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一种控制硅深刻蚀损伤方法的研究
被引量：
2
1
作者
阮勇
叶双莉
+2 位作者
张大成
任天令
刘理天
《微纳电子技术》
CAS
2007年第7期37-39,共3页
提出了提高硅深反应离子刻蚀的新方法。该方法在硅的侧壁PECVD淀积SiO2，硅的底部采用热氧化的方法形成SiO2。由于在刻蚀中硅与SiO2的刻蚀选择比为120∶1-125∶1，因此SiO2层可以抑制在硅-玻璃结构的刻蚀中出现的lag和footing效应，扫...
提出了提高硅深反应离子刻蚀的新方法。该方法在硅的侧壁PECVD淀积SiO2，硅的底部采用热氧化的方法形成SiO2。由于在刻蚀中硅与SiO2的刻蚀选择比为120∶1-125∶1，因此SiO2层可以抑制在硅-玻璃结构的刻蚀中出现的lag和footing效应，扫描电镜结果也证明，采用改进工艺后的硅结构在经过长时间的过刻蚀后仍然保持了完整性。硅陀螺测试结果也证明了改进工艺的正确性。
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关键词
微电子机械系统
硅-玻璃阳极键合
硅深刻蚀
刻蚀损伤
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职称材料
题名
一种控制硅深刻蚀损伤方法的研究
被引量：
2
1
作者
阮勇
叶双莉
张大成
任天令
刘理天
机构
清华大学微电子所微/纳器件与系统实验室
北京
大学
微电子
研究院
出处
《微纳电子技术》
CAS
2007年第7期37-39,共3页
文摘
提出了提高硅深反应离子刻蚀的新方法。该方法在硅的侧壁PECVD淀积SiO2，硅的底部采用热氧化的方法形成SiO2。由于在刻蚀中硅与SiO2的刻蚀选择比为120∶1-125∶1，因此SiO2层可以抑制在硅-玻璃结构的刻蚀中出现的lag和footing效应，扫描电镜结果也证明，采用改进工艺后的硅结构在经过长时间的过刻蚀后仍然保持了完整性。硅陀螺测试结果也证明了改进工艺的正确性。
关键词
微电子机械系统
硅-玻璃阳极键合
硅深刻蚀
刻蚀损伤
Keywords
MEMS
silicon-glass anodic bonding
silicon DRIE
etching damage
分类号
TN405.983 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
一种控制硅深刻蚀损伤方法的研究
阮勇
叶双莉
张大成
任天令
刘理天
《微纳电子技术》
CAS
2007
2
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