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Al_(2)O_(3)f/Al_(2)O_(3)陶瓷基复合材料研究进展
被引量：
2
1
作者
莫琛
向阳
+4 位作者
陈坤
张稳
彭志航
文瑾
曹建辉
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第18期1-9,共9页
目前,航空发动机等高温部件对热结构材料性能要求日渐严苛。Al_(2)O_(3)f/Al_(2)O_(3)陶瓷基复合材料(Al_(2)O_(3)f/Al_(2)O_(3)CMCs)因具有优异的力学性能和抗氧化性,成为了热结构材料体系的研究热点。本文综述了Al_(2)O_(3)f/Al_(2)O_...
目前,航空发动机等高温部件对热结构材料性能要求日渐严苛。Al_(2)O_(3)f/Al_(2)O_(3)陶瓷基复合材料(Al_(2)O_(3)f/Al_(2)O_(3)CMCs)因具有优异的力学性能和抗氧化性,成为了热结构材料体系的研究热点。本文综述了Al_(2)O_(3)f/Al_(2)O_(3)CMCs的组成体系、主要性能和制备方法,并分析了该材料在相关领域的应用以及未来的发展趋势。
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关键词
Al_(2)O_(3)f
/Al_(2)O_(3)
CMCs
组成体系
抗氧化
制备方法
发展趋势
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职称材料
AlN晶体PVT法生长用坩埚材料技术
被引量：
1
2
作者
王嘉彬
陈红梅
袁超
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第S02期118-120,137,共4页
宽禁带半导体材料氮化铝(AlN)具有熔点高、临界击穿场强高、高温热稳定性好和耐腐蚀性优等特点,是极其重要的第三代半导体材料。物理气相传输(PVT)法作为被广泛采用的AlN晶体生长技术,其工艺条件与环境要求极为苛刻。耐高温、抗腐蚀、...
宽禁带半导体材料氮化铝(AlN)具有熔点高、临界击穿场强高、高温热稳定性好和耐腐蚀性优等特点,是极其重要的第三代半导体材料。物理气相传输(PVT)法作为被广泛采用的AlN晶体生长技术,其工艺条件与环境要求极为苛刻。耐高温、抗腐蚀、长寿命坩埚已成为大尺寸、高质量AlN晶体生长的技术难题之一。本文介绍AlN晶体PVT法生长的基本原理与过程,分析晶体生长对坩埚材料的性能要求,重点综述了TaC坩埚和TaC涂层石墨坩埚的制备技术。
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关键词
AlN晶体
PVT法
坩埚材料
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职称材料
共沉淀法合成LiNi_(0.5)Mn_(1.5)O_4的工艺及其形貌控制研究
被引量：
2
3
作者
陈占军
田修营
+5 位作者
钟洪彬
彭红霞
邓联平
胡传跃
文瑾
彭秧锡
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期147-150,共4页
对共沉淀法合成(Ni_(0.5)Mn_(1.5))(OH)_4前驱体的主要工艺参数展开了详细讨论,结果表明:当pH=10和螯合剂浓度为1mol/L时,其前驱体颗粒表现为球形且具有最高的密度;对终产物LiNi_(0.5)Mn_(1.5)O_4材料的物化性能和电化学性能进行了测试...
