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全固源分子束外延技术及其在光电子器件制作中的应用: 1; 作者郝智彪卢京辉 +1 位作者周丹罗毅《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期32-35,共4页; 传统分子束外延(MBE)技术是不能生长含磷化合物的,原因在于通常情况下磷会带来很高的饱和蒸气压,使得生长难于控制。近几年来兴起的全固源MBE技术结合了裂解技术、阀门机制、“三温度区”结构及原位产生白磷的思想,它解决了传统MBE难以... 展开更多; 关键词分子束外延全固源半导体光电子器件铟镓砷; 在线阅读下载PDF 职称材料

同一外延层结构高速DFB激光器/EA调制器集成光源的研究被引量：1: 2; 作者熊兵王健 +1 位作者孙长征罗毅《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期19-22,共4页; 对利用同一外延层结构实现ＤＦＢ激光器与ＥＡ调制器的集成机理进行了理论分析,指出该集成方法有可能获得激光器激射波长与调制器工作波长之间的良好匹配．在理论分析的基础上,研制出了基于同一外延层结构的高速集成光源,该器件具有良... 展开更多; 关键词同一外延层 DFB激光器 EA调制器高速集成光源.; 在线阅读下载PDF 职称材料

窄线宽半导体激光器件被引量：10: 3; 作者罗毅黄缙孙长征《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第2期147-151,共5页; 分布反馈半导体激光器的线宽一般较大,难以满足光纤传感等领域的要求。根据C.H.Henry于1982年提出的半导体激光器的线宽理论,通过适当设计DFB半导体激光器的腔长、耦合系数、微分增益、光限制因子,能有效地减小激光器的线宽。同时,空间... 展开更多; 关键词窄线宽 DFB激光器 DBR激光器外腔激光器; 在线阅读下载PDF 职称材料

氮化镓基高亮度发光二极管材料外延和干法刻蚀技术被引量：1: 4; 作者罗毅邵嘉平 +5 位作者郭文平韩彦军胡卉薛松孙长征郝智彪《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第F01期381-385,共5页; 通过对氮化镓(Galliumnitride,GaN)基蓝色高亮度发光二极管(Highbrightnesslightemittingdiode,HB LED)材料金属有机气相外延(Metalorganicvaporphaseepitaxy,MOVPE)生长技术的研究和优化以及在有源区内引入新型InxGa1-xN/GaN多量子阱(M... 展开更多; 关键词氮化镓发光二极管外延生长干法刻蚀 HB-LED MOVPE; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于超结构长周期光纤光栅的OCDMA编解码器被引量：1: 5; 作者燕萌姚敏玉张洪明《光通信研究》北大核心 2008年第2期18-20,63,共4页; 文章在分析长周期光纤光栅的透射特性的基础上,提出超结构长周期光栅(SSLPG)具有与超结构布拉格光栅(SSFBG)的反射谱相似的交叉透射谱,并提出利用色散补偿光纤(DCF)中基模和内包层模之间的模式耦合可制作基于SSLPG的光码分多址(OCDMA)... 展开更多; 关键词光通信光码分多址超结构长周期光纤光栅时域扩展相住编码; 在线阅读下载PDF 职称材料

应用于40Gb/s电吸收调制器的Al_2O_3高速热沉研究被引量：2: 6; 作者田建柏熊兵 +3 位作者王健蔡鹏飞孙长征罗毅《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期105-108,共4页; 设计制作了面向40Gb／s电吸收调制器（EAM）的高速微波过渡热沉，并进行了EAM管芯级封装测试的验证．这种基于氧化铝（Al2O3）的热沉采用共面波导（CPW）传输线以实现低损耗微波传送，以及Ta2N薄膜电阻用于EAM的阻抗匹配，采用Ti／Cu／N... 展开更多; 关键词高速热沉电吸收调制器共面波导传输线薄膜电阻阻抗匹配; 在线阅读下载PDF 职称材料

InGaAs/InGaAlAs应变补偿量子阱激光器及其温度特性研究被引量：1: 7; 作者孙可王健华彭吉虎《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2000年第2期50-52,共3页; 实现了InGaAs/InGaAlAs应变补偿量子阱激光器的室温脉冲激射,激射波长为156μm,阈值电流密度小于185kA/cm2,脊波导结构的激光器最低阈值电流为35mA。; 关键词应变补偿激光器量子阱温度特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

