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Cat-CVD法制备硅薄膜及在TFT中的应用进展
被引量：
1
1
作者
刘少林
邹兆一
+2 位作者
庞春霖
付国柱
邱法斌
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期483-490,共8页
目前有源平板显示领域主要采用PECVD法制备TFT用硅薄膜,但是由于PECVD中等离子对Si薄膜的损伤以及淀积薄膜的温度很高的缺点,使其在制备高迁移率TFT的应用中受到了限制。新出现的催化化学气相淀积法(Cat-CVD)与PECVD法相比,具有淀积速...
目前有源平板显示领域主要采用PECVD法制备TFT用硅薄膜,但是由于PECVD中等离子对Si薄膜的损伤以及淀积薄膜的温度很高的缺点,使其在制备高迁移率TFT的应用中受到了限制。新出现的催化化学气相淀积法(Cat-CVD)与PECVD法相比,具有淀积速率高、原料气体利用效率高、衬底温度低、生长的薄膜致密、电学特性好等优点,将更有希望成为TFT用硅薄膜制备的新技术。文章对Cat-CVD法的工作机理及其在TFT中的应用进展进行了详细总结,归纳了各种催化丝材料,并对当前Cat-CVD技术研究中的不足及其以后的研究发展进行了讨论。
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关键词
硅薄膜
薄膜晶体管
化学气相淀积法
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职称材料
题名
Cat-CVD法制备硅薄膜及在TFT中的应用进展
被引量：
1
1
作者
刘少林
邹兆一
庞春霖
付国柱
邱法斌
机构
吉林大学电子科学与工程学院
中国科学院长春光学
精密
机械与物理研究所
清溢
精密
光电
(
深圳
)
有限公司
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期483-490,共8页
基金
国家"863"计划资助项目(No.2002AA303250)
吉林省科技发展计划项目(No.20010305)
文摘
目前有源平板显示领域主要采用PECVD法制备TFT用硅薄膜,但是由于PECVD中等离子对Si薄膜的损伤以及淀积薄膜的温度很高的缺点,使其在制备高迁移率TFT的应用中受到了限制。新出现的催化化学气相淀积法(Cat-CVD)与PECVD法相比,具有淀积速率高、原料气体利用效率高、衬底温度低、生长的薄膜致密、电学特性好等优点,将更有希望成为TFT用硅薄膜制备的新技术。文章对Cat-CVD法的工作机理及其在TFT中的应用进展进行了详细总结,归纳了各种催化丝材料,并对当前Cat-CVD技术研究中的不足及其以后的研究发展进行了讨论。
关键词
硅薄膜
薄膜晶体管
化学气相淀积法
Keywords
Si-film
TFT
Cat-CVD
分类号
TN141 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
Cat-CVD法制备硅薄膜及在TFT中的应用进展
刘少林
邹兆一
庞春霖
付国柱
邱法斌
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
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