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双面抛光对石英掩模基板表面形貌的影响
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作者 张诚 秦瑞 白吉浩 《金刚石与磨料磨具工程》 北大核心 2025年第4期526-533,共8页
随着集成电路关键尺寸的缩小,晶体管密度和芯片性能持续提升。同时,随着集成电路工艺制程的不断演进,掩模基板的平坦化加工要求也日益严苛。为揭示双面化学机械抛光对石英掩模基板的抛光去除机理,利用CeO_(2)磨料自制抛光液,对6025石英... 随着集成电路关键尺寸的缩小,晶体管密度和芯片性能持续提升。同时,随着集成电路工艺制程的不断演进,掩模基板的平坦化加工要求也日益严苛。为揭示双面化学机械抛光对石英掩模基板的抛光去除机理,利用CeO_(2)磨料自制抛光液,对6025石英玻璃进行双面抛光加工,考察抛光粉粒径、抛光液浓度、抛光压力、齿圈与太阳轮转速组合对石英掩模基板材料去除率、表面形貌、平面度以及表面粗糙度的影响。结果表明,使用粒径为0.823μm的CeO_(2)抛光粉抛光后,石英玻璃表面粗糙度比使用粒径为1.231μm的CeO_(2)抛光粉降低40%;随着抛光液浓度的增大,正面平面度呈现先下降后上升的趋势,当质量分数达到14%时结果最优,而材料去除率持续增大;在0.26~0.43 MPa的压力范围内,材料去除率与压力呈线性关系,然而如果压力进一步增大,材料去除率反而减小。使用等效粒径D_(50)为0.823μm的抛光粉,配制成14%浓度的CeO_(2)抛光液,在0.43 MPa的抛光压力下,选取齿圈与太阳轮转速分别为6.54和3.08 r/min,抛光后6025石英玻璃的表面光滑(平面度为0.573μm,表面粗糙度Ra最低为0.96 nm),几乎没有划痕、中位裂纹等表面损伤,平面度和表面质量最佳。 展开更多
关键词 二氧化铈 双面抛光 掩模基板 表面形貌
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匀胶铬板针孔的成因分析与管控研究 被引量:2
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作者 李伟 余志明 +1 位作者 魏秋平 夏鑫 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2021年第2期134-137,共4页
采用直流磁控溅射镀膜法在石英玻璃衬底制备铬膜,利用SEM和EDS对铬膜层的针孔及周围分别进行了形貌和元素表征,研究了膜层针孔缺陷的成因及管控方法。结果表明,在匀胶铬板生产过程中,不稳定的基片表面会吸附环境中的粉尘颗粒、细菌等杂... 采用直流磁控溅射镀膜法在石英玻璃衬底制备铬膜,利用SEM和EDS对铬膜层的针孔及周围分别进行了形貌和元素表征,研究了膜层针孔缺陷的成因及管控方法。结果表明,在匀胶铬板生产过程中,不稳定的基片表面会吸附环境中的粉尘颗粒、细菌等杂质,阻挡铬膜的沉积,在杂质去除后形成针孔。采取了以下管控措施:镀膜前采用浓度3%H_(2)O_(2)对清洗机泡槽4 h;严格遵守操作规范;加强镀膜机的卫生处理。管控措施实行4个月后,针孔平均密度由之前的7.04个/片减少到3.36个/片,针孔良率提高了约10%。 展开更多
关键词 铬膜 镀膜 匀胶铬板 直流磁控溅射 针孔缺陷 良率
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