AlGaN/GaN异质结极化行为与二维电子气 被引量：2

1

作者 薛丽君 刘明 +2 位作者 王燕 夏洋 陈宝钦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期63-65,56,共4页

AlGaN/GaN异质结及其相关器件因其优越的电学特性成为近几年的研究热点。2DEG作为其特征与材料本身的极化现象关系密切。本文主要从晶体微观结构角度介绍AlGaN/GaN异质结极化现象的产生、机理和方向性,着重讨论极化对异质结界面处诱生... AlGaN/GaN异质结及其相关器件因其优越的电学特性成为近几年的研究热点。2DEG作为其特征与材料本身的极化现象关系密切。本文主要从晶体微观结构角度介绍AlGaN/GaN异质结极化现象的产生、机理和方向性,着重讨论极化对异质结界面处诱生的二维电子气的影响。极化不仅可提高2DEG的浓度,而且还能使其迁移率得到提高。 展开更多

关键词 AIGAN/GAN 异质结 极化 二维电子气 2DEG

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分簇VLIW结构下利用数据依赖图优化调度的研究 被引量：1

2

作者 杨旭 何虎 孙义和 《计算机学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第1期182-192,共11页

应用的需求促使如今的处理器必须尽可能高地利用程序中所存在的指令级并行度,然而,高指令级并行的硬件和指令调度技术会给寄存器资源带来极大的压力.要在单一寄存器堆的情况下,既维持高的指令级并行度,又保持高的运行时钟频率是一件非... 应用的需求促使如今的处理器必须尽可能高地利用程序中所存在的指令级并行度,然而,高指令级并行的硬件和指令调度技术会给寄存器资源带来极大的压力.要在单一寄存器堆的情况下,既维持高的指令级并行度,又保持高的运行时钟频率是一件非常困难的事情,这是因为,当指令级并行度足够高时,在单一寄存器堆情况下,寄存器堆访问端口数目的限制会使得对寄存器堆的访问时间成为制约性能提高的关键因素.为了在利用高的指令级并行度的同时维持高的运行时钟频率,可以将寄存器堆和功能单元划分到不同的簇中.每一个簇中的功能单元可以直接访问簇内的寄存器堆,而簇间的数据交互则需要占用专用的资源来进行.因此,分簇结构下的编译器不仅要通过调度实现最大程序的指令级并行度,还应该对指令的分簇进行细致的安排以限制簇间的数据交互.该文致力于通过对数据依赖图(Data Dependence Graph)分析和划分,从而在最小化簇间的数据交互的同时,平衡各簇的利用情况,提高能够获得的指令级并行度,从而优化分簇式VLIW结构的调度性能.实验结果证明,该文所提出的方法可以极大地减少簇间的数据交互量,提高所能获得的指令级并行度,从而对调度结果的性能加以改善. 展开更多

关键词 分簇 VLIW结构 数据依赖图 指令调度 簇间数据交互

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Si(Ge)MOSFET器件微结构的研究

3

作者 刘安生 安生 +4 位作者 邵贝羚 王敬 付军 栾洪发 钱佩信 《电子显微学报》 CAS CSCD 1997年第3期312-317,共6页

采用横断面的透射电子显微术、扫描电子显微术和高分辨电子显微学方法，研究了ＧｅＳｉ沟道ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的微结构。观察表明，器件是由Ｓｉ基片／ＳｉＯ２非晶层／ＳＯＩＳｉ层／ＧｅＳｉ沟道层／超薄ＳｉＯ２非晶层／Ｓｉ细晶层／... 采用横断面的透射电子显微术、扫描电子显微术和高分辨电子显微学方法，研究了ＧｅＳｉ沟道ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的微结构。观察表明，器件是由Ｓｉ基片／ＳｉＯ２非晶层／ＳＯＩＳｉ层／ＧｅＳｉ沟道层／超薄ＳｉＯ２非晶层／Ｓｉ细晶层／ＳｉＯ２非晶层／Ａｌ电极层等组成的；ＳＯＩＳｉ层工作区单晶性良好，很难找到缺陷，缺陷能有效地被限制在工作区两侧的缺陷聚集区；在ＳＯＩＳｉ层和ＧｅＳｉ沟道层之间存在着一些瓣状衬度，它可能是在分子束外延（ＭＢＥ）方法生长ＧｅＳｉ层时所引入的位错环，Ｓｉ细晶层是由无择优取向的、柱状生长的细晶粒组成； 展开更多

