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侧栅晶体管太赫兹探测器的物理模型、结构制备与直流测试
1
作者
康亚茹
董慧
+4 位作者
刘晶
黄镇
李兆峰
颜伟
王晓东
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第4期526-532,共7页
针对侧栅结构高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistors,HEMTs)太赫兹探测器,构建了器件的直流输运和太赫兹探测的物理模型。运用自对准工艺,成功制备了形态良好、接触可靠的侧栅结构,有效地解决了器件双侧栅与台面间的...
针对侧栅结构高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistors,HEMTs)太赫兹探测器,构建了器件的直流输运和太赫兹探测的物理模型。运用自对准工艺,成功制备了形态良好、接触可靠的侧栅结构,有效地解决了器件双侧栅与台面间的接触问题,最终获得了不同栅宽(200 nm、800 nm和1400 nm)的侧栅GaN/AlGaN HEMT太赫兹探测器。通过直流测试表征发现,不同器件的栅宽与其阈值电压之间呈现出明显的线性关系,验证了侧栅结构HEMT太赫兹探测器的直流输运模型。上述结果为完整的侧栅HEMT太赫兹探测器的理论模型提供了实验验证和指导,为侧栅HEMT太赫兹探测器的发展提供了重要支持。
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关键词
氮化镓
太赫兹探测器
侧栅
高电子迁移率晶体管
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职称材料
题名
侧栅晶体管太赫兹探测器的物理模型、结构制备与直流测试
1
作者
康亚茹
董慧
刘晶
黄镇
李兆峰
颜伟
王晓东
机构
中国科学院大学集成电路学院
中国科学院大学材料与光电
研究
中心
中国科学院半导体
研究
所半导体集成技术工程
研究
中心
中国科学技术大学微电子学院
湖北九峰山实验室研究中心
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第4期526-532,共7页
基金
国家自然科学基金(61971395)。
文摘
针对侧栅结构高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistors,HEMTs)太赫兹探测器,构建了器件的直流输运和太赫兹探测的物理模型。运用自对准工艺,成功制备了形态良好、接触可靠的侧栅结构,有效地解决了器件双侧栅与台面间的接触问题,最终获得了不同栅宽(200 nm、800 nm和1400 nm)的侧栅GaN/AlGaN HEMT太赫兹探测器。通过直流测试表征发现,不同器件的栅宽与其阈值电压之间呈现出明显的线性关系,验证了侧栅结构HEMT太赫兹探测器的直流输运模型。上述结果为完整的侧栅HEMT太赫兹探测器的理论模型提供了实验验证和指导,为侧栅HEMT太赫兹探测器的发展提供了重要支持。
关键词
氮化镓
太赫兹探测器
侧栅
高电子迁移率晶体管
Keywords
GaN-based
terahertz detector
lateral gate
high electron mobility transistors
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
侧栅晶体管太赫兹探测器的物理模型、结构制备与直流测试
康亚茹
董慧
刘晶
黄镇
李兆峰
颜伟
王晓东
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
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