应用于40Gb/s高速热沉的匹配电阻研究: 8; 作者张明俊孙长征 +2 位作者蔡鹏飞熊兵罗毅《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期344-348,共5页; 针对40Gb/s高速过渡热沉阻抗匹配的要求,对基于Ta2N薄膜的匹配电阻制作工艺进行了系统研究.根据过渡热沉的等效电路模型,分析了Ta2N薄膜电阻与传输线电极间接触电阻对高频反射特性的影响,并通过理论仿真确定了热沉匹配电阻的容差范围.... 展开更多; 关键词阻抗匹配 Ta2N薄膜接触电阻比接触电阻率; 在线阅读下载PDF 职称材料

InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器: 9; 作者金峰孙可 +5 位作者俞谦王健华李德杰蔡丽红黄绮周钧铭《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1997年第6期24-26,共3页; 在国内首次设计并制作了脊波导结构的In(0.53)Ga(0.47)As／In(0.52)Al(0.48)AS多量子阱电吸收型光调制器，并对它的工作特性进行了测试。在3.0V的驱动电压下实现了20dB以上的消光比，光3dB带宽达到了3GHz。对限制光调制器带宽的主要原... 展开更多; 关键词光调制器电吸收多量子阱 INGAAS/INALAS; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名全固源分子束外延技术及其在光电子器件制作中的应用: 1; 作者郝智彪卢京辉周丹罗毅; 机构清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期32-35,共4页; 文摘传统分子束外延(MBE)技术是不能生长含磷化合物的,原因在于通常情况下磷会带来很高的饱和蒸气压,使得生长难于控制。近几年来兴起的全固源MBE技术结合了裂解技术、阀门机制、“三温度区”结构及原位产生白磷的思想,它解决了传统MBE难以生长含磷材料的难题,与气源(GS)MBB和有机金属气相外延(MOCVD)相比,在成本和安全性方面具有优势,成为极具发展潜力的新一代外延生长技术。利用全固源MBE技术可生长高性能半导体光电子材料,尤其是InGaAsP系材料,其器件性能达到或超过了MOCVD、GSMBE生长的同类器件的最佳水平。; 关键词分子束外延全固源半导体光电子器件铟镓砷; Keywords molecule beam epitaxy all solid-source MBE valved cracking semiconductor optoelectronic device InGaAsP; 分类号 TN205 [电子电信—物理电子学] TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名同一外延层结构高速DFB激光器/EA调制器集成光源的研究被引量：1: 2; 作者熊兵王健孙长征罗毅; 机构清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期19-22,共4页; 基金国家自然科学基金(批准号96525407及69896260-1) "973"国家重点基础研究项目(批准号G2000-03-6601)资助项目; 文摘对利用同一外延层结构实现ＤＦＢ激光器与ＥＡ调制器的集成机理进行了理论分析,指出该集成方法有可能获得激光器激射波长与调制器工作波长之间的良好匹配．在理论分析的基础上,研制出了基于同一外延层结构的高速集成光源,该器件具有良好的静态特性,并达到了约８ＧＨｚ的小信号调制带宽．; 关键词同一外延层 DFB激光器 EA调制器高速集成光源.; Keywords identical epitaxial layer (IEL) structure, DFB laser, EA modulator, high-speed integrated source.; 分类号 TN24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名窄线宽半导体激光器件被引量：10: 3; 作者罗毅黄缙孙长征; 机构清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第2期147-151,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(60536020) 国家重点基础研究发展计划"973"资助项目(2006CB302801); 文摘分布反馈半导体激光器的线宽一般较大,难以满足光纤传感等领域的要求。根据C.H.Henry于1982年提出的半导体激光器的线宽理论,通过适当设计DFB半导体激光器的腔长、耦合系数、微分增益、光限制因子,能有效地减小激光器的线宽。同时,空间烧孔现象也可限制DFB半导体激光器的线宽,为此需要合理设计光栅结构。在此基础上,DFB激光器的线宽能达到几十千赫兹的量级。此外,采用DBR结构或者外腔结构,也可以获得相当窄的线宽。