关键词 MOSFET 微结构 多层膜 电子显微术

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P－MOSFET的TEM研究

4

作者 刘安生 安生 +3 位作者 邵贝羚 王敬 付军 钱佩信 《电子显微学报》 CAS CSCD 1996年第6期522-522,共1页

Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的ＴＥＭ研究＊刘安生安生邵贝羚王敬付军钱佩信（北京有色金属研究总院，１０００８８北京）（清华大学微电子研究所，１０００８４北京）空穴的迁移率远低于电子迁移率，与Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ相比Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的最... Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的ＴＥＭ研究＊刘安生安生邵贝羚王敬付军钱佩信（北京有色金属研究总院，１０００８８北京）（清华大学微电子研究所，１０００８４北京）空穴的迁移率远低于电子迁移率，与Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ相比Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的最大缺点就是电流驱动能力弱。为此，人... 展开更多

关键词 P-MOSFET TEM 场效应器件

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流延硅基PZT厚膜工艺研究 被引量：1

5

作者 林州 赵宏锦 +3 位作者 任天令 刘理天 左如忠 李龙土 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第6期449-452,共4页

研究了基于流延技术制备硅基锆钛酸铅 (PZT)厚膜的工艺。考虑衬底特性对厚膜品质的影响 ,在不同的种子层上分别制备了 PZT厚膜 ,测试工艺结果 ,证实了种子层的作用。分析了高温烧结时间对流延 PZT厚膜品质的影响 ,确定了最优高温烧结时... 研究了基于流延技术制备硅基锆钛酸铅 (PZT)厚膜的工艺。考虑衬底特性对厚膜品质的影响 ,在不同的种子层上分别制备了 PZT厚膜 ,测试工艺结果 ,证实了种子层的作用。分析了高温烧结时间对流延 PZT厚膜品质的影响 ,确定了最优高温烧结时间。文章提出的硅基 展开更多

关键词 流延 锆钛酸铅 厚膜 铁电材料 硅基

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氮在砷化镓中行为的研究 被引量：1

6

作者 何杰 卢励吾 +2 位作者 金高龙 许振嘉 张利春 《真空科学与技术》 CSCD 1995年第5期291-296,共6页

在研究难熔金属氮化物／n－GaAs体系的势垒特性随退火温度的变化时，发现势垒特性随温度（700～850℃）提高而有所改善。深入研究发现，在负偏压预溅射氮离子后，难熔金属／n－GaAs的势垒特性仍有此变化。硅化物与砷化镓的接触本无此特... 在研究难熔金属氮化物／n－GaAs体系的势垒特性随退火温度的变化时，发现势垒特性随温度（700～850℃）提高而有所改善。深入研究发现，在负偏压预溅射氮离子后，难熔金属／n－GaAs的势垒特性仍有此变化。硅化物与砷化镓的接触本无此特性，但预溅射氮后出现此现象，因此，人们认为有可能N在GaAs表面形成或参与形成了一个p+层。为深入了解产生这一现象的原因，对两种砷化镓样品：半绝缘和n型GaAs（100）样片，分别注入N+或N+＋Si+，以研究N在GaAs中的行为。退火消除损伤后，对样品进行霍尔测量和深能级瞬态谱研究。分析所得结果，发现N在GaAs中引入一深能级，位置在Ec＝－0．38eV左右，并在退火后可使ELZ能级密度大大增加，但未发现氮在砷化镓中可形成p型层的迹象。如果不是由于实验条件不同的原因，又若确实存在p+层，则很可能是难熔金属或难熔金属与氮共同作用的结果。 展开更多

