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太阳能用晶体硅铸锭制备技术被引量：2: 1; 作者周大良明亮 +3 位作者黄美玲邱昊段金刚陈国红《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第A01期41-46,共6页; 在过去20年中,光伏市场以惊人的速度增长,光伏发电逐步成为世界能源发电的主要来源之一。2016年全球新增装机量超过75GW,较2015年增长34%,其中,又以晶体硅太阳能电池为主,占整个光伏市场的90%以上,而多晶硅又占据了整个晶体硅太阳能电池... 展开更多; 关键词晶体硅铸锭制备技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

反应离子刻蚀法(RIE)制备的高效黑硅太阳能电池被引量：3: 2; 作者刘文峰赵增超 +2 位作者周子游黄海龙蔡先武《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第6期880-885,共6页; 为强化硅片表面陷光能力,采用反应离子刻蚀法(RIE)制备具有纳米绒面的单晶和多晶黑硅太阳电池。采用RIE处理后,单晶硅片反射率从14.08%降低到5.78%,多晶硅片反射率从23.42%降低到8.90%,但低的反射率引起了较大的表面载流子复合。本研究... 展开更多; 关键词黑硅太阳电池反射率金刚线切多晶硅片; 在线阅读下载PDF 职称材料

管式PECVD制备原位掺杂多晶硅的性能研究: 3; 作者黄嘉斌赵增超 +3 位作者李明陈俊邓新新周小荣《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期334-340,共7页; 报道了管式等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的各项沉积参数对硅太阳电池重掺杂多晶硅钝化接触(SiO_(x)/Poly-Si(n^(+)))的影响。TOPCon太阳电池的掺杂多晶硅是通过对沉积的非晶硅高温晶化来实现的,通过改变PECVD的沉积温度、Ar和PH_(3... 展开更多; 关键词硅基太阳电池钝化多晶硅掺杂等离子增强化学气相沉积; 在线阅读下载PDF 职称材料

硅铸锭中的晶粒生长和位错分布研究被引量：3: 4; 作者明亮黄美玲 +3 位作者段金刚刘文峰周浪黄少文《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期109-114,共6页; 在晶体硅定向凝固过程中,以单晶硅块籽晶和多晶颗粒籽晶为研究对象,研究籽晶晶面、籽晶尺寸及籽晶间铺设方式对晶粒生长及其位错分布的影响。研究结果表明,在单晶硅块籽晶相邻接拼时,其籽晶接拼处容易产生位错聚集,其中相同晶面籽晶间... 展开更多; 关键词晶粒生长位错晶体结构籽晶晶面; 在线阅读下载PDF 职称材料

铸造单晶硅性能和应用分析被引量：1: 5; 作者明亮黄美玲 +3 位作者段金刚王锋黄少文周浪《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期335-340,共6页; 以G6型多晶硅定向凝固铸锭炉生长的铸造单晶硅为研究对象,对其性能特点及应用进行分析。铸造单晶硅中含有位错、亚晶粒、多晶晶粒、间隙态元素和硬质点等缺陷。在铸造单晶硅制备过程中,因长晶界面不平及杂质存在的原因,硅锭生长时存在... 展开更多; 关键词晶体生长位错电池效率铸造单晶硅性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

多晶硅锭中硬质点分析及控制研究被引量：1: 6; 作者明亮周浪 +3 位作者黄美玲段金刚邱昊陈国红《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期30-35,共6页; 以多晶硅锭中硬质点为研究对象,通过实验研究和数值模拟的方法,对多晶硅锭中硬质点进行形貌和成分分析,并提出改善控制方法。研究结果表明硅锭中部的硬质点较细小,主要由SiC组成;硅锭头部的硬质点较粗大,主要由SiC和Si3N4组成,还有少量... 展开更多; 关键词多晶硅晶体生长计算机模拟热场结构硬质点; 在线阅读下载PDF 职称材料

双氧水在铜纳米粒子催化刻蚀n型单晶硅中的影响研究被引量：1: 7; 作者洪世豪郑达敏 +3 位作者马亮李绍元陈秀华马文会《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期257-264,共8页; 目的在反应速率温和的前提下,在n型单晶硅片表面制备低反射率的纳米倒金字塔绒面,研究H_(2)O_(2)浓度对铜纳米颗粒的沉积及刻蚀行为的影响。方法利用铜纳米粒子催化刻蚀方法对金刚线切割n型单晶硅进行表面织构化处理,利用扫描电子显微... 展开更多; 关键词铜纳米颗粒刻蚀速率反射率倒金字塔铜催化化学刻蚀; 在线阅读下载PDF 职称材料

