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IGBT模块中不同金属化方法覆铜氮化铝陶瓷基板的可靠性研究 被引量:2
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作者 侯美珍 《电子产品世界》 2022年第12期94-96,100,共4页
针对氮化铝陶瓷基板的IGBT应用展开分析,着重对不同金属化方法制备的覆铜AlN基板进行可靠性进行研究。通过对比厚膜法、薄膜法、直接覆铜法和活性金属钎焊法金属化AlN基板的剥离强度、热循环、功率循环,分析结果可知,活性金属钎焊法制备... 针对氮化铝陶瓷基板的IGBT应用展开分析,着重对不同金属化方法制备的覆铜AlN基板进行可靠性进行研究。通过对比厚膜法、薄膜法、直接覆铜法和活性金属钎焊法金属化AlN基板的剥离强度、热循环、功率循环,分析结果可知,活性金属钎焊法制备的AlN覆铜基板优于其他工艺基板,剥离强度25 MPa,(-40~150)℃热循环达到1500次,能耐1200 A/3.3 kV功率循环测试7万次,满足IGBT模块对陶瓷基板可靠性需求。 展开更多
关键词 IGBT AlN陶瓷基板 金属化 可靠性应用
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