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红外焦平面硅基通孔加工及电极互连技术 被引量:1
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作者 范茂彦 姜胜林 张丽芳 《电子技术应用》 北大核心 2011年第3期86-90,共5页
通过硅通孔技术实现红外焦平面电极垂直互连,提高像元占空比,缩短了互连引线长度,降低了信号延迟。用单晶硅湿法刻蚀方法形成通孔,利用直写技术将耐高温Ag-Pd导体浆料填充通孔,实现红外焦平面阵列底电极与硅基片背面倒装焊凸点互连。
关键词 红外焦平面 硅通孔 倒装焊 垂直互连 直写技术
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Ba_(1-x)Sr_xTiO_3热释电梯度厚膜的制备和介电性能研究
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作者 范茂彦 姜胜林 +2 位作者 谢甜甜 张光祖 张丽芳 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期429-432,共4页
钛酸锶钡(BST)组分梯度多层厚膜具有较好的综合介电性能,包括适中的介电常数、高的介电温度系数、低的介质损耗等,日益成为红外探测器、微波调制器件的重要候选厚膜材料。采用改进的溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备Mn掺... 钛酸锶钡(BST)组分梯度多层厚膜具有较好的综合介电性能,包括适中的介电常数、高的介电温度系数、低的介质损耗等,日益成为红外探测器、微波调制器件的重要候选厚膜材料。采用改进的溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备Mn掺杂6层不同组分梯度BST厚膜,厚约5μm。研究了梯度BST厚膜的微观结构及其介电性能。X-射线衍射(XRD)分析表明,当热处理温度为750℃时,得到完整钙钛矿结构的厚膜材料。扫描电镜(SEM)电镜显示,厚膜表面晶粒大小均匀,排列紧密,致密性好,梯度BST厚膜的介电峰温区覆盖常温,介电常数峰值为920,介电损耗约为1.8×10-2。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶(Sol-Gel)法 MN掺杂 钛酸锶钡(BST)厚膜 组分梯度 介电性能
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