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Si衬底上基于诱导成核技术的高质量GaN外延
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作者 许钪 许晟瑞 +7 位作者 陶鸿昌 苏华科 高源 杨赫 安瑕 黄俊 张进成 郝跃 《电子学报》 CSCD 北大核心 2024年第12期3907-3913,共7页
氮化镓(GaN)具有直接带隙、高频、大功率和高电子迁移率等优良的材料特性,使其在电力电子和光电器件等领域都具有广阔的应用前景.Si衬底具备大尺寸、低成本和工艺兼容性好等优势,所以Si基GaN具有很高的研究价值和商业价值.GaN材料的晶... 氮化镓(GaN)具有直接带隙、高频、大功率和高电子迁移率等优良的材料特性,使其在电力电子和光电器件等领域都具有广阔的应用前景.Si衬底具备大尺寸、低成本和工艺兼容性好等优势,所以Si基GaN具有很高的研究价值和商业价值.GaN材料的晶体质量决定着GaN基器件的性能,但Si基GaN的晶体质量较差,为此研究人员提出了多种方法来提高GaN的晶体质量,但都存在工艺复杂或成本高昂等问题.因此,本研究提出一种工艺简单且成本低的诱导成核技术来获取高质量的Si基GaN材料.对Si衬底完成相同剂量的N离子注入后进行不同时间的快速热退火处理,使用金属有机化学气相沉积法进行外延生长.结果表明,退火时间为6 min的样品具有最好的晶体质量,表面形貌和光学性能,与对照样品相比,螺位错密度降低14.7%,刃位错密度降低34.4%,总位错密度降低26.1%,并且提高了AlGaN/GaN异质结界面处的二维电子气面密度和电子迁移率,提高了AlGaN/GaN异质结的电学性能. 展开更多
关键词 氮化镓 诱导成核 快速热退火 金属有机化学气相沉积 位错密度 光学性能 电学性能
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侧栅晶体管太赫兹探测器的物理模型、结构制备与直流测试
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作者 康亚茹 董慧 +4 位作者 刘晶 黄镇 李兆峰 颜伟 王晓东 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期526-532,共7页
针对侧栅结构高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistors,HEMTs)太赫兹探测器,构建了器件的直流输运和太赫兹探测的物理模型。运用自对准工艺,成功制备了形态良好、接触可靠的侧栅结构,有效地解决了器件双侧栅与台面间的... 针对侧栅结构高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistors,HEMTs)太赫兹探测器,构建了器件的直流输运和太赫兹探测的物理模型。运用自对准工艺,成功制备了形态良好、接触可靠的侧栅结构,有效地解决了器件双侧栅与台面间的接触问题,最终获得了不同栅宽(200 nm、800 nm和1400 nm)的侧栅GaN/AlGaN HEMT太赫兹探测器。通过直流测试表征发现,不同器件的栅宽与其阈值电压之间呈现出明显的线性关系,验证了侧栅结构HEMT太赫兹探测器的直流输运模型。上述结果为完整的侧栅HEMT太赫兹探测器的理论模型提供了实验验证和指导,为侧栅HEMT太赫兹探测器的发展提供了重要支持。 展开更多
关键词 氮化镓 太赫兹探测器 侧栅 高电子迁移率晶体管
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场效应晶体管太赫兹探测器在太赫兹成像领域的研究进展(上)
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作者 靳晨阳 康亚茹 +5 位作者 黄镇 赵永梅 颜伟 李兆峰 王晓东 杨富华 《红外》 CAS 2024年第7期1-8,共8页
太赫兹(Terahertz,THz)波具有能量低、穿透性强、分辨率高等特性,因而THz成像技术在安全检测、医学诊断、无损探伤等领域具有广阔的应用前景。THz探测器作为THz成像系统的重要组成部分,其性能对成像分辨率、成像速度等有重要影响。由于... 太赫兹(Terahertz,THz)波具有能量低、穿透性强、分辨率高等特性,因而THz成像技术在安全检测、医学诊断、无损探伤等领域具有广阔的应用前景。THz探测器作为THz成像系统的重要组成部分,其性能对成像分辨率、成像速度等有重要影响。由于具备可室温工作、易大面积集成、响应速度快等特性,场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)THz探测器在成像应用中潜力巨大。综述了近年来FET THz探测器在THz成像领域的研究进展(包括成像阵列、材料选择等方面),分析了设计和制造中存在的问题;指出天线和像素间距是限制大规模阵列化的重要因素,并在此基础上对未来的研究方向进行了展望;指出新的材料和结构设计将进一步改善器件性能,从而实现更快速、更清晰的THz成像。 展开更多
关键词 太赫兹成像 场效应晶体管 太赫兹探测器 HEMT CMOS 低维材料
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场效应晶体管太赫兹探测器在太赫兹成像领域的研究进展(下)
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作者 靳晨阳 康亚茹 +5 位作者 黄镇 赵永梅 颜伟 李兆峰 王晓东 杨富华 《红外》 CAS 2024年第8期1-12,共12页