关键词 氮 砷化镓 离子注入 深能级

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基于LaFeO3/YSZ/Pt结构的混成电势乙醇传感器研究 被引量：2

7

作者 洪浩 孙剑文 +1 位作者 吴次南 刘泽文 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第11期1608-1612,共5页

制备了以掺钇氧化锆(YSZ)为固态电解质,LaFeO3为敏感电极的混成电势乙醇气体传感器。LaFeO3通过溶胶-凝胶法制备并用XRD分析。利用场发射电子扫描显微镜对YSZ基底和敏感电极表面形貌进行了表征。测试结果表明制备的传感器在350℃的工作... 制备了以掺钇氧化锆(YSZ)为固态电解质,LaFeO3为敏感电极的混成电势乙醇气体传感器。LaFeO3通过溶胶-凝胶法制备并用XRD分析。利用场发射电子扫描显微镜对YSZ基底和敏感电极表面形貌进行了表征。测试结果表明制备的传感器在350℃的工作条件下对乙醇有良好的响应(400×10^-6乙醇时135 mV)和较快的响应时间(50×10^-6乙醇时14 s)。测试结果还表明此传感器有良好的可重复性和选择性。 展开更多

关键词 气体传感器 混成电势 溶胶-凝胶 YSZ LAFEO3

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一种适用于分组密码算法芯片的IP核设计研究

8

作者 张文婧 吕述望 +1 位作者 刘鸣 刘振华 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2002年第22期60-62,92,共4页

文章对一种适用于分组密码算法的循环移位器IP核的设计进行了研究,该IP核的可重构设计使其具有可复用性。文章在进行循环移位运算的算法和性能分析的基础上,对循环移位器IP软核与硬核的设计作了详细阐述。

关键词 分组密码算法 芯片 IP核 设计 循环移位器

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两步退火形成钛硅化物和氮化物的研究

9

作者 何杰 刘仲春 +2 位作者 栾洪发 刘理天 钱佩信 《真空科学与技术》 CSCD 1996年第3期193-197,共5页

模拟自对准硅化物技术的两步退火工艺，对超高真空（UHV）下制备的Ti／Si样品依次进行低温退火、腐蚀和高温退火。利用俄歇微探针（AES）和X射线衍射（XRD）分析样品的组分及晶相。发现高温退火后，薄膜内同时生成了Ti的硅化物及氮化物... 模拟自对准硅化物技术的两步退火工艺，对超高真空（UHV）下制备的Ti／Si样品依次进行低温退火、腐蚀和高温退火。利用俄歇微探针（AES）和X射线衍射（XRD）分析样品的组分及晶相。发现高温退火后，薄膜内同时生成了Ti的硅化物及氮化物，这对发展MOS器件工艺中自对准硅、氮化物技术很有意义。另外，还利用扫描电镜（SEM）观察了薄膜形貌，用VandePauw法测量了薄膜电阻。 展开更多

关键词 钛 硅化物 氮化物 两步退火 薄膜反应 集成电路

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基于PicoBlaze的多软核网络处理结构研究

10

作者 李虹霏 赵明 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2009年第7期85-86,89,共3页

介绍一种基于多个8位CPU软核PicoBlaze的网络处理结构。该结构利用现场可编程门阵列(FPGA)的并行性和网络协议分层结构的特点,可以实现一些相对复杂的网络处理功能,并且易于扩展和开发。通过在FPGA上完整实现一个远程启动服务器端的设... 介绍一种基于多个8位CPU软核PicoBlaze的网络处理结构。该结构利用现场可编程门阵列(FPGA)的并行性和网络协议分层结构的特点,可以实现一些相对复杂的网络处理功能,并且易于扩展和开发。通过在FPGA上完整实现一个远程启动服务器端的设计实例,阐明具体的设计方法。 展开更多

