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基于第一性原理的Gd掺杂ZnO电子结构与吸收光谱研究 被引量:1
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作者 李聪 张冰 +1 位作者 孙霄霄 姜宏伟 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第7期1457-1462,共6页
采用密度泛函理论下的平面波赝势方法,建立了未掺杂Zn O和两种Gd掺杂浓度的Zn O模型。结构优化后,对各个模型的电子结构、态密度及吸收光谱进行了计算,其中Gd掺杂模型分别采用电子自旋极化与电子非自旋极化两种处理方式。结果表明:电子... 采用密度泛函理论下的平面波赝势方法,建立了未掺杂Zn O和两种Gd掺杂浓度的Zn O模型。结构优化后,对各个模型的电子结构、态密度及吸收光谱进行了计算,其中Gd掺杂模型分别采用电子自旋极化与电子非自旋极化两种处理方式。结果表明:电子非自旋极化条件下,Gd掺杂在Zn O禁带中引入杂质能级,Zn O带隙变宽,导致相应的吸收光谱发生蓝移;考虑电子自旋极化时,Gd掺杂后的体系具有铁磁性,自旋电子在无序磁畴贡献的局部磁场内发生自旋能级分裂,使得带隙变窄,相应吸收光谱发生红移。 展开更多
关键词 Gd掺杂ZnO 第一性原理 电子自旋 吸收光谱
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