; 关键词窄线宽 DFB激光器 DBR激光器外腔激光器; Keywords Narrow linewidth DFB lasers DBR lasers External cavity lasers; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氮化镓基高亮度发光二极管材料外延和干法刻蚀技术被引量：1: 4; 作者罗毅邵嘉平郭文平韩彦军胡卉薛松孙长征郝智彪; 机构清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室; 出处《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第F01期381-385,共5页; 基金国家重点基础研究发展规划资助项目(TG2000036601) 国家"八六三"计划资助项目(2001AA312190 +1 种基金 2002AA31119Z) 国家自然科学基金资助项目(60244001); 文摘通过对氮化镓(Galliumnitride,GaN)基蓝色高亮度发光二极管(Highbrightnesslightemittingdiode,HB LED)材料金属有机气相外延(Metalorganicvaporphaseepitaxy,MOVPE)生长技术的研究和优化以及在有源区内引入新型InxGa1-xN/GaN多量子阱(Multiplequantumwells,MQWs)结构,获得了高性能的HB LED外延片材料。高分辨率X射线衍射(HighresolutionX raydiffraction,HR XRD)和变温光致荧光谱(Temperaturedependentphoto luminescencespectra,TD PLSpectra)测量表明外延材料的异质界面陡峭,单晶质量优异,并由变注入电致荧光谱(Injectiondependentelectroluminescencespectra,ID ELspectra)测量获得:HB LED芯片的峰值发光波长在注入电流为2mA至120mA变化下蓝移量小于1nm,电致荧光谱的半高全宽值(Fullwidthhalfmaximum,FWHM)在注入电流为20mA时仅为18nm。此外,还介绍了GaN基材料感应耦合等离子体(Inductivelycoupledplasma,ICP)干法刻蚀技术。考虑实际需要,本文作者开发了AlGaN/GaN异质材料的非选择性刻蚀工艺,原子力显微镜(Atomicforcemicroscope,AFM)观察得到AlGaN/GaN刻蚀表面均方根粗糙度RMS仅为0.85nm,与外延片的表面平整度相当。还获得了AlGaN/GaN高选择比的刻蚀技术,GaN和AlGaN的刻蚀选择比为60。; 关键词氮化镓发光二极管外延生长干法刻蚀 HB-LED MOVPE; Keywords GaN LED material epitacxy dry etching fabrication technology; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于超结构长周期光纤光栅的OCDMA编解码器被引量：1: 5; 作者燕萌姚敏玉张洪明; 机构清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室; 出处《光通信研究》北大核心 2008年第2期18-20,63,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(60477021); 文摘文章在分析长周期光纤光栅的透射特性的基础上,提出超结构长周期光栅(SSLPG)具有与超结构布拉格光栅(SSFBG)的反射谱相似的交叉透射谱,并提出利用色散补偿光纤(DCF)中基模和内包层模之间的模式耦合可制作基于SSLPG的光码分多址(OCDMA)时域扩展相位编码器。仿真表明,用SSLPG和SSFBG能获得相同的编解码效果。; 关键词光通信光码分多址超结构长周期光纤光栅时域扩展相住编码; Keywords optical communication OCDMA SuperStructured Long Period Grating（SSLPG） time-spread phase coding; 分类号 TN76 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名应用于40Gb/s电吸收调制器的Al_2O_3高速热沉研究被引量：2: 6; 作者田建柏熊兵王健蔡鹏飞孙长征罗毅; 机构清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期105-108,共4页; 基金国家自然科学基金(60244001 60223001和60290084) +1 种基金 "973"重点国家基础研究(G2000-03-6601)资助项目; 文摘设计制作了面向40Gb／s电吸收调制器（EAM）的高速微波过渡热沉，并进行了EAM管芯级封装测试的验证．这种基于氧化铝（Al2O3）的热沉采用共面波导（CPW）传输线以实现低损耗微波传送，以及Ta2N薄膜电阻用于EAM的阻抗匹配，采用Ti／Cu／Ni／Au金属材料作为CPW传输线电极材料，从而保证CPW传输线与Ta2N电阻材料之间良好的电接触，使热沉的典型反射系数在0—40GHz范围内均达到优于-21dB的水平．作为验证，采用该种热沉用于高速EAM的管芯级封装，测试得到小信号调制响应带宽超过40GHz．; 关键词高速热沉电吸收调制器共面波导传输线薄膜电阻阻抗匹配; Keywords high-speed submount electroabsorption modulator （EAM） coplanar waveguide （CPW） thin-film resistor impedance matching; 分类号 TN36 [电子电信—物理电子学] TN81 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InGaAs/InGaAlAs应变补偿量子阱激光器及其温度特性研究被引量：1: 7; 作者孙可王健华彭吉虎; 机构清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室; 出处《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2000年第2期50-52,共3页; 基金国家自然科学基金!