关键词 现场可编程门阵列 PicoBlaze软核处理器 多软核网络处理 远程启动

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TiN/n-GaAs体系界面的研究

11

作者 何杰 金高龙 +2 位作者 卢励吾 许振嘉 张利春 《真空科学与技术》 CSCD 1995年第6期368-373,共6页

利用二次离子质谱（SIMS）和深能级瞬态谱（DLTS）研究了TiN／n－GaAs体系。SIMS结果表明，退火后Ti的浓度剖面向砷化镓衬底略有移动，N则基本未变；DLTS观察到在Ec=0．21eV处的Ti3+（3d1）／Ti2+（3d2）单受主中心，但其浓度较EL2要小... 利用二次离子质谱（SIMS）和深能级瞬态谱（DLTS）研究了TiN／n－GaAs体系。SIMS结果表明，退火后Ti的浓度剖面向砷化镓衬底略有移动，N则基本未变；DLTS观察到在Ec=0．21eV处的Ti3+（3d1）／Ti2+（3d2）单受主中心，但其浓度较EL2要小得多。根据实验结果，探讨了退火后难熔金属氮化物／n-GaAs体系电学特性改善的原因。 展开更多

关键词 氮化钛 砷化镓 界面 深能级 集成电路

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基于V93000的SoC中端口非测试复用的ADC和DAC IP核性能测试方案 被引量：13

12

作者 裴颂伟 李兆麟 +1 位作者 李圣龙 魏少军 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1358-1364,共7页

SoC(System-on-a-Chip)芯片设计中,由于芯片测试引脚数目的限制以及基于芯片性能的考虑,通常有一些端口不能进行测试复用的IP(Intellectual Property)核将不可避免地被集成在SoC芯片当中.对于端口非测试复用IP核,由于其端口不能被直接... SoC(System-on-a-Chip)芯片设计中,由于芯片测试引脚数目的限制以及基于芯片性能的考虑,通常有一些端口不能进行测试复用的IP(Intellectual Property)核将不可避免地被集成在SoC芯片当中.对于端口非测试复用IP核,由于其端口不能被直接连接到ATE(Automatic Test Equipment)设备的测试通道上,由此,对端口非测试复用IP核的测试将是对SoC芯片进行测试的一个重要挑战.在本文当中,我们分别提出了一种基于V93000测试仪对端口非测试复用ADC(Analog-to-Digital Converter)以及DAC(Digita-l to-Analog Converter)IP核的性能参数测试方法.对于端口非测试复用ADC和DAC IP核,首先分别为他们开发测试程序并利用V93000通过SoC芯片的EMIF(External Memory Interface)总线对其进行配置.在对ADC和DAC IP核进行配置以后,就可以通过V93000捕获ADC IP核采样得到的数字代码以及通过V93000采样DAC IP核转换得到的模拟电压值,并由此计算ADC以及DAC IP核的性能参数.实验结果表明,本文分别提出的针对端口非测试复用ADC以及DAC IP核测试方案非常有效. 展开更多

关键词 片上系统 模数转换器 数模转换器 V93000测试仪 性能参数

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一种A/D静态参数和动态参数的测试方法 被引量：16

13

作者 薛亮 沈延钊 张向民 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期72-74,共3页

设计了一套测试模数转换器静态和动态参数的方案。首先具体解释了模数转换器的静态参数和动态参数的定义,包括INL、DNL、信噪比、有效位数等,其次阐述了码密度测试和快速傅立叶变换测试的原理,最后用该方案对清华设计的高速模数转换器TH... 设计了一套测试模数转换器静态和动态参数的方案。首先具体解释了模数转换器的静态参数和动态参数的定义,包括INL、DNL、信噪比、有效位数等,其次阐述了码密度测试和快速傅立叶变换测试的原理,最后用该方案对清华设计的高速模数转换器TH0307进行了测试并给出测试结果。该方案适合批量测试。 展开更多