太赫兹(Terahertz,THz)波具有能量低、穿透性强、分辨率高等特性,因而THz成像技术在安全检测、医学诊断、无损探伤等领域具有广阔的应用前景。THz探测器作为THz成像系统的重要组成部分,其性能对成像分辨率、成像速度等有重要影响。由于... 太赫兹(Terahertz,THz)波具有能量低、穿透性强、分辨率高等特性,因而THz成像技术在安全检测、医学诊断、无损探伤等领域具有广阔的应用前景。THz探测器作为THz成像系统的重要组成部分,其性能对成像分辨率、成像速度等有重要影响。由于具备可室温工作、易大面积集成、响应速度快等特性,场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)THz探测器在成像应用中潜力巨大。综述了近年来FET THz探测器在THz成像领域的研究进展(包括成像阵列、材料选择等方面),分析了设计和制造中存在的问题;指出天线和像素间距是限制大规模阵列化的重要因素,并在此基础上对未来的研究方向进行了展望;指出新的材料和结构设计将进一步改善器件性能,从而实现更快速、更清晰的THz成像。 展开更多
关键词 太赫兹成像 场效应晶体管 太赫兹探测器 HEMT CMOS 低维材料
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原子层/分子层沉积技术及其在半导体先进工艺中的应用
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作者 赵波 柳俊 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第20期55-66,共12页
原子层沉积是一种气相沉积薄膜的技术,基于表面化学饱和吸附的连续自限反应的机理,薄膜沉积过程可以在各式各样的基底上实现原子级的保形性生长。凭借这一优势,原子层沉积成为半导体先进工艺制程中的重要技术,为实现原子级尺寸和精度的... 原子层沉积是一种气相沉积薄膜的技术,基于表面化学饱和吸附的连续自限反应的机理,薄膜沉积过程可以在各式各样的基底上实现原子级的保形性生长。凭借这一优势,原子层沉积成为半导体先进工艺制程中的重要技术,为实现原子级尺寸和精度的器件工艺提供了重要技术支撑。与传统的化学气相沉积和物理气相沉积不同,原子层沉积在低生长温度下制备的薄膜具有良好的台阶覆盖率、原子尺度上厚度的精准可控性和成分均匀性。分子层沉积是一种类似于原子层沉积的气相沉积技术,它可以精确控制所制备聚合物薄膜的厚度和组成,且同样具有优异的保形性,是一种制备聚合物薄膜的新兴技术。本文首先介绍了原子层沉积的技术原理和特征,然后结合原子层沉积的特征优势列举了原子层沉积在半导体先进工艺制程中应用的例子,包括用于制备高k介质层材料、籽晶层材料、扩散阻挡层材料、间隔层材料、水汽阻隔层材料。后续介绍了分子层沉积技术原理和原子层/分子层沉积组合技术制备的无机-有机杂化薄膜在介电材料和水汽阻隔材料中的应用,最后进行了总结并指出原子层沉积和分子层沉积技术将在芯片器件高端工艺中扮演越来越重要的角色。 展开更多
关键词 原子层沉积 分子层沉积 半导体 先进工艺 薄膜
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硬X射线光电子能谱在半导体材料和器件中的应用
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作者 宋华平 杨安丽 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期505-513,共9页
与常规X射线光电子能谱(XPS,能量E<2 keV))相比,硬X射线光电子能谱(HAXPES)由于采用较高能量的X射线(E>2 keV),具有更大的探测深度,已经成为研究复杂材料体系的体性质,以及多层薄膜结构和纳米复合结构界面性质的重要分析工具。简... 与常规X射线光电子能谱(XPS,能量E<2 keV))相比,硬X射线光电子能谱(HAXPES)由于采用较高能量的X射线(E>2 keV),具有更大的探测深度,已经成为研究复杂材料体系的体性质,以及多层薄膜结构和纳米复合结构界面性质的重要分析工具。简要论述了HAXPES的主要特点及其发展现状,重点介绍其在半导体材料和器件研究中的典型应用,包含亚表面性质、极性判定、异质结能带结构、掺杂原子空间位置信息、器件层中界面态、介质层厚度评估等方面。随着硬X射线光源技术的不断发展,HAXPES的性能将进一步提高,其应用范围也会快速拓展,这将极大地促进功能材料的发展和应用。 展开更多
关键词 硬X射线光电子能谱(HAXPES) 硬X射线光电子衍射 半导体材料和器件 能带结构 亚表面性质
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Buck变换器的状态离散时间模型及其极限电压响应控制策略研究 被引量:1
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作者 张明 邹谦 +3 位作者 罗雷明 刘宁宇 张凡武 雷鹏 《微电子学与计算机》 2023年第6期100-108,共9页
为了提高开关电源变换器的建模精度和控制性能,提出了一种状态切换离散时间模型(State Switching Discrete time Model,SSDM).该模型在建模时考虑的是每个开关周期内的状态,而不是变换器的平均状态,故在高频下其精度比传统的状态平均模... 为了提高开关电源变换器的建模精度和控制性能,提出了一种状态切换离散时间模型(State Switching Discrete time Model,SSDM).该模型在建模时考虑的是每个开关周期内的状态,而不是变换器的平均状态,故在高频下其精度比传统的状态平均模型更高.基于开关持续时间的全微分方程,精确计算一个周期内的电感电流和输出电压,从而推导出SSDM.此外,通过SSDM推导出极限电压响应(Limiting Voltage Response,LVR)控制策略.该策略通过电压预测计算出合适的占空比,以在最小开关周期内将输出电压调节为参考值.通过这种策略,变换器不仅实现了非常快的负载/线路瞬态响应和参考跟踪速度,而且在偏差电感下表现出很高的稳定性.最后,通过频率响应分析和实验验证了SSDM的准确性和系统的稳定性.实验结果表明,在不同工况下,LVR控制策略下的输出电压瞬态响应时间相比传统控制策略下的输出电压瞬态响应时间缩短了70%以上;当电感值偏离23%时,在LVR控制策略下的输出电压仍然保持稳定. 展开更多
关键词 BUCK DC-DC 离散时间模型 极限响应控制
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