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铂电极的电感耦合等离子体刻蚀工艺研究
1
作者
宋琳
周燕萍
+2 位作者
左超
上村隆一郎
杨秉君
《固体电子学研究与进展》
CAS
2024年第3期264-268,274,共6页
铂(Pt)金属因其特有的优良性能被广泛用作电极材料,干法刻蚀是获得器件图形的关键工艺技术,另外为了避免使用有毒性的Cl_(2),本文采用Ar/BCl_(3)作为刻蚀工艺气体,光刻胶作为刻蚀掩膜,对Pt电极材料做了干法刻蚀工艺的研究,系统地分析了...
铂(Pt)金属因其特有的优良性能被广泛用作电极材料,干法刻蚀是获得器件图形的关键工艺技术,另外为了避免使用有毒性的Cl_(2),本文采用Ar/BCl_(3)作为刻蚀工艺气体,光刻胶作为刻蚀掩膜,对Pt电极材料做了干法刻蚀工艺的研究,系统地分析了电感耦合等离子体源功率、射频偏压功率、气体流量比例、工艺气压以及基板温度对刻蚀速率和刻蚀形貌的影响。得到刻蚀速率为159.7 nm/min,侧壁角度为63°,片内刻蚀速率均匀性(152.4 mm、5个点、边缘去边5 mm)为±1.75%,关键尺寸损失量小于1%的刻蚀结果。
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关键词
电感耦合等离子体(ICP)
铂(Pt)电极
刻蚀速率
刻蚀形貌
均匀性
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职称材料
用于GaN基HEMT栅极金属TiN的ICP刻蚀工艺
2
作者
高阳
周燕萍
+3 位作者
王鹤鸣
左超
上村隆一郎
杨秉君
《微纳电子技术》
CAS
2024年第3期136-143,共8页
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在射频(RF)通信及新能源汽车领域有着巨大的应用潜力。TiN材料因其良好的热稳定性、化学稳定性及工艺兼容性,可用作GaN基HEMT的栅极材料。采用ULVAC公司生产的NE-550型电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备对Ti...
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在射频(RF)通信及新能源汽车领域有着巨大的应用潜力。TiN材料因其良好的热稳定性、化学稳定性及工艺兼容性,可用作GaN基HEMT的栅极材料。采用ULVAC公司生产的NE-550型电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备对TiN材料进行了干法刻蚀工艺的研究。采用光刻胶作为刻蚀掩膜,Cl_(2)和BCl_(3)混合气体作为工艺气体,通过调整工艺参数,研究了ICP源功率、射频(RF)偏压功率、腔体压力、气体体积流量以及载台温度对TiN刻蚀速率和侧壁角度的影响。最后通过优化工艺参数,得到了TiN刻蚀速率为333 nm/min,底部平整且侧壁角度为81°的栅极结构。
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关键词
氮化镓(GaN)
高电子迁移率晶体管(HEMT)
电感耦合等离子体(ICP)刻蚀
TIN
Cl2和BCl3混合气体
栅极结构
新能源汽车
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职称材料
SiC功率器件离子注入和退火设备及工艺验证
被引量：
4
3
作者
李茂林
杨秉君
+3 位作者
清水三郎
横尾秀和
塚越和也
小室健司
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第12期951-956,共6页
针对SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火的技术难题，利用爱发科公司自行设计并开发的高温离子注入设备（ULVAC，IH-860DSIC）、碳膜溅射设备（ULVAC，SME-200）和高温激活退火设备（ULVAC，PFS-6000-25）。通过计算模拟、AFM对...
