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LD泵浦Nd∶GdVO_4/GaAs被动调Q激光器研究
被引量：
6
1
作者
杜晨林
阮双琛
+3 位作者
于永芹
秦连杰
邵宗书
孟宪林
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第7期774-776,共3页
报道了采用大功率半导体激光器端面泵浦Nd∶GdVO4 晶体 ,利用GaAs晶片兼作饱和吸收被动调Q元件和输出耦合镜 ,实现了 1.0 6 μm激光的被动调Q运转 在泵浦功率为 13.9W时 ,获得最高平均输出功率为 3.6W ,脉冲宽度为 2 5 2ns ,单脉冲能量...
报道了采用大功率半导体激光器端面泵浦Nd∶GdVO4 晶体 ,利用GaAs晶片兼作饱和吸收被动调Q元件和输出耦合镜 ,实现了 1.0 6 μm激光的被动调Q运转 在泵浦功率为 13.9W时 ,获得最高平均输出功率为 3.6W ,脉冲宽度为 2 5 2ns ,单脉冲能量为 2 7μJ以及峰值功率为 10
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关键词
半导体激光器泵浦
ND:GDVO4晶体
GAAS
被动调Q
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职称材料
题名
LD泵浦Nd∶GdVO_4/GaAs被动调Q激光器研究
被引量：
6
1
作者
杜晨林
阮双琛
于永芹
秦连杰
邵宗书
孟宪林
机构
深圳
大学
工程
技术
学院
烟台大学环境工程与材料学院
山东
大学
晶体
材料
国家重点实验室
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第7期774-776,共3页
文摘
报道了采用大功率半导体激光器端面泵浦Nd∶GdVO4 晶体 ,利用GaAs晶片兼作饱和吸收被动调Q元件和输出耦合镜 ,实现了 1.0 6 μm激光的被动调Q运转 在泵浦功率为 13.9W时 ,获得最高平均输出功率为 3.6W ,脉冲宽度为 2 5 2ns ,单脉冲能量为 2 7μJ以及峰值功率为 10
关键词
半导体激光器泵浦
ND:GDVO4晶体
GAAS
被动调Q
Keywords
Diode-end-pumped
Nd∶GdVO 4
GaAs
Passively Q-switched
分类号
TN24 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
LD泵浦Nd∶GdVO_4/GaAs被动调Q激光器研究
杜晨林
阮双琛
于永芹
秦连杰
邵宗书
孟宪林
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
6
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职称材料
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