脉冲激光诱导液-固界面反应制备立方相C_3N_4纳米晶 被引量：9

1

作者 王金斌 刘秋香 杨国伟 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第11期1719-1720,共2页

β－Ｃ３Ｎ４是由Ｌｉｕ和Ｃｏｈｅｎ等［１～３］从第一性原理出发计算而预言的一种新型超硬材料，据Ｌｉｕ等提出的经验公式计算认为，β－Ｃ３Ｎ４的硬度为４２７ＧＰａ，具有接近金刚石的体模量（理论值为４３５ＧＰａ，实验值为４... β－Ｃ３Ｎ４是由Ｌｉｕ和Ｃｏｈｅｎ等［１～３］从第一性原理出发计算而预言的一种新型超硬材料，据Ｌｉｕ等提出的经验公式计算认为，β－Ｃ３Ｎ４的硬度为４２７ＧＰａ，具有接近金刚石的体模量（理论值为４３５ＧＰａ，实验值为４４３ＧＰａ）．Ｌｉｕ采用可变晶格模... 展开更多

关键词 C3N4 立方相 激光诱导 纳米晶 制备 氮化碳

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Ce^(3+)对Er^(3+)的上转换荧光淬灭 被引量：7

2

作者 肖思国 阳效良 +1 位作者 刘政威 颜晓红 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期40-41,共2页

提要:本文研究了Ce3+离子对Er3+离子的上转换荧光淬灭规律,随着Ce3+离子浓度增加,Er3+离子各波段的上转换荧光强度迅速下降,并且发现红色荧光带的淬灭要快于绿色荧光带。具体分析了Er3+离子的上转换荧光的产生机制,通过分析Ce3+对Er3+... 提要:本文研究了Ce3+离子对Er3+离子的上转换荧光淬灭规律,随着Ce3+离子浓度增加,Er3+离子各波段的上转换荧光强度迅速下降,并且发现红色荧光带的淬灭要快于绿色荧光带。具体分析了Er3+离子的上转换荧光的产生机制,通过分析Ce3+对Er3+离子淬灭机理,进一步讨论了Er3+离子的上转换机制。 展开更多

关键词 上转换 荧光淬灭 Er^3+离子 Ce^3+离子

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量子相干与量子消相干 被引量：8

3

作者 唐志祥 张登玉 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期35-38,共4页

对经典相干和量子相干进行了探讨 ,介绍量子相干在量子计算和量子信息中的应用。分析几种引起量子消相干的可能原因 ,并利用Kraus算子和密度矩阵对一种量子消相干模型进行详细地研究。

关键词 量子相干 量子消相干 Kraus算子 密度矩阵 量子纠缠 量子力学

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消除伴随Stark位移效应的简并双光子J-C模型的消相干性 被引量：2

4

作者 唐志祥 陈秋成 张登玉 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期819-823,共5页

针对存在Stark位移的Jaynes-Cummings模型,利用求解相互作用系统约化密度矩阵元的方法,研究热库中的二能级原子简并双光子过程的消相干特性。当外加驱动场消除消相干时,得到驱动场所必须满足的约束方程。

关键词 量子光学 JAYNES-CUMMINGS模型 STARK位移 约化密度矩阵 消相干

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无耗散介观电感耦合电路中电压和电流的量子涨落 被引量：2

5

作者 李光辉 颜晓红 +1 位作者 许迈昌 陈世清 《湘潭大学自然科学学报》 CAS CSCD 2001年第4期51-55,共5页

从经典运动方程出发 ,对无耗散介观电感耦合电路体系进行了量子化处理 ,并研究了体系处在任一本征态时电流、电压的量子涨落 ,结果表明 :每个回路中电流、电压的量子涨落不仅与体系所处状态、该回路的元件有关 ,而且与体系中另一个回路... 从经典运动方程出发 ,对无耗散介观电感耦合电路体系进行了量子化处理 ,并研究了体系处在任一本征态时电流、电压的量子涨落 ,结果表明 :每个回路中电流、电压的量子涨落不仅与体系所处状态、该回路的元件有关 ,而且与体系中另一个回路的元件。 展开更多

