碳/铜复合材料研究进展 被引量：27

1

作者 韩绍昌 徐仲榆 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期6-8,共3页

简要回顾了碳／铜复合材料的发展过程，综述了在基体合金化、碳增强的表面处理、制备工艺、性能及应用等方面的研究进展。

关键词 复合材料 制备工艺 铜基合金 碳 铜 研究进展

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CVD金刚石薄膜表面的缺陷研究 被引量：9

2

作者 周灵平 靳九成 +2 位作者 李绍禄 颜永红 朱正华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期126-131,共6页

用ＳＥＭ方法观察分析了ＣＶＤ金刚石薄膜表面的缺陷形貌和结构，直观的两种缺陷为孪晶和孔洞。孪晶反映了晶粒的不完整性，它的产生取决于气相中活性分子的浓度与生长表面活性位数目的比值，孪晶比率随碳源浓度升高和衬底温度的降低而... 用ＳＥＭ方法观察分析了ＣＶＤ金刚石薄膜表面的缺陷形貌和结构，直观的两种缺陷为孪晶和孔洞。孪晶反映了晶粒的不完整性，它的产生取决于气相中活性分子的浓度与生长表面活性位数目的比值，孪晶比率随碳源浓度升高和衬底温度的降低而增大；孔洞反映了膜的不致密性，其产生与膜生长速率和衬底表面初始成核密度切相关，孔洞密度随碳源浓度升高和衬底温度的升高而增大。 展开更多

关键词 金刚石薄膜 缺陷 孪晶 表面形貌 CVD

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铬对改善铜与炭石墨材料润湿性的作用 被引量：15

3

作者 韩绍昌 李学谦 徐仲榆 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1998年第5期30-33,共4页

采用座滴试样比接触面积法研究了Ｃｕ－Ｃｒ合金与柔性石墨和炭片的润湿性．Ｃｒ含量愈高，座滴与炭石墨材料的比接触面积愈大，接触角愈小．

关键词 铬 铜-铬合金 炭/铜复合材料 润湿性

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金刚石薄膜半导体研究进展及其应用前景 被引量：7

4

作者 周灵平 靳九成 +1 位作者 李绍禄 王长河 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期1-4,9,共5页

ＣＶＤ金刚石薄膜是一种有发展前途的半导体材料，近几年来国内外研究取得了一定进展。目前采取的主要研究技术是在非金刚石衬底上生长掺杂金刚石多晶膜，其应用方向是耐高温和抗辐射的半导体器件。尽管金刚石薄膜半导体还有许多问题极... ＣＶＤ金刚石薄膜是一种有发展前途的半导体材料，近几年来国内外研究取得了一定进展。目前采取的主要研究技术是在非金刚石衬底上生长掺杂金刚石多晶膜，其应用方向是耐高温和抗辐射的半导体器件。尽管金刚石薄膜半导体还有许多问题极待解决，但其应用前景十分广阔，到２０００年以后，市场销售额将超过金刚石膜工具而跃居首位。 展开更多

关键词 金刚石薄膜 半导体 掺杂 准单晶

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金刚石薄膜涂层刀具基底材料的选择 被引量：5

5

作者 周灵平 靳九成 李绍禄 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期40-42,共3页

金刚石薄膜涂层刀具的应用取决于基底材料的选择。讨论了基底材料的特征:①基底应是一种常用刀具材料,且其切削条件能为金刚石所适应;②成本较低;③沉积金刚石膜具有良好的粘着性。比较分析了Si_3N_4陶瓷和硬质合金作为基底材料的优缺... 金刚石薄膜涂层刀具的应用取决于基底材料的选择。讨论了基底材料的特征:①基底应是一种常用刀具材料,且其切削条件能为金刚石所适应;②成本较低;③沉积金刚石膜具有良好的粘着性。比较分析了Si_3N_4陶瓷和硬质合金作为基底材料的优缺点及其发展趋势。 展开更多

关键词 基底材料 金刚石 薄膜 涂层 刀具

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不锈钢空蚀磨蚀的形貌特征研究 被引量：2

6

作者 靳九成 靳浩 +1 位作者 王忠义 徐辉 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1995年第5期27-31,共5页

