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无硒气氛退火下掺入Sb_2S_3提高CIGS薄膜晶粒尺寸的研究
1
作者
张冷
庄大明
+3 位作者
赵明
孙汝军
魏要伟
吕循岩
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第1期51-55,共5页
将一薄层Sb_2S_3置于Cu(InGa)Se_2(CIGS)薄膜与Mo薄膜之间,于不含硒源的惰性气氛中退火,发现随Sb_2S_3厚度的增加,CIGS薄膜的晶粒尺寸显著增大,薄膜的择优生长面由(112)晶面向(220/204)晶面转变。为阐明晶粒的生长机理,研究退火温度对Sb...
将一薄层Sb_2S_3置于Cu(InGa)Se_2(CIGS)薄膜与Mo薄膜之间,于不含硒源的惰性气氛中退火,发现随Sb_2S_3厚度的增加,CIGS薄膜的晶粒尺寸显著增大,薄膜的择优生长面由(112)晶面向(220/204)晶面转变。为阐明晶粒的生长机理,研究退火温度对Sb_2S_3掺杂的CIGS薄膜的晶粒尺寸和物相的影响规律,发现薄膜在450～500℃之间晶粒尺寸增大显著。在实验结果的基础上提出一种气相促进晶粒生长的模型和液相促进晶粒生长的模型。
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关键词
薄膜太阳电池
晶粒生长
机理
Sb掺杂
CIGS
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职称材料
题名
无硒气氛退火下掺入Sb_2S_3提高CIGS薄膜晶粒尺寸的研究
1
作者
张冷
庄大明
赵明
孙汝军
魏要伟
吕循岩
机构
清华大学材料学院先进成形制造教育部重点实验室新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第1期51-55,共5页
基金
国家自然科学基金(51502152)
北京市自然科学基金(3162016)
文摘
将一薄层Sb_2S_3置于Cu(InGa)Se_2(CIGS)薄膜与Mo薄膜之间,于不含硒源的惰性气氛中退火,发现随Sb_2S_3厚度的增加,CIGS薄膜的晶粒尺寸显著增大,薄膜的择优生长面由(112)晶面向(220/204)晶面转变。为阐明晶粒的生长机理,研究退火温度对Sb_2S_3掺杂的CIGS薄膜的晶粒尺寸和物相的影响规律,发现薄膜在450～500℃之间晶粒尺寸增大显著。在实验结果的基础上提出一种气相促进晶粒生长的模型和液相促进晶粒生长的模型。
关键词
薄膜太阳电池
晶粒生长
机理
Sb掺杂
CIGS
Keywords
thin film solar cells
grain growth
mechanisms
Sb-doping
CIGS
分类号
TM914 [电气工程—电力电子与电力传动]
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题名
作者
出处
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1
无硒气氛退火下掺入Sb_2S_3提高CIGS薄膜晶粒尺寸的研究
张冷
庄大明
赵明
孙汝军
魏要伟
吕循岩
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
0
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