关键词 介观电路 量子化 量子涨落 耦合电路

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囚禁粒子在热库型驻波场中的量子相干特性 被引量：1

6

作者 张登玉 唐志祥 高峰 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期710-714,共5页

研究囚禁粒子与热库型(热辐射)驻波场的相互作用,通过外加驱动场,分析置于热库型驻波场中的囚禁粒子约化密度算符非对角元的时间演化,得到囚禁粒子在热库型驻波场中的相干特性。当外加驱动场的时间演化满足一定条件时,可保持囚禁粒子的... 研究囚禁粒子与热库型(热辐射)驻波场的相互作用,通过外加驱动场,分析置于热库型驻波场中的囚禁粒子约化密度算符非对角元的时间演化,得到囚禁粒子在热库型驻波场中的相干特性。当外加驱动场的时间演化满足一定条件时,可保持囚禁粒子的相干性。 展开更多

关键词 囚禁粒子 热辐射场 驻波场 相干性

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材料断裂表面分维计算的Slit Island Analysis研究 被引量：3

7

作者 杨国伟 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期5-6,共2页

讨论了用于计算材料断裂表面分维的Slit island analysis方法,指出其在实际应用中的优点与不足,提出了M-M方法。

关键词 材料 断裂表面 分维 计算

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周期结构与非周期结构像模拟计算中相光栅准备的实空间算法

8

作者 刘秋香 杨奇斌 王元明 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期81-85,共5页

利用数学上一积分公式推导出了一个求晶体电势分布函数U(r→)的解析表达式 :U(r→) =(1 VC) ∑Nn =1 ∑5j=1anj(4π (bnj+Bn) ) 3 2 exp(- 4π2 (r→n -r→) 2 (bnj +Bn) )。将它运用到实空间多层法像模拟中计算相光栅 ,可大大缩短相... 利用数学上一积分公式推导出了一个求晶体电势分布函数U(r→)的解析表达式 :U(r→) =(1 VC) ∑Nn =1 ∑5j=1anj(4π (bnj+Bn) ) 3 2 exp(- 4π2 (r→n -r→) 2 (bnj +Bn) )。将它运用到实空间多层法像模拟中计算相光栅 ,可大大缩短相光栅的计算时间。文中先介绍了解析表达式的推导过程 ,然后以Mg4 4Rh7和C6 0 为例详细说明了相光栅的计算过程 。 展开更多

关键词 高分辨像模拟 相光栅准备 实空间 周期结构 非周期结构 计算 晶体

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哥德巴赫猜想的概率分析(英文)

9

作者 杨奇斌 《湘潭大学自然科学学报》 CAS CSCD 2001年第2期134-135,共2页

根据素数定理提出了关于素数分布概率的公理化结构 ,并在此基础上推导了表一个充分大偶数为两个奇素数之和表法数的数学期望公式 .公式计算结果与整数数值计算结果符合很好 .根据Poission公式 ,设N =4× 10 11,在N至∞的区间内发现... 根据素数定理提出了关于素数分布概率的公理化结构 ,并在此基础上推导了表一个充分大偶数为两个奇素数之和表法数的数学期望公式 .公式计算结果与整数数值计算结果符合很好 .根据Poission公式 ,设N =4× 10 11,在N至∞的区间内发现违反哥德巴赫猜想的可能性只有 10 -178,719,311.而数值计算已证明从 6至 4× 10 11的偶数都可表示成两个奇素数之和 ,故在整个整数集合中发现违反哥德巴赫猜想的可能性是 10 -178,719,311. 展开更多

关键词 数论 概率分析 哥德巴赫猜想 素数定理 素数分布 公理化结构 Poission公式

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Fe^(3+)、Ce^(3+)共掺杂γ-LiAlO_2的发光性质(英文) 被引量：2

