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题名基于直接调制和外调制的高速半导体激光光源
被引量：11
- 1
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作者
罗毅
徐建明
黄缙
孙长征
熊兵
蔡鹏飞
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机构
清华大学电子工程系清华信息科学与技术国家实验室(筹)/集成光电子学国家重点实验室
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出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2008年第2期200-204,共5页
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基金
国家自然科学基金(60723002
60536020
+4 种基金
60390074)
国家重点基础研究发展计划"973"(2006CB302800
2006CB921106)
国家高技术研究发展计划"863"(2006AA03A105)
北京市科委重大计划(D0404003040321)资助项目
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文摘
直接调制和外调制的半导体激光光源在现代光纤通信系统中有着重要的应用。首先介绍了应用于10 Gb/s接入网系统的直接调制AlGaInAs多量子阱DFB激光器。由于AlGaInAs量子阱的导带不连续性较大,因此基于该材料的半导体激光器具有良好的温度特性,其特征温度达到了88 K。同时,该直接调制激光器的3 dB小信号调制响应带宽超过15 GHz。随后介绍面向40 Gb/s干线传输系统的高速DFB激光器/EA调制器集成光源。该集成光源采用同一外延层集成方案,并采用Al2O3高速微波热沉进行了管芯级封装,在3 V反向偏压下获得大于13 dB的静态消光比,3 dB小信号调制带宽超过40 GHz。
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关键词
直接调制
外调制
DFB激光器
EA调制器
同一外延层结构
单片集成
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Keywords
Direct modulation
Identical epitaxial External modulation
DFB laser
EA modulator
layer scheme
Monolithic integration
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分类号
TN365
[电子电信—物理电子学]
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题名基于LED的直下式动态LCD背光源
被引量：3
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作者
刘佳尧
钱可元
韩彦军
罗毅
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机构
清华大学深圳研究生院半导体照明实验室
清华大学电子工程系清华信息科学与技术国家实验室(筹)/集成光电子学国家重点实验室
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出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期448-452,共5页
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基金
国家自然科学基金(No60536020
60723002)
+5 种基金
国家重点基础研究发展计划"973"(No2006CB302801
2006CB302804
2006CB302806
2006CB921106)
国家高技术研究发展计划"863"(No2006AA03A105)
北京市科委重大计划(NoD0404003040321)
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文摘
对液晶显示来说,与静态背光源相比,直下式动态背光源具有多种优点。提出了一种基于LED的直下式动态背光源结构,将单个LED发出的光投射区域限制在散光膜的单一区域,即每个LED只负责液晶部分区域的背光照明。基于该结构,对240mm×180mm尺寸的背光源仿真结果进行了理论分析,结果表明其亮度均匀度达到93.1%,ΔU′V′小至0.003545,完全满足背光源应用要求。
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关键词
背光源
LED
直下式
动态
动态模糊
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Keywords
backlight
LED
direct
dynamic
motion-blur
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分类号
TN312.8
[电子电信—物理电子学]
TN383
[电子电信—物理电子学]
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