带孔板超声波喷丸成形研究: 8; 作者成秋云张弥涛 +1 位作者吴德轶李明《制造技术与机床》北大核心 2016年第6期130-134,共5页; 为探索超声波喷丸成形技术对带孔板铝合金的单曲率喷丸成形效果,通过对喷丸成形后带孔板的成形曲率半径和成形缺陷进行研究,分析了带孔板的喷丸成形特点;构建了带孔板喷丸成形质量评估体系;探讨了喷丸工艺参数对带孔板喷丸成形质量的影... 展开更多; 关键词喷丸参数残余应力曲率半径孔边距喷丸区域宽度电流强度; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名太阳能用晶体硅铸锭制备技术被引量：2: 1; 作者周大良明亮黄美玲邱昊段金刚陈国红; 机构湖南红太阳光电科技有限公司南昌大学材料科学与工程学院; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第A01期41-46,共6页; 基金国家国际科技合作专项项目(2015DFR60180); 文摘在过去20年中,光伏市场以惊人的速度增长,光伏发电逐步成为世界能源发电的主要来源之一。2016年全球新增装机量超过75GW,较2015年增长34%,其中,又以晶体硅太阳能电池为主,占整个光伏市场的90%以上,而多晶硅又占据了整个晶体硅太阳能电池的70%以上。相比于直拉单晶硅,定向凝固铸造法生产的晶体硅材料具有更好的性价比,但含有较多的杂质、位错等晶体缺陷。更高品质、更低成本的太阳能电池始终是业界追寻的目标。本文以传统铸造法生长多晶硅技术为基础,介绍了目前几种主流的晶体硅铸造工艺方法,包括全熔工艺制备多晶硅锭,半熔工艺生长高效多晶硅锭,以及铸造法制备大尺寸单晶硅锭。另外,本文还从硅锭外观和性能等方面阐述了铸造法晶体硅的发展方向。文中数据部分为笔者进行的实验论证,部分为其他文献的研究成果,希望能为现阶段太阳能晶体硅的生产和研究工作提供参考。; 关键词晶体硅铸锭制备技术; Keywords crystalline silicon ingot casting preparation technology; 分类号 TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名反应离子刻蚀法(RIE)制备的高效黑硅太阳能电池被引量：3: 2; 作者刘文峰赵增超周子游黄海龙蔡先武; 机构湖南红太阳光电科技有限公司; 出处《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第6期880-885,共6页; 基金湖南省创新创业技术投资资助项目(2017GK5002)。; 文摘为强化硅片表面陷光能力,采用反应离子刻蚀法(RIE)制备具有纳米绒面的单晶和多晶黑硅太阳电池。采用RIE处理后,单晶硅片反射率从14.08%降低到5.78%,多晶硅片反射率从23.42%降低到8.90%,但低的反射率引起了较大的表面载流子复合。本研究通过表面结构修饰和热氧化钝化的方式大幅提升了少子寿命,单晶黑硅电池平均转换效率达到20.38%,多晶黑硅电池平均转换效率达到19.25%。由于金刚线切硅片无法沿用传统的酸制绒,采用RIE处理及工艺优化后,电池转换效率达到19.22%,对行业推广低成本的金刚线切硅片有重大意义。; 关键词黑硅太阳电池反射率金刚线切多晶硅片; Keywords Black silicon Solar cell Reflectivity DW-sawn mc-Si wafers; 分类号 TM914.41 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名管式PECVD制备原位掺杂多晶硅的性能研究: 3; 作者黄嘉斌赵增超李明陈俊邓新新周小荣; 机构湖南红太阳光电科技有限公司; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期334-340,共7页; 文摘报道了管式等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的各项沉积参数对硅太阳电池重掺杂多晶硅钝化接触(SiO_(x)/Poly-Si(n^(+)))的影响。TOPCon太阳电池的掺杂多晶硅是通过对沉积的非晶硅高温晶化来实现的,通过改变PECVD的沉积温度、Ar和PH_(3)的流量、沉积功率等沉积参数,可获得不同厚度、结晶度和掺杂浓度的掺杂非晶硅(a-Si(n^(+)))薄膜,然后通过高温退火得到不同的Poly-Si(n^(+))薄膜,从而导致SiO_(x)/Poly-Si(n^(+))钝化接触在钝化质量和载流子选择性等方面的不同特性。最后在沉积温度480℃、Ar流量8 L/min、PH_(3)流量0.8 L/min、沉积功率12000 W、退火温度920℃的条件下获得最佳双面SiO_(x)/Poly-Si(n^(+))/SiN_(x)钝化接触,少子寿命达到6445μs,隐含开路电压(iV_(oc))达到742.7 mV以上,单面饱和电流密度J_(0)低至4.2 fA/cm^(2)。