关键词 模数转换器 码密度 快速傅立叶变换

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一种新型的SiGe超高真空化学气相沉积系统 被引量：8

14

作者 罗广礼 陈培毅 +2 位作者 林惠旺 刘志农 钱佩信 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第5期355-357,共3页

研制成功了一台超高真空化学气相沉积系统。该系统采用扁平石英管作为生长室 ,扁平石墨加热器进行加热。系统真空度用分子泵维持 ,本底真空度可达 2× 10 -6Pa。利用该系统所生长的SiGe外延层晶体质量良好 ,界面清晰平直 ;

关键词 超高真空化学气相沉积 SIGE 低温外延

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镜像阻抗连接SAWF的Simulink建模和特性模拟 被引量：5

15

作者 杨磊 任天令 刘理天 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第2期89-91,共3页

镜像阻抗连接结构滤波器是一种低插损、高阻带抑制、高旁瓣抑制的声表面波滤波器。文章介绍了该结构的工作原理和物理模型 ,并使用 Matlab中的 Simulink工具对镜像阻抗连接结构加以数学模型化 ,然后进行了特性模拟 ,得到滤波器的频率响... 镜像阻抗连接结构滤波器是一种低插损、高阻带抑制、高旁瓣抑制的声表面波滤波器。文章介绍了该结构的工作原理和物理模型 ,并使用 Matlab中的 Simulink工具对镜像阻抗连接结构加以数学模型化 ,然后进行了特性模拟 ,得到滤波器的频率响应特性。 展开更多

关键词 镜像阻抗连续结构 声表面滤波器 射频 建模 特性模拟 SIMULINK

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用于无线内窥镜系统的高效、低复杂度的准无损和无损压缩算法 被引量：3

16

作者 谢翔 李国林 王志华 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第3期616-621,共6页

为了降低无线内窥镜系统中无线通信的带宽以及无线发射的功耗,该文提出了一种高效、低复杂度的基于类似BAYER彩色图像阵列的数字图像无损和准无损压缩/解压缩算法。通过对标准图像库中的7幅图像进行压缩的结果表明,该文提出的压缩算法... 为了降低无线内窥镜系统中无线通信的带宽以及无线发射的功耗,该文提出了一种高效、低复杂度的基于类似BAYER彩色图像阵列的数字图像无损和准无损压缩/解压缩算法。通过对标准图像库中的7幅图像进行压缩的结果表明,该文提出的压缩算法比常规先插值后压缩的算法以及先压缩后插值的算法均具有更高的压缩性能和更低的复杂度;可实现对指定ROI区域实现无损压缩,其它区域实现准无损压缩。算法对无线内窥镜图像进行压缩时,可以获得平均图像压缩码率2.18bit/pixel,且PSNR大于47.57dB。 展开更多

关键词 图像压缩 无线内窥镜系统 准无损压缩 JPEG—LS BAYER彩色图像阵列 感兴趣区

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一种支持同时多线程的VLIW DSP架构 被引量：12

17

作者 沈钲 孙义和 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期352-358,共7页

本文提出了一种支持同时多线程的动态分发超长指令字(VLIW)数字信号处理器(DSP)架构.该DSP架构上可以同时运行多个线程,功能单元可以执行来自多个线程的指令,有效地提高DSP的指令吞吐率.为了使多个线程的指令更有效地调度分发到功能单元... 本文提出了一种支持同时多线程的动态分发超长指令字(VLIW)数字信号处理器(DSP)架构.该DSP架构上可以同时运行多个线程,功能单元可以执行来自多个线程的指令,有效地提高DSP的指令吞吐率.为了使多个线程的指令更有效地调度分发到功能单元,该DSP架构还支持指令动态分发,由硬件分发单元而不是编译器来完成多线程指令的动态分配.实验结果表明,相比于单线程而言,本文提出的VLIW DSP架构可以提高功能单元利用率,隐藏存储器访问时延,使处理器的指令吞吐率平均提高约26.89%. 展开更多

