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圆片级叠层键合技术在SOI高温压力传感器中的应用
被引量：
4
1
作者
齐虹
丁文波
+3 位作者
张松
张林超
田雷
吴佐飞
《传感器与微系统》
CSCD
2019年第2期154-156,16,共4页
针对绝缘体上硅(SOI)异质异构结构特点,提出了两次对准和两次阳极键合工艺方法,实现了圆片级SOI高温压力传感器硅敏感芯片的叠层键合。采用玻璃—硅—玻璃三层结构的SOI压力芯片具有良好的密封性和键合强度。经测试结果表明:SOI高温压...
针对绝缘体上硅(SOI)异质异构结构特点,提出了两次对准和两次阳极键合工艺方法,实现了圆片级SOI高温压力传感器硅敏感芯片的叠层键合。采用玻璃—硅—玻璃三层结构的SOI压力芯片具有良好的密封性和键合强度。经测试结果表明:SOI高温压力传感器芯片键合界面均匀平整无缺陷,漏率低于5×10^(-9)Pa·m^3/s,键合强度大于3 MPa。对芯片进行无引线封装,在500℃下测试得出传感器总精度小于0. 5%FS。
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关键词
叠层键合
绝缘体上硅
高温压力传感器
异质异构
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职称材料
题名
圆片级叠层键合技术在SOI高温压力传感器中的应用
被引量：
4
1
作者
齐虹
丁文波
张松
张林超
田雷
吴佐飞
机构
中国电子科技集团公司第四十九研究所
火箭军驻哈尔滨地区军事代表室
出处
《传感器与微系统》
CSCD
2019年第2期154-156,16,共4页
文摘
针对绝缘体上硅(SOI)异质异构结构特点,提出了两次对准和两次阳极键合工艺方法,实现了圆片级SOI高温压力传感器硅敏感芯片的叠层键合。采用玻璃—硅—玻璃三层结构的SOI压力芯片具有良好的密封性和键合强度。经测试结果表明:SOI高温压力传感器芯片键合界面均匀平整无缺陷,漏率低于5×10^(-9)Pa·m^3/s,键合强度大于3 MPa。对芯片进行无引线封装,在500℃下测试得出传感器总精度小于0. 5%FS。
关键词
叠层键合
绝缘体上硅
高温压力传感器
异质异构
Keywords
laminated bonding
silicon on insulator ( SOI)
high temperature pressure sensor
heterogeneous structural
分类号
TP212.1 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
圆片级叠层键合技术在SOI高温压力传感器中的应用
齐虹
丁文波
张松
张林超
田雷
吴佐飞
《传感器与微系统》
CSCD
2019
4
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