资助项目 ( 6 94870 0 4); 文摘实现了InGaAs/InGaAlAs应变补偿量子阱激光器的室温脉冲激射,激射波长为156μm,阈值电流密度小于185kA/cm2,脊波导结构的激光器最低阈值电流为35mA。; 关键词应变补偿激光器量子阱温度特性; Keywords Strain compensation, Laser diode, Quantum well; 分类号 TN365 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名应用于40Gb/s高速热沉的匹配电阻研究: 8; 作者张明俊孙长征蔡鹏飞熊兵罗毅; 机构清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期344-348,共5页; 基金国家自然科学基金(60536020 60390074) "973"重大国家基础研究计划(2006CB302801); 文摘针对40Gb/s高速过渡热沉阻抗匹配的要求,对基于Ta2N薄膜的匹配电阻制作工艺进行了系统研究.根据过渡热沉的等效电路模型,分析了Ta2N薄膜电阻与传输线电极间接触电阻对高频反射特性的影响,并通过理论仿真确定了热沉匹配电阻的容差范围.利用磁控反应溅射技术,制作出特性稳定、方阻可调的Ta2N电阻薄膜.通过优化高温退火条件,将电阻薄膜与金属电极间的比接触电阻率降至10-6Ω.cm2量级.在此基础上,制作出了性能良好稳定、可应用于40Gb/s光电子器件封装的高速过渡热沉.; 关键词阻抗匹配 Ta2N薄膜接触电阻比接触电阻率; Keywords impedance matching Ta2N thin-film contact resistance specific contact resistivity; 分类号 TN454 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器: 9; 作者金峰孙可俞谦王健华李德杰蔡丽红黄绮周钧铭; 机构清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室中国科学院物理研究所; 出处《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1997年第6期24-26,共3页; 基金 863计划资助; 文摘在国内首次设计并制作了脊波导结构的In(0.53)Ga(0.47)As／In(0.52)Al(0.48)AS多量子阱电吸收型光调制器，并对它的工作特性进行了测试。在3.0V的驱动电压下实现了20dB以上的消光比，光3dB带宽达到了3GHz。对限制光调制器带宽的主要原因进行了分析，结果表明器件电容限制了带宽的提高，这主要是由于SiO2刻蚀液的钻蚀导致SiO2绝缘层厚度减小造成的。改进制作工艺可望大大改善调制器的工作带宽。; 关键词光调制器电吸收多量子阱 INGAAS/INALAS; Keywords Optical modulator, Electro-absorption, MQW, InGaAs/InAlAs; 分类号 TN929.11 [电子电信—通信与信息系统] TN761 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	全固源分子束外延技术及其在光电子器件制作中的应用	郝智彪卢京辉周丹罗毅	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	1999	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	同一外延层结构高速DFB激光器/EA调制器集成光源的研究	熊兵王健孙长征罗毅	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2002	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	窄线宽半导体激光器件	罗毅黄缙孙长征	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2007	10	在线阅读下载PDF 职称材料
4	氮化镓基高亮度发光二极管材料外延和干法刻蚀技术	罗毅邵嘉平郭文平韩彦军胡卉薛松孙长征郝智彪	《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基于超结构长周期光纤光栅的OCDMA编解码器	燕萌姚敏玉张洪明	《光通信研究》北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	应用于40Gb/s电吸收调制器的Al_2O_3高速热沉研究	田建柏熊兵王健蔡鹏飞孙长征罗毅	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2006	2	在线阅读下载PDF 职称材料
7	InGaAs/InGaAlAs应变补偿量子阱激光器及其温度特性研究	孙可王健华彭吉虎	《高技术通讯》 EI CAS CSCD	2000	1	在线阅读下载PDF 职称材料
8	应用于40Gb/s高速热沉的匹配电阻研究	张明俊孙长征蔡鹏飞熊兵罗毅	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
9	InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器	金峰孙可俞谦王健华李德杰蔡丽红黄绮周钧铭	《高技术通讯》 EI CAS CSCD	1997	0	在线阅读下载PDF 职称材料