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热蒸发法ZnO纳米棒阵列的研究 被引量:1
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作者 张志鹏 王浩 +4 位作者 莫琦 王毅 汪汉斌 杨辅军 朱建华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期68-70,共3页
采用热蒸发的方法在ZnO薄膜缓冲层上成功制备了高密度的ZnO纳米棒阵列,其中ZnO薄膜缓冲层是通过PLD(Pulsed Laser Deposition)的方法制得。与已有的报道不同,该方法未使用任何金属催化剂。X射线衍射仪(XRD)以及场发射扫描电子显... 采用热蒸发的方法在ZnO薄膜缓冲层上成功制备了高密度的ZnO纳米棒阵列,其中ZnO薄膜缓冲层是通过PLD(Pulsed Laser Deposition)的方法制得。与已有的报道不同,该方法未使用任何金属催化剂。X射线衍射仪(XRD)以及场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)的结果表明,实验得到的ZnO纳米棒阵列整齐垂直排列在衬底上.此外,在常温下测量得到的光致发光(PL)谱和透射电子显微镜显示该ZnO纳米棒阵列结晶较好,无明显的缺陷,研究结果表明纳米棒阵列的形成主要归因于ZnO纳米棒和薄膜之间完美的晶格匹配。 展开更多
关键词 热蒸发 ZNO纳米棒阵列 ZnO薄膜缓冲层
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FePt/B4C垂直磁记录介质薄膜的制备与表征
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作者 莫琦 王浩 +5 位作者 陈如山 张志鹏 王毅 杨辅军 朱建华 汪汉斌 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A03期1042-1043,共2页
采用直流及射频磁控溅射结合真空退火的方法成功制备了(001)择优生长的FcPt/B4C多层薄膜并对其结构与磁性能做了初步的表征.结果表明,在每一个FbPt单元层中能得到较好(001)面择优的fet相FbPt合金,并且随着B4C含量的增大,薄膜的... 采用直流及射频磁控溅射结合真空退火的方法成功制备了(001)择优生长的FcPt/B4C多层薄膜并对其结构与磁性能做了初步的表征.结果表明,在每一个FbPt单元层中能得到较好(001)面择优的fet相FbPt合金,并且随着B4C含量的增大,薄膜的有序度提高.高分辨透射电子显微镜及其傅立叶变换表明,FePt层为具有(001)织构的fct相Fe55Pt45合金.样品的M-H曲线显示其垂直膜面方向矫顽力约为302.481kA/m;平行膜面方向矫顽力很小. 展开更多
关键词 FEPT 垂直磁记录 碳化硼
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