10

作者 强人峰 肖思国 +2 位作者 阳效良 丁建文 朱楚桥 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期7-11,共5页

采用不同于传统固相反应法的制备方法合成了Fe,Ce共掺杂γ-LiAlO2。通过XRD和SEM分析表明,采用这种方法能够成功获得尺寸小于10μm的四方相结构γ-LiAlO2荧光粉。从γ-LiAlO2:Fe,Ce的激发和发射光谱可以看出,通过引入少量的铈离子,我们... 采用不同于传统固相反应法的制备方法合成了Fe,Ce共掺杂γ-LiAlO2。通过XRD和SEM分析表明,采用这种方法能够成功获得尺寸小于10μm的四方相结构γ-LiAlO2荧光粉。从γ-LiAlO2:Fe,Ce的激发和发射光谱可以看出,通过引入少量的铈离子,我们首先发现了铈离子掺杂对样品的发光效率有明显的影响。并且随着铈离子浓度的增加,其发光效率也出现规律性的变化,而且发射光谱在Ce离子摩尔分数达到1.5%的情况下发光效率最强,当Ce离子摩尔分数达到3%时,发光效率明显下降。这种高效的荧光粉作为转光剂应用于人工植物照明和农用转光膜具有积极的意义。 展开更多

关键词 荧光体 发光 效率 共掺杂

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纳米ZnO的制备及Raman光谱分析 被引量：1

11

作者 双丹 王金斌 黄贵军 《湘潭大学自然科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期41-43,82,共4页

研究利用Raman光谱详细表征了液相法制备的纳米ZnO粉末的晶格振动情况,研究了退火温度等实验制备参数对纳米ZnO的结晶情况的影响.分析表明,退火温度对制备纳米ZnO粉末非常重要,当退火温度为550℃时可以制备高纯度、结晶情况良好的纳米Zn... 研究利用Raman光谱详细表征了液相法制备的纳米ZnO粉末的晶格振动情况,研究了退火温度等实验制备参数对纳米ZnO的结晶情况的影响.分析表明,退火温度对制备纳米ZnO粉末非常重要,当退火温度为550℃时可以制备高纯度、结晶情况良好的纳米ZnO粉末. 展开更多

关键词 纳米ZNO Rmmm 退火温度

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CuMgO界面结构的高分辨电子显微镜研究

12

作者 刘红荣 蔡灿英 +1 位作者 杨奇斌 王岩国 《湘潭大学自然科学学报》 CAS CSCD 2002年第4期26-28,36,共4页

利用高分辨透射电子显微镜对内部氧化Cu Mg合金产生的Cu MgO界面进行了研究 ,观察到了一种新的取向关系 ,这种取向关系不同于通常观察到的两晶胞取向完全一致的简单关系 .而且对界面的结构和位错进行了研究 。

关键词 Cu/MgO 界面 高分辨电子显微镜 金属/氧化物 位错 原子结构 铜 氧化镁 晶格常数

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相界面的Moiré条纹研究

13

作者 刘红荣 杨奇斌 《湘潭大学自然科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期53-56,共4页

运用高分辨透射电子显微镜对取向关系分别为45°[100]和66°[011]的MgO/Cu界面结构进行了研究,界面附近由于MgO与Cu相互重叠而出现Moiré条纹,两种不同取向关系所对应的Moiré条纹分别为平行和旋转条纹,对两种Moiré... 运用高分辨透射电子显微镜对取向关系分别为45°[100]和66°[011]的MgO/Cu界面结构进行了研究,界面附近由于MgO与Cu相互重叠而出现Moiré条纹,两种不同取向关系所对应的Moiré条纹分别为平行和旋转条纹,对两种Moiré条纹的取向及间距进行了分析,理论分析与实验结果符合得很好. 展开更多

关键词 Moiré条纹 MgO/Cu 界面

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