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卤化物钙钛矿半导体透射电镜表征的挑战与机遇 被引量:1
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作者 陈树林 高鹏 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期580-594,共15页
卤化物钙钛矿价格低廉,易于合成,具有优异的光电性能,广泛应用于太阳能电池、光电探测器和发光二极管等光电子器件,是当前国际上研究的热点领域,同时入选工信部和国资委评出的首批前沿材料之一。透射电子显微镜表征是揭示卤化物钙钛矿... 卤化物钙钛矿价格低廉,易于合成,具有优异的光电性能,广泛应用于太阳能电池、光电探测器和发光二极管等光电子器件,是当前国际上研究的热点领域,同时入选工信部和国资委评出的首批前沿材料之一。透射电子显微镜表征是揭示卤化物钙钛矿形貌、结构、成分等物理和化学信息的关键。然而,卤化物钙钛矿在电子束辐照下易分解,这种极端敏感性通常会阻碍我们获取钙钛矿本征信息,甚至引起假象。基于此,本文综述了近年来有关卤化物钙钛矿的透射电子显微学研究,重点讨论了卤化物钙钛矿电子束损伤机理、影响钙钛矿电子束敏感性因素、如何降低电子束损伤并获得钙钛矿原子尺度信息。本文旨在引起人们对卤化物钙钛矿电子束敏感性的关注,指导卤化物钙钛矿电子显微学表征,揭示卤化物钙钛矿分解机理,为构建高效稳定的钙钛矿光电器件提供实验指导。 展开更多
关键词 卤化物钙钛矿 电子束损伤 低剂量成像 原子尺度成像 透射电子显微学
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SDL PUF:高可靠自适应偏差锁定PUF电路 被引量:2
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作者 张源 罗静茹 张吉良 《电子与信息学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期2274-2280,共7页
物理不可克隆函数(Physical Unclonable Function, PUF)作为一种新的硬件安全原语,通过提取工艺偏差产生唯一的响应序列为计算系统提供可信根。然而现有基于现场可编辑门阵列(Field Programmable Gate Array, FPGA)的PUF难以在较宽的温... 物理不可克隆函数(Physical Unclonable Function, PUF)作为一种新的硬件安全原语,通过提取工艺偏差产生唯一的响应序列为计算系统提供可信根。然而现有基于现场可编辑门阵列(Field Programmable Gate Array, FPGA)的PUF难以在较宽的温度和电压范围内实现高可靠性。该文提出一种基于自定时环(Self-Timed Ring,STR)的自适应偏差锁定PUF(Self-adaption Deviation Locking PUF, SDL PUF),首先利用STR延迟引起的振荡频率差产生PUF响应;然后通过在初始化阶段自适应配置,有效扩大STR环内的事件到达时间偏差,从而显著提高PUF的可靠性;最后进一步提出一种对比混淆策略,通过提取工艺偏差自动生成随机比特配置并混淆比较器,以抵抗侧信道攻击。在Xilinx Virtex-6 FPGA上实验结果表明,SDL PUF在0~80°C的温度范围和0.85~1.15V的电压范围内误码率为0,唯一性和均匀性分别为49.29%和49.84%。 展开更多
关键词 物理不可克隆函数 自定时环 FPGA 可靠性
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全同态加密软硬件加速研究进展 被引量:4
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作者 边松 毛苒 +8 位作者 朱永清 傅云濠 张舟 丁林 张吉良 张博 陈弈 董进 关振宇 《电子与信息学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1790-1805,共16页
全同态加密(FHE)是一种重计算、轻交互的多方安全计算协议。在基于全同态加密的计算协议中,尽管计算参与方之间无需多轮交互与大量通信,加密状态下的密态数据处理时间通常是明文计算的10~3~10~6倍,极大地阻碍了这类计算协议的实际落地;... 全同态加密(FHE)是一种重计算、轻交互的多方安全计算协议。在基于全同态加密的计算协议中,尽管计算参与方之间无需多轮交互与大量通信,加密状态下的密态数据处理时间通常是明文计算的10~3~10~6倍,极大地阻碍了这类计算协议的实际落地;而密态数据上的主要处理负担是大规模的并行密码运算和运算所必须的密文及密钥数据搬运需求。该文聚焦软、硬件两个层面上的全同态加密加速这一研究热点,通过系统性地归类及整理当前领域中的文献,讨论全同态加密计算加速的研究现状与展望。 展开更多
关键词 全同态加密 同态算法 密码硬件加速
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基于路径延迟故障序列的硬件木马检测方法
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作者 伍远翔 唐明 +1 位作者 胡一凡 张吉良 《计算机工程与设计》 北大核心 2024年第1期1-9,共9页
针对基于侧信道信号的硬件木马检测普遍面临的两类问题,即需要黄金芯片和信号测量成本大,提出一种利用路径延迟故障序列的检测方法。基于时序冲突时电路路径产生延迟故障的先后顺序,间接利用路径延迟之间相对大小关系产生芯片检测ID;检... 针对基于侧信道信号的硬件木马检测普遍面临的两类问题,即需要黄金芯片和信号测量成本大,提出一种利用路径延迟故障序列的检测方法。基于时序冲突时电路路径产生延迟故障的先后顺序,间接利用路径延迟之间相对大小关系产生芯片检测ID;检测不依赖于黄金芯片,且在大范围的环境变化和工艺偏差下具有稳定性;故障序列在芯片设计阶段仿真获得,无需额外硬件开销。对ISCAS-89基准和AES-128电路实例验证了检测的有效性,其可成功检测插入的两种类型硬件木马。 展开更多
关键词 集成电路 硬件木马 检测方法 侧信道 黄金芯片 路径延迟 故障输出
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预成核对蓝宝石衬底上生长氮化镓低温层的影响
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作者 孔锐 苏兆乐 +4 位作者 胡小涛 宋祎萌 李阳锋 谭庶欣 江洋 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期149-155,共7页
金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术以气相源的热分解反应作为基础,其适合规模化生产,是现今生长半导体材料的主要制备方式。在MOCVD生长GaN的过程中,衬底表面初始条件直接影响到材料成核与生长,因此对于外延生长非常关键。本论文研究了... 金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术以气相源的热分解反应作为基础,其适合规模化生产,是现今生长半导体材料的主要制备方式。在MOCVD生长GaN的过程中,衬底表面初始条件直接影响到材料成核与生长,因此对于外延生长非常关键。本论文研究了GaN外延生长过程中蓝宝石衬底的表面预成核工艺对GaN低温成核的影响。通过对比未处理样品和高温预通TMGa、高温预通TMGa和NH3预成核以及高温预通TMAl和NH3预成核的样品上生长的低温层退火后的形貌,我们发现高温预成核形成的成核点有利于吸引其周围气相源并入,并降低成核岛的密度。结合光学实时反射率监测气相沉积中晶粒的成核过程,进一步横向比较可发现由于高温时AlN更稳定,预成核的效果更好,对退火以后GaN小岛形貌影响更加显著。X射线衍射表征成核层的晶体质量,发现预成核工艺可将退火后成核层的(002)衍射峰半高宽从1636 arcsec降低到最低1088 arcsec。通过对比分析,我们认为高温预成核工艺的优点可能来源于其可以改善成核初期小岛的晶向。这些研究为进一步提高GaN外延质量提供了新的工艺思路。 展开更多
关键词 GaN成核 高温表面预成核 AlN成核 成核岛 MOCVD
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