关键词 同时多线程 超长指令字 数字信号处理器

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基于模拟退火算法的浮点转定点自动位宽优化工具 被引量：3

18

作者 黎渊 蒋江 +1 位作者 张民选 魏少军 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期76-80,85,共6页

开发了一套浮点转定点自动位宽优化软件系统(SATRANS),能够将用户输入的描述目标系统的浮点程序自动转换为位宽可配置的定点程序,并基于模拟退火算法进行自动位宽搜索,以得到满足精度要求的操作数定点位宽组合.同时,以IIR数字滤波器为例... 开发了一套浮点转定点自动位宽优化软件系统(SATRANS),能够将用户输入的描述目标系统的浮点程序自动转换为位宽可配置的定点程序,并基于模拟退火算法进行自动位宽搜索,以得到满足精度要求的操作数定点位宽组合.同时,以IIR数字滤波器为例对SATRANS进行了实现与验证.结果表明,SATRANS的搜索结果优于传统贪心算法的搜索结果,并能够获得一系列满足精度要求的解,从而使得芯片设计人员能够在精度与复杂度等要素之间加以权衡,并选择一组最合适的位宽组合而用于芯片设计中.选择搜索结果中的面积最优解来配置IIR系统并在XilinxVirtex-6FPGA芯片中实现,相对于IEEE浮点单/双精度系统,其性能分别提高了12.4%和62.8%,面积的降幅分别为93.9%和97.9%. 展开更多

关键词 位宽优化 模拟退火算法 浮点转定点 数字滤波器

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一种高增益宽频带的增益自举运算放大器 被引量：2

19

作者 王晋雄 刘力源 李冬梅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1007-1010,共4页

设计了一个应用于高精度流水线结构ADC中的高增益、宽频带全差分运算跨导放大器(OTA)。整体运放采用了2级结构,第一级采用套筒共源共栅结构,并结合增益自举技术来提高增益;第二级采用共源放大器结构作为输出级,以增大运放的输出信号摆... 设计了一个应用于高精度流水线结构ADC中的高增益、宽频带全差分运算跨导放大器(OTA)。整体运放采用了2级结构,第一级采用套筒共源共栅结构,并结合增益自举技术来提高增益;第二级采用共源放大器结构作为输出级,以增大运放的输出信号摆幅。该设计采用UMC0.18μmCMOS工艺,版图面积为320μm×260μm。仿真结果显示:在1.8 V电源供电5 pF负载下,在各个工艺角及温度变化下增益高于120 dB,增益带宽积(GBW)大于800 MHz,而整个运放消耗16.36 mA的电流,FOM值为306 MHz.pF/mA。 展开更多

关键词 增益自举 共源共栅 增益带宽积 输出摆幅 优值 密勒补偿

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高性能RISC微处理器硬件仿真器设计 被引量：2

20

作者 刘振宇 齐家月 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2004年第8期1436-1441,共6页

在微处理器设计中 ,为了系统级软硬件协同仿真 ,在后端设计前必须采用硬件仿真器对设计进行系统验证 为此 ,采用FPGA设计 32位RISC流水线结构微处理器的硬件仿真器 此设计主要包括以下特点 :采用内存管理单元(MMU)可以实现虚拟地址管... 在微处理器设计中 ,为了系统级软硬件协同仿真 ,在后端设计前必须采用硬件仿真器对设计进行系统验证 为此 ,采用FPGA设计 32位RISC流水线结构微处理器的硬件仿真器 此设计主要包括以下特点 :采用内存管理单元(MMU)可以实现虚拟地址管理 ;包括片上Cache ,其中包括指令Cache(I Cache)和数据Cache(D Cache) ;采用标准SYSAD接口设计 ;包括片上乘除处理单元 (MDU) ;实现精确异常处理 设计采用XILINX公司的xc2v2 0 0 0实现 ,其工作频率为 展开更多

关键词 微处理器 RISC FPGA 硬件仿真器

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