本文利用转盘、高头水洞、ＳＥＭ、光学金相、ＥＤＡＸ和波谱等研究了奥氏体不锈钢表面发生纯空蚀、纯磨蚀、空蚀磨蚀共存、静水和动水腐蚀的形貌特征以及某些奇特现象；分析对比了黄河水轮机叶片的原体形貌；讨论了空蚀的机制。

关键词 空化 空蚀 磨蚀 不锈钢 形貌特征

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C－B_4C－SiC复合材料的抗热震性能 被引量：4

7

作者 黄启忠 杨巧勤 +2 位作者 谭平 黄伯云 吕海波 《中南工业大学学报》 CSCD 1995年第4期493-497,共5页

对运用热压法制成的Ｃ－Ｂ４Ｃ－ＳｉＣ复合材料进行了抗热震性能的研究，发现样品经６００℃水淬热震后，抗弯强度反而提高，提高幅度为３％～４１％，且和它的相对密度、原始强度有关。作者从机理上初步解释了这种特异现象，认为这是... 对运用热压法制成的Ｃ－Ｂ４Ｃ－ＳｉＣ复合材料进行了抗热震性能的研究，发现样品经６００℃水淬热震后，抗弯强度反而提高，提高幅度为３％～４１％，且和它的相对密度、原始强度有关。作者从机理上初步解释了这种特异现象，认为这是微裂纹增韧强化和残余应力释放的协同作用而产生的现象。 展开更多

关键词 复合材料 抗震性能 陶瓷材料 碳 碳化硼 碳化硅

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原料种类对C－B_4C－SiC复合材料性能的影响 被引量：5

8

作者 黄启忠 杨巧勤 +1 位作者 黄伯云 吕海波 《中南工业大学学报》 CSCD 1995年第2期223-226,共4页

就原料种类对Ｃ－Ｂ４Ｃ－ＳｉＣ碳／陶复合材料性能的影响进行了研究，当使用β－ＳｉＣ代替α－ＳｉＣ作原料时，复合材料的性能明显提高，特别是断裂韧性，提高幅度达２０％；鳞片石墨代替石油焦作碳原料时，复合材料表面密度和电阻... 就原料种类对Ｃ－Ｂ４Ｃ－ＳｉＣ碳／陶复合材料性能的影响进行了研究，当使用β－ＳｉＣ代替α－ＳｉＣ作原料时，复合材料的性能明显提高，特别是断裂韧性，提高幅度达２０％；鳞片石墨代替石油焦作碳原料时，复合材料表面密度和电阻率明显地降低，抗弯强度因鳞片石墨的各向异性及添加剂的不同，数据也各不相同。 展开更多

关键词 原料 碳化物陶瓷 性能 复合材料性能

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含铬石墨/铜基复合材料的制备及性能 被引量：2

9

作者 韩绍昌 徐仲榆 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1999年第3期43-45,共3页

采用化学反应方法使平均粒径２～３μｍ的铬质点在天然鳞片石墨表面原位生成．由粉末冶金制备的含有这种铬质点的石墨／铜基复合材料的电阻率为９．５μΩｃｍ。

关键词 铬 石墨 铜 复合材料 粉末冶金 电接触材料

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金刚石涂层超精加工车刀的研制 被引量：10

10

作者 杨巧勤 赵立华 +1 位作者 李绍禄 杜海清 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期491-494,共4页

使用热丝ＣＶＤ法研究了金刚石涂层生长速度、晶粒大小和结合强度与生长工艺参数的关系．在此研究基础上，选择氮化硅材料作为刀具基底材料，并优化生长工艺参数，使热丝ＣＶＤ法生长金刚石膜的速度提高到２０μｍ／ｈ，膜层平均晶粒度... 使用热丝ＣＶＤ法研究了金刚石涂层生长速度、晶粒大小和结合强度与生长工艺参数的关系．在此研究基础上，选择氮化硅材料作为刀具基底材料，并优化生长工艺参数，使热丝ＣＶＤ法生长金刚石膜的速度提高到２０μｍ／ｈ，膜层平均晶粒度＜１μｍ，划痕临界载荷达到了５０Ｎ．然后进行内应力消除及机械研磨、抛光，这样制成的超精加工刀具用来加工铝合金部件．被加工件的表面不平度＜０．１μｍ，光洁度达到了１２，加工光洁度与寿命达到了单晶金刚石刀具的水平． 展开更多