对共沉淀法合成(Ni_(0.5)Mn_(1.5))(OH)_4前驱体的主要工艺参数展开了详细讨论,结果表明:当pH=10和螯合剂浓度为1mol/L时,其前驱体颗粒表现为球形且具有最高的密度;对终产物LiNi_(0.5)Mn_(1.5)O_4材料的物化性能和电化学性能进行了测试分析,扫描电镜和X射线衍射表征结果表明:其由直径为2~3μm、不规则形状的一次颗粒堆积成二次颗粒,产物不含有Li_(1-x)Ni_xO或NiO_x等不纯物;该样品具有较好的倍率和优秀的循环性能,可能归结于终产物具有较高的纯度,不含有杂相。
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关键词
尖晶石
LINI0.5MN1.5O4
共沉淀法
正极材料
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职称材料
题名
Al_(2)O_(3)f/Al_(2)O_(3)陶瓷基复合材料研究进展
被引量：
2
1
作者
莫琛
向阳
陈坤
张稳
彭志航
文瑾
曹建辉
机构
国防
科技
大学空天科学
学院
湖南人文科技学院精细陶瓷与粉体材料湖南省重点实验室
湖南省
新化县鑫星电子有限责任公司
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第18期1-9,共9页
基金
湖南省自然科学基金(2019JJ50282,2020JJ5660)。
文摘
目前,航空发动机等高温部件对热结构材料性能要求日渐严苛。Al_(2)O_(3)f/Al_(2)O_(3)陶瓷基复合材料(Al_(2)O_(3)f/Al_(2)O_(3)CMCs)因具有优异的力学性能和抗氧化性,成为了热结构材料体系的研究热点。本文综述了Al_(2)O_(3)f/Al_(2)O_(3)CMCs的组成体系、主要性能和制备方法,并分析了该材料在相关领域的应用以及未来的发展趋势。
关键词
Al_(2)O_(3)f
/Al_(2)O_(3)
CMCs
组成体系
抗氧化
制备方法
发展趋势
Keywords
Al_(2)O_(3)f/Al_(2)O_(3)CMCs
composition system
antioxidant
preparation method
development trend
分类号
TU523 [建筑科学—建筑技术科学]
TQ343.5 [化学工程—化纤工业]
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职称材料
题名
AlN晶体PVT法生长用坩埚材料技术
被引量：
1
2
作者
王嘉彬
陈红梅
袁超
机构
湖南
人文
科技
学院
湖南
涉外经济
学院
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第S02期118-120,137,共4页
基金
湖南省教育厅科学研究项目(18A482)。
文摘
宽禁带半导体材料氮化铝(AlN)具有熔点高、临界击穿场强高、高温热稳定性好和耐腐蚀性优等特点,是极其重要的第三代半导体材料。物理气相传输(PVT)法作为被广泛采用的AlN晶体生长技术,其工艺条件与环境要求极为苛刻。耐高温、抗腐蚀、长寿命坩埚已成为大尺寸、高质量AlN晶体生长的技术难题之一。本文介绍AlN晶体PVT法生长的基本原理与过程,分析晶体生长对坩埚材料的性能要求,重点综述了TaC坩埚和TaC涂层石墨坩埚的制备技术。
关键词
AlN晶体
PVT法
坩埚材料
Keywords
AlN crystal
PVT
crucible materials
分类号
TQ174.758.1 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
共沉淀法合成LiNi_(0.5)Mn_(1.5)O_4的工艺及其形貌控制研究
被引量：
2
3
作者
陈占军
田修营
钟洪彬
彭红霞
邓联平
胡传跃
文瑾
彭秧锡
机构
湖南人文科技学院精细陶瓷与粉体材料湖南省重点实验室
材料
与环境工程
学院
出处
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期147-150,共4页
基金
国家自然科学基金(51602101)
湖南省自然科学基金(2016JJ4044)
湖南省科技计划项目(2016TP1028)
文摘
对共沉淀法合成(Ni_(0.5)Mn_(1.5))(OH)_4前驱体的主要工艺参数展开了详细讨论,结果表明:当pH=10和螯合剂浓度为1mol/L时,其前驱体颗粒表现为球形且具有最高的密度;对终产物LiNi_(0.5)Mn_(1.5)O_4材料的物化性能和电化学性能进行了测试分析,扫描电镜和X射线衍射表征结果表明:其由直径为2~3μm、不规则形状的一次颗粒堆积成二次颗粒,产物不含有Li_(1-x)Ni_xO或NiO_x等不纯物;该样品具有较好的倍率和优秀的循环性能,可能归结于终产物具有较高的纯度,不含有杂相。
关键词
尖晶石
LINI0.5MN1.5O4
共沉淀法
正极材料
Keywords
spinel, LiNi0. 5 Mn1.5O4, co-precipitation method, anode
分类号
TM912 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Al_(2)O_(3)f/Al_(2)O_(3)陶瓷基复合材料研究进展
莫琛
向阳
陈坤
张稳
彭志航
文瑾
曹建辉
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
AlN晶体PVT法生长用坩埚材料技术
王嘉彬
陈红梅
袁超
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
共沉淀法合成LiNi_(0.5)Mn_(1.5)O_4的工艺及其形貌控制研究
陈占军
田修营
钟洪彬
彭红霞
邓联平
胡传跃
文瑾
彭秧锡
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2018
2
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职称材料
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