期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
SOI基栅控横向PIN蓝紫光探测器温度特性研究 被引量:1
1
作者 谢海情 贾新亮 +4 位作者 黄茂飞 李洁颖 彭永达 王超 王龙 《压电与声光》 CAS 北大核心 2019年第1期76-79,共4页
通过模型构建、数值计算和软件模拟,对绝缘衬底上的硅(SOI)基栅控横向P-I-N(通用结构)蓝紫光探测器在-25~75℃的电流-电压(I-V)特性进行研究。构建温度对栅极电压影响的解析模型,通过数值计算与软件模拟,验证模型的有效性。利用SILVAC... 通过模型构建、数值计算和软件模拟,对绝缘衬底上的硅(SOI)基栅控横向P-I-N(通用结构)蓝紫光探测器在-25~75℃的电流-电压(I-V)特性进行研究。构建温度对栅极电压影响的解析模型,通过数值计算与软件模拟,验证模型的有效性。利用SILVACO软件中的ATLAS模块对不同温度下的沟道表面电子浓度、光电流、暗电流、信噪比(SNR)等特性进行模拟仿真。结果表明,沟道表面电子浓度和暗电流随温度的升高而增大,温度对光电流的影响不明显,信噪比随温度的升高而减小,在温度T=-25℃,栅极电压为1.44V时,SNR达到最大值6.11×10~5;在T=75℃,栅极电压为2V时,SNR达到最小值为1.064×10~3。 展开更多
关键词 温度特性 信噪比 栅极电压 光探测器
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部