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微波烧结、真空压力浸渗制备SiCp/Al电子封装材料
被引量：
3
1
作者
胡盛青
万绍平
+2 位作者
刘韵妍
舒阳会
谭春林
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期78-82,共5页
选用W10与W63两种SiC粉末,采用高、低温粘结剂配合,模压成型,750℃微波烧结,制备出体积分数为70.28%的SiC预制件,真空压力浸渗6063Al合金熔液,得到SiCp/Al复合材料.结果表明:复合材料XRD图谱中未出现明显的Al4C3界面相和SiO2杂相;致密度...
选用W10与W63两种SiC粉末,采用高、低温粘结剂配合,模压成型,750℃微波烧结,制备出体积分数为70.28%的SiC预制件,真空压力浸渗6063Al合金熔液,得到SiCp/Al复合材料.结果表明:复合材料XRD图谱中未出现明显的Al4C3界面相和SiO2杂相;致密度高;100℃时的热膨胀系数为7.239×10-6K-1;常温下热导率为160.42/W(m.K)-1;4mm×3mm×30mm规格样品的最大弯曲载荷为282N,弯曲位移为0.29mm左右;综合性能优良,是优异的电子封装材料.
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关键词
微波烧结
真空压力浸渗
SICP/AL
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职称材料
题名
微波烧结、真空压力浸渗制备SiCp/Al电子封装材料
被引量：
3
1
作者
胡盛青
万绍平
刘韵妍
舒阳会
谭春林
机构
湖南航天高新材料与装备技术研发中心
湖南
航天
诚远精密机械有限公司
出处
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期78-82,共5页
基金
湖南省长沙市科技计划重点项目(K1003264-11)
文摘
选用W10与W63两种SiC粉末,采用高、低温粘结剂配合,模压成型,750℃微波烧结,制备出体积分数为70.28%的SiC预制件,真空压力浸渗6063Al合金熔液,得到SiCp/Al复合材料.结果表明:复合材料XRD图谱中未出现明显的Al4C3界面相和SiO2杂相;致密度高;100℃时的热膨胀系数为7.239×10-6K-1;常温下热导率为160.42/W(m.K)-1;4mm×3mm×30mm规格样品的最大弯曲载荷为282N,弯曲位移为0.29mm左右;综合性能优良,是优异的电子封装材料.
关键词
微波烧结
真空压力浸渗
SICP/AL
Keywords
Microwave Sintering
Vacuum Pressure Infiltration
SiCp/Al
分类号
TB331 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
微波烧结、真空压力浸渗制备SiCp/Al电子封装材料
胡盛青
万绍平
刘韵妍
舒阳会
谭春林
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
3
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职称材料
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