针对SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火的技术难题，利用爱发科公司自行设计并开发的高温离子注入设备（ULVAC，IH-860DSIC）、碳膜溅射设备（ULVAC，SME-200）和高温激活退火设备（ULVAC，PFS-6000-25）。通过计算模拟、AFM对比结果、Hall电阻测定和RHEED图像分析等表征手段，研究了高温高能多步注入、碳膜覆盖技术和退火温度分别对SiC器件的物理特性、表面特性及电学特性的影响。结果表明，采用500℃A1离子注入浓度为5×10^18cm^-3、20nm厚碳膜溅射技术和1700～2000℃激活退火技术，能够实现具有良好表面特性和电学特性的P型SiC掺杂工艺。设备的稳定性已在多条SiC生产线上用于制造SiC—SBD器件和SiC．MOSFET器件完成工艺验证。
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关键词
SiC功率器件
高温离子注入
高温激活退火
碳膜溅射
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职称材料
题名
铂电极的电感耦合等离子体刻蚀工艺研究
1
作者
宋琳
周燕萍
左超
上村隆一郎
杨秉君
机构
爱
发
科
(
苏州
)
技术
研究
开发
有限公司
爱
发
科
株式会社
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
2024年第3期264-268,274,共6页
文摘
铂(Pt)金属因其特有的优良性能被广泛用作电极材料,干法刻蚀是获得器件图形的关键工艺技术,另外为了避免使用有毒性的Cl_(2),本文采用Ar/BCl_(3)作为刻蚀工艺气体,光刻胶作为刻蚀掩膜,对Pt电极材料做了干法刻蚀工艺的研究,系统地分析了电感耦合等离子体源功率、射频偏压功率、气体流量比例、工艺气压以及基板温度对刻蚀速率和刻蚀形貌的影响。得到刻蚀速率为159.7 nm/min,侧壁角度为63°,片内刻蚀速率均匀性(152.4 mm、5个点、边缘去边5 mm)为±1.75%,关键尺寸损失量小于1%的刻蚀结果。
关键词
电感耦合等离子体(ICP)
铂(Pt)电极
刻蚀速率
刻蚀形貌
均匀性
Keywords
inductively coupled plasma(ICP)
platinum electrode
etch rate
etch profile
uniformity
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
用于GaN基HEMT栅极金属TiN的ICP刻蚀工艺
2
作者
高阳
周燕萍
王鹤鸣
左超
上村隆一郎
杨秉君
机构
爱
发
科
(
苏州
)
技术
研究
开发
有限公司
株式会社アルバック
出处
《微纳电子技术》
CAS
2024年第3期136-143,共8页
文摘
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在射频(RF)通信及新能源汽车领域有着巨大的应用潜力。TiN材料因其良好的热稳定性、化学稳定性及工艺兼容性,可用作GaN基HEMT的栅极材料。采用ULVAC公司生产的NE-550型电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备对TiN材料进行了干法刻蚀工艺的研究。采用光刻胶作为刻蚀掩膜,Cl_(2)和BCl_(3)混合气体作为工艺气体,通过调整工艺参数,研究了ICP源功率、射频(RF)偏压功率、腔体压力、气体体积流量以及载台温度对TiN刻蚀速率和侧壁角度的影响。最后通过优化工艺参数,得到了TiN刻蚀速率为333 nm/min,底部平整且侧壁角度为81°的栅极结构。
关键词
氮化镓(GaN)
高电子迁移率晶体管(HEMT)
电感耦合等离子体(ICP)刻蚀
TIN
Cl2和BCl3混合气体
栅极结构
新能源汽车
Keywords
gallium nitride(GaN)
high electron mobility transistor(HEMT)
inductively coupled plasma(ICP)etching
TiN
Cl2 and BCl3 mixed gas
gate structure
new energy vehicle
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
SiC功率器件离子注入和退火设备及工艺验证
被引量：
4
3
作者
李茂林
杨秉君
清水三郎
横尾秀和
塚越和也
小室健司
机构
爱
发
科
(
苏州
)
技术
研究
开发
有限公司
爱
发
科
株式会社
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第12期951-956,共6页
文摘
针对SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火的技术难题，利用爱发科公司自行设计并开发的高温离子注入设备（ULVAC，IH-860DSIC）、碳膜溅射设备（ULVAC，SME-200）和高温激活退火设备（ULVAC，PFS-6000-25）。通过计算模拟、AFM对比结果、Hall电阻测定和RHEED图像分析等表征手段，研究了高温高能多步注入、碳膜覆盖技术和退火温度分别对SiC器件的物理特性、表面特性及电学特性的影响。结果表明，采用500℃A1离子注入浓度为5×10^18cm^-3、20nm厚碳膜溅射技术和1700～2000℃激活退火技术，能够实现具有良好表面特性和电学特性的P型SiC掺杂工艺。设备的稳定性已在多条SiC生产线上用于制造SiC—SBD器件和SiC．MOSFET器件完成工艺验证。
关键词
SiC功率器件
高温离子注入
高温激活退火
碳膜溅射
Keywords
SiC power device
high-temperature ion implantion
high-temperature activation an-nealing
carbon sputter
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铂电极的电感耦合等离子体刻蚀工艺研究
宋琳
周燕萍
左超
上村隆一郎
杨秉君
《固体电子学研究与进展》
CAS
2024
0
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下载PDF
职称材料
2
用于GaN基HEMT栅极金属TiN的ICP刻蚀工艺
高阳
周燕萍
王鹤鸣
左超
上村隆一郎
杨秉君
《微纳电子技术》
CAS
2024
0
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职称材料
3
SiC功率器件离子注入和退火设备及工艺验证
李茂林
杨秉君
清水三郎
横尾秀和
塚越和也
小室健司
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014
4
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职称材料
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