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AlGaN/GaN异质结极化行为与二维电子气 被引量：2
1
作者 薛丽君 刘明 +2 位作者 王燕 夏洋 陈宝钦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期63-65,56,共4页
AlGaN/GaN异质结及其相关器件因其优越的电学特性成为近几年的研究热点。2DEG作为其特征与材料本身的极化现象关系密切。本文主要从晶体微观结构角度介绍AlGaN/GaN异质结极化现象的产生、机理和方向性,着重讨论极化对异质结界面处诱生... AlGaN/GaN异质结及其相关器件因其优越的电学特性成为近几年的研究热点。2DEG作为其特征与材料本身的极化现象关系密切。本文主要从晶体微观结构角度介绍AlGaN/GaN异质结极化现象的产生、机理和方向性,着重讨论极化对异质结界面处诱生的二维电子气的影响。极化不仅可提高2DEG的浓度,而且还能使其迁移率得到提高。 展开更多
关键词 AIGAN/GAN 异质结 极化 二维电子气 2DEG
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Mn掺杂BST薄膜的制备与表征 被引量：15
2
作者 鲍军波 任天令 +3 位作者 刘建设 刘理天 李志坚 李兴教 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期389-391,403,共4页
采用醋酸水溶液体系溶胶 -凝胶法制备了未掺杂和掺 Mn( )钛酸锶钡 (BST)薄膜。用这种方法 ,可在BST体系中容易地加入任何浓度的金属离子 ,并可在室温下长期保存。根据 X-射线衍射图 (XRD)和表面形貌 ,薄膜的晶化温度取为 6 5 0～ 75 0&#... 采用醋酸水溶液体系溶胶 -凝胶法制备了未掺杂和掺 Mn( )钛酸锶钡 (BST)薄膜。用这种方法 ,可在BST体系中容易地加入任何浓度的金属离子 ,并可在室温下长期保存。根据 X-射线衍射图 (XRD)和表面形貌 ,薄膜的晶化温度取为 6 5 0～ 75 0°C。根据掺 Mn BST的 Mn2 p3/2 X-射线光电子能谱 (XPS)图中 Mn2 p3/2 的峰位置 ,显示出薄膜中 Mn的价态与加入的 Mn( )离子价态相同。根据结合能的峰移 ,可以得到掺 Mn BST的费密能级降低0 .7e V。 I- V特性和介电特性测试表明 ,掺 Mn( ) BST的漏电流明显降低 ,相对的介电常数增加 ,损耗角正切降低0 .0 1。根据漏电性质、介电常数和损耗的关系 ,2 % (摩尔分数 )的 Mn掺杂的 BST薄膜适合于低频小信号 (2 V以下 ,约 5 0 0 k Hz)应用 ,而高浓度的 Mn掺杂适合于大信号较高频率 (1MHz以上 )应用。 展开更多
关键词 MN掺杂 BST薄膜 溶胶-凝胶法 X-射线光电子能谱 I-V特征 介电性质
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先进的MEMS封装技术 被引量：11
3
作者 王海宁 王水弟 +1 位作者 蔡坚 贾松良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期7-10,共4页
从特殊的信号界面、立体结构、外壳、钝化和可靠性五个方面总结了MEMS封装的特殊性。介绍了几种当前先进的MEMS封装技术:倒装焊MEMS、多芯片 (MCP)和模块式封装(MOMEMS)。最后强调,必须加强MEMS封装的研究。
关键词 MEMS 封装技术 倒装焊 模块式封装 多芯片 微机电系统 集成电路制造工艺
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基于V93000的SoC中端口非测试复用的ADC和DAC IP核性能测试方案 被引量：13
4
作者 裴颂伟 李兆麟 +1 位作者 李圣龙 魏少军 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1358-1364,共7页
SoC(System-on-a-Chip)芯片设计中,由于芯片测试引脚数目的限制以及基于芯片性能的考虑,通常有一些端口不能进行测试复用的IP(Intellectual Property)核将不可避免地被集成