; 关键词硅基太阳电池钝化多晶硅掺杂等离子增强化学气相沉积; Keywords silicon solar cells passivation polycrystalline silicon doping plasma enhanced chemical vapor deposition; 分类号 TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅铸锭中的晶粒生长和位错分布研究被引量：3: 4; 作者明亮黄美玲段金刚刘文峰周浪黄少文; 机构南昌大学光伏研究院湖南红太阳光电科技有限公司; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期109-114,共6页; 基金湖南省创新创业技术投资项目(2017GK5002)。; 文摘在晶体硅定向凝固过程中,以单晶硅块籽晶和多晶颗粒籽晶为研究对象,研究籽晶晶面、籽晶尺寸及籽晶间铺设方式对晶粒生长及其位错分布的影响。研究结果表明,在单晶硅块籽晶相邻接拼时,其籽晶接拼处容易产生位错聚集,其中相同晶面籽晶间接拼处位错产生的概率较不同晶面籽晶接拼处大。在只有单晶块籽晶竞争时,(110)晶面横向生长速度快,能侵占(100)晶面晶粒的生长空间。当单晶硅块籽晶和多晶颗粒籽晶相邻接拼时,单晶晶粒的生长空间逐渐被多晶晶粒吞并,其中单晶(110)晶面抗多晶侵占的能力和抗位错能力比(100)晶面强;同时,单晶硅块籽晶尺寸越小,铸锭晶粒相对更均匀,晶体中的位错水平越低。; 关键词晶粒生长位错晶体结构籽晶晶面; Keywords grain growth dislocation crystal structure seed crystal plane; 分类号 TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名铸造单晶硅性能和应用分析被引量：1: 5; 作者明亮黄美玲段金刚王锋黄少文周浪; 机构南昌大学光伏研究院湖南红太阳光电科技有限公司山西中电科新能源技术有限公司; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期335-340,共6页; 基金水电硅材料产业发展关键技术研究及应用(20192E007)。; 文摘以G6型多晶硅定向凝固铸锭炉生长的铸造单晶硅为研究对象,对其性能特点及应用进行分析。铸造单晶硅中含有位错、亚晶粒、多晶晶粒、间隙态元素和硬质点等缺陷。在铸造单晶硅制备过程中,因长晶界面不平及杂质存在的原因,硅锭生长时存在较大的应力,致使硅原子排列出现错排,从而导致位错、亚晶粒和多晶晶粒的产生,其中多晶晶粒的晶向主要有(331)等;在硅锭的中上部易产生位错,并随着晶体生长大量增殖。铸造单晶硅中的间隙态元素Fe和O的分布规律和铸造多晶硅相似;硬质点的主要成分是氮化硅和碳化硅。缺陷密度较低的铸造单晶片制作成钝化发射极背面接触(PERC)太阳电池,其光电转换效率达21.7%,较直拉单晶硅PERC太阳电池低0.4%。; 关键词晶体生长位错电池效率铸造单晶硅性能; Keywords grain growth dislocation cell efficiency casting monocrystalline silicon performance; 分类号 TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多晶硅锭中硬质点分析及控制研究被引量：1: 6; 作者明亮周浪黄美玲段金刚邱昊陈国红; 机构南昌大学材料科学与工程学院湖南红太阳光电科技有限公司; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期30-35,共6页; 基金湖南省创新创业技术投资项目(2017GK5002)。; 文摘以多晶硅锭中硬质点为研究对象,通过实验研究和数值模拟的方法,对多晶硅锭中硬质点进行形貌和成分分析,并提出改善控制方法。研究结果表明硅锭中部的硬质点较细小,主要由SiC组成;硅锭头部的硬质点较粗大,主要由SiC和Si3N4组成,还有少量O的存在。进一步研究发现多晶硅定向凝固铸锭炉的热场结构对于多晶硅锭硬质点形成有直接影响,通过改进热场结构,优化晶体生长界面,显著减少了铸锭中硬质点的数量。; 关键词多晶硅晶体生长计算机模拟热场结构硬质点; Keywords poly-Si crystal growth computer simulation thermal structure hard spots; 分类号 TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双氧水在铜纳米粒子催化刻蚀n型单晶硅中的影响研究被引量：1: 7; 作者洪世豪郑达敏马亮李绍元陈秀华马文会; 机构昆明理工大学冶金与能源工程学院湖南红太阳光电科技有限公司云南大学材料与能源学院; 出处《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期257-264,共8页; 基金国家自然科学基金(51974143,51904134) 云南省科技重大专项(2019ZE007) 云南省重点研发计划(202103AA080004,202102AB080016)。; 文摘目的在反应速率温和的前提下,在n型单晶硅片表面制备低反射率的纳米倒金字塔绒面,研究H_(2)O_(2)浓度对铜纳米颗粒的沉积及刻蚀行为的影响。