关键词 金刚石涂层 超精加工 车刀 CVD法

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热丝CVD法金刚石薄膜宏观内应力分析 被引量：4

11

作者 赵南方 杨巧勤 +2 位作者 赵立华 李德意 肖汉宁 《矿冶工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期67-69,共3页

研究了热丝ＣＶＤ法金刚石薄膜本征内应力随甲烷的体积分数（０４％～１２％）、生长温度（８００℃～１０００℃）等生长工艺参数的变化关系。在所研究的工艺参数范围内，金刚石薄膜的本征内应力为拉应力。拉应力值随着碳源浓度的... 研究了热丝ＣＶＤ法金刚石薄膜本征内应力随甲烷的体积分数（０４％～１２％）、生长温度（８００℃～１０００℃）等生长工艺参数的变化关系。在所研究的工艺参数范围内，金刚石薄膜的本征内应力为拉应力。拉应力值随着碳源浓度的升高近乎呈线性减小；在生长温度为９００℃时最小，升高或降低生长温度都会增大。这一变化关系可用薄膜中非金刚石碳含量和晶粒度大小对内应力值的影响进行解释。 展开更多

关键词 金刚石薄膜 内应力 热丝CVD法

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热丝CVD法变压沉积金刚石薄膜

12

作者 周灵平 靳九成 +2 位作者 李绍禄 唐璧玉 成奋强 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期72-74,共3页

在热丝化学气相沉积系统中，采用变压沉积金刚石薄膜，晶粒生长速率显著提高，而孪晶密度下降。

关键词 金刚石 薄膜 孪晶 变压 热丝 CVD

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CVD金刚石薄膜热稳定性分析

13

作者 苏堤 陈本敬 王秀琼 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1993年第3期272-276,共5页

应用 TG-DTA 热分析仪,对不同结构致密程度和结晶完好程度的热丝 CVD 金刚石薄膜样品进行热稳定性分析,并讨论了影响金刚石薄膜抗氧化能力的因素。

关键词 金刚石薄膜 热丝CVD法 热重分析

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Ti-B-N薄膜沉积过程中离子轰击的效应 被引量：1

14

作者 赵南方 杨巧勤 +2 位作者 赵立华 肖汉宁 成奋强 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期26-29,共4页

使用活化离子镀和Ｎ离子轰击Ｔｉ－Ｂ薄膜制备了Ｔｉ－Ｂ－Ｎ薄膜，研究了Ｔｉ－Ｂ－Ｎ薄膜沉积过程离子轰击的效应。结果表明离子轰击具有增强界面扩散、激发化学反应的作用。特别是离子轰击可使小区域内产生高温高压，使局部区域成为... 使用活化离子镀和Ｎ离子轰击Ｔｉ－Ｂ薄膜制备了Ｔｉ－Ｂ－Ｎ薄膜，研究了Ｔｉ－Ｂ－Ｎ薄膜沉积过程离子轰击的效应。结果表明离子轰击具有增强界面扩散、激发化学反应的作用。特别是离子轰击可使小区域内产生高温高压，使局部区域成为立方ＢＮ的稳态生长区，而获得亚稳相立方ＢＮ。 展开更多

关键词 薄膜 离子轰击 沉积 离子镀 镀膜 陶瓷

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珠光体层片间距的表征 被引量：2

15

作者 范兴言 《湖南大学学报》 EI CAS CSCD 1991年第4期13-16,共4页

本文讨论用S_(min)表征珠光体层片间距是否恰当的问题,介绍了珠光体层片间距几种测量方法及表征方法,珠光体层片间距可用下列参量表征:S_(min),S_t,S_t,结论是在珠光体层片间距不为单值的情况下,用S_t分布或S_t表征比较合理;如能确证S_t... 本文讨论用S_(min)表征珠光体层片间距是否恰当的问题,介绍了珠光体层片间距几种测量方法及表征方法,珠光体层片间距可用下列参量表征:S_(min),S_t,S_t,结论是在珠光体层片间距不为单值的情况下,用S_t分布或S_t表征比较合理;如能确证S_t/S_(min)比值恒定,也可用S_(min)表征;在S_t/S_(min)比值不恒定时,用S_(min)表征是不恰当的. 展开更多

关键词 珠光体 层片间距 表征 金相织织

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