益状态下,该放大器在整个频段内可实现大于20 dB的小信号增益且噪声系数(NF)为2.95 dB至3.5 dB,平均输出1dB压缩点(OP1dB)约为14.5 dBm.该芯片的面积为2 mm^(2).; 关键词 GaN HEMT 微波单片集成电路低噪声放大器可变增益放大器; Keywords GaN HEMT monolithic microwave integrated circuit low-noise amplifier(LNA) variable-gain amplifier; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名差分电感的建模与仿真及其在振荡器电路中的应用被引量：1: 3; 作者李超宛操朱浩慎薛泉; 机构华南理工大学电子与信息学院/广东省毫米波与太赫兹重点实验室琶洲实验室智能感知与无线传输中心; 出处《南京信息工程大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2021年第4期397-404,共8页; 基金广东省重点领域研发计划(2018B010115001) 广东省“珠江人才计划”引进创新创业团队项目(2017ZT07X032)。; 文摘本文提出一种中心抽头差分电感模型,可以有效地替代电磁仿真文件进行电路的仿真,并不影响电路仿真结果.将提出的中心抽头差分电感模型应用于振荡器电路,并对模型结果与测试结果进行比较,验证电感模型的有效性.测试结果表明,模型可以在一定程度上取代S参数,并能与测试结果保持一致.; 关键词中心抽头差分电感建模与仿真振荡器 S参数; Keywords center-tapped differential inductor modeling and simulation oscillator S-parameter; 分类号 TM55 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅基毫米波收发前端集成电路研究进展: 4; 作者邱枫宛操罗雄耀邓帅徐涛涛梅术聪陈嘉文吴亮朱浩慎车文荃薛泉; 机构华南理工大学电子与信息学院/广东省毫米波与太赫兹重点实验室琶洲实验室智能感知与无线传输中心香港中文大学(深圳)理工学院; 出处《南京信息工程大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2021年第4期383-396,共14页; 基金国家重点研发计划(2018YFB1802002) 广东省“珠江人才计划”引进创新创业团队项目(2017ZT07X032)。; 文摘随着第五代移动通信技术(5G)逐步向毫米波频段(FR2)部署,以及目前无人驾驶技术对毫米波雷达技术的需求,高性能的毫米波收发前端集成电路成为了目前研究的热点.与此同时,硅基器件工艺的快速发展,极大地提高了晶体管的截止频率,为低成本、高性能的硅基毫米波集成电路设计提供了基础.本文对近年来的毫米波通信和雷达的硅基收发前端集成电路的研究现状和发展趋势进行了综述.; 关键词集成电路毫米波射频前端; Keywords integrated circuit millimeter-wave radio frequency front-end; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	24~30 GHz GaN HEMT单片集成单刀双掷开关	曾丁元朱浩慎冯文杰车文荃薛泉	《南京信息工程大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心	2021	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	20~26 GHz硅基氮化镓可变增益低噪声放大器	江兰兰陈宏尘朱浩慎冯文杰车文荃薛泉	《南京信息工程大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心	2021	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	差分电感的建模与仿真及其在振荡器电路中的应用	李超宛操朱浩慎薛泉	《南京信息工程大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心	2021	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	硅基毫米波收发前端集成电路研究进展	邱枫宛操罗雄耀邓帅徐涛涛梅术聪陈嘉文吴亮朱浩慎车文荃薛泉	《南京信息工程大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心	2021	0	在线阅读下载PDF 职称材料