方法利用铜纳米粒子催化刻蚀方法对金刚线切割n型单晶硅进行表面织构化处理,利用扫描电子显微镜观察制绒后硅片表面微观形貌,利用紫外-可见分光光度计测试并计算硅片表面反射率,并分析铜催化刻蚀形貌和刻蚀速率随温度、H_(2)O_(2)浓度的变化情况,讨论铜催化刻蚀过程中倒金字塔的形成机理以及H_(2)O_(2)浓度对硅片表面刻蚀形貌的影响规律。结果双氧水浓度通过控制铜纳米颗粒在硅片表面的沉积-氧化平衡,来影响铜颗粒的沉积状态,并最终影响刻蚀过程。随着H_(2)O_(2)浓度的提高,刻蚀速率先升高、后降低,最后趋于平稳。同时,刻蚀过程将产生四个阶段的结构演化。结论H_(2)O_(2)在铜催化化学刻蚀过程中起着重要作用,调节H_(2)O_(2)浓度可控制铜纳米颗粒的沉积-氧化平衡,进而在硅片表面形成形貌均匀且反射率低的倒金字塔结构。40℃下,H_(2)O_(2)浓度为1.6 mol/L时,可在金刚线切割n型单晶硅片上成功制备出均匀的倒金字塔结构,表面反射率降低至6.4%,且反应速率温和(0.23μm/min),硅片减薄量低(3.5μm)。; 关键词铜纳米颗粒刻蚀速率反射率倒金字塔铜催化化学刻蚀; Keywords copper nanoparticle etching rate reflectivity inverted pyramid copper-catalyzed chemical etching; 分类号 TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名带孔板超声波喷丸成形研究: 8; 作者成秋云张弥涛吴德轶李明; 机构中国电子科技集团第四十八研究所湖南红太阳光电科技有限公司; 出处《制造技术与机床》北大核心 2016年第6期130-134,共5页; 文摘为探索超声波喷丸成形技术对带孔板铝合金的单曲率喷丸成形效果,通过对喷丸成形后带孔板的成形曲率半径和成形缺陷进行研究,分析了带孔板的喷丸成形特点;构建了带孔板喷丸成形质量评估体系;探讨了喷丸工艺参数对带孔板喷丸成形质量的影响。结果表明：孔的存在使带孔板孔周围残余压应力得到一定程度的释放,导致孔区域曲率半径变大;采用（5%~10%）D的喷丸孔边距可以有效避免孔边缘轮廓的变形,大于1.5 A的电流强度可以显著的提高喷丸成形能力,3 mm撞针喷丸轨迹间距为1.5~2.4 mm时带孔板的喷丸成形效果最佳。; 关键词喷丸参数残余应力曲率半径孔边距喷丸区域宽度电流强度; Keywords peen parameter residual stress curvature radius hole edge distance shot- peening area width current strength; 分类号 TH142.2 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	太阳能用晶体硅铸锭制备技术	周大良明亮黄美玲邱昊段金刚陈国红	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2018	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	反应离子刻蚀法(RIE)制备的高效黑硅太阳能电池	刘文峰赵增超周子游黄海龙蔡先武	《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心	2020	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	管式PECVD制备原位掺杂多晶硅的性能研究	黄嘉斌赵增超李明陈俊邓新新周小荣	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	硅铸锭中的晶粒生长和位错分布研究	明亮黄美玲段金刚刘文峰周浪黄少文	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2021	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	铸造单晶硅性能和应用分析	明亮黄美玲段金刚王锋黄少文周浪	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2022	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	多晶硅锭中硬质点分析及控制研究	明亮周浪黄美玲段金刚邱昊陈国红	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2021	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	双氧水在铜纳米粒子催化刻蚀n型单晶硅中的影响研究	洪世豪郑达敏马亮李绍元陈秀华马文会	《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2022	1	在线阅读下载PDF 职称材料
8	带孔板超声波喷丸成形研究	成秋云张弥涛吴德轶李明	《制造技术与机床》北大核心	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料