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温度对碳热还原/氮化法合成氮化硅的影响
被引量：
3
1
作者
万小涵
张广清
+1 位作者
Oleg Ostrovski
Hal Aral
《中国工程科学》
北大核心
2015年第1期62-66,共5页
碳热还原/氮化合成Si3N4在1300～1600℃下N2或N2-H2混合气中进行。反应物由非晶SiO2与C粉以1∶4.5摩尔比混合、压片。产生的CO由红外传感器监测，样品中氧、氮、碳含量由LECO元素分析仪测得，混合物各相由X射线衍射（XRD）检测。SiO2还...
碳热还原/氮化合成Si3N4在1300～1600℃下N2或N2-H2混合气中进行。反应物由非晶SiO2与C粉以1∶4.5摩尔比混合、压片。产生的CO由红外传感器监测，样品中氧、氮、碳含量由LECO元素分析仪测得，混合物各相由X射线衍射（XRD）检测。SiO2还原反应在1300℃以下开始，速率随温度升高增大；温度高于1570℃时，速率因反应物表面被生成物覆盖降低。由于还原产物CO平衡分压差别小，选择生成Si3N4或SiC的临界温度不明显。碳热还原/氮化法合成氮化硅的原理需进一步探讨。
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关键词
碳热还原/氮化法
临界温度
生成物选择性
CO平衡分压
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职称材料
题名
温度对碳热还原/氮化法合成氮化硅的影响
被引量：
3
1
作者
万小涵
张广清
Oleg Ostrovski
Hal Aral
机构
澳大利亚
新南威尔士
大学
材料科学与工程学院
澳大利亚
卧龙岗
大学
机械材料与机电一体化学院
澳大利亚维多利亚大学可持续发展与创新研究院
出处
《中国工程科学》
北大核心
2015年第1期62-66,共5页
文摘
碳热还原/氮化合成Si3N4在1300～1600℃下N2或N2-H2混合气中进行。反应物由非晶SiO2与C粉以1∶4.5摩尔比混合、压片。产生的CO由红外传感器监测，样品中氧、氮、碳含量由LECO元素分析仪测得，混合物各相由X射线衍射（XRD）检测。SiO2还原反应在1300℃以下开始，速率随温度升高增大；温度高于1570℃时，速率因反应物表面被生成物覆盖降低。由于还原产物CO平衡分压差别小，选择生成Si3N4或SiC的临界温度不明显。碳热还原/氮化法合成氮化硅的原理需进一步探讨。
关键词
碳热还原/氮化法
临界温度
生成物选择性
CO平衡分压
Keywords
carbothermal reduction and nitridation
boundary temperature
selectivity of products
equilibrium CO partial pressure
分类号
O613 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
温度对碳热还原/氮化法合成氮化硅的影响
万小涵
张广清
Oleg Ostrovski
Hal Aral
《中国工程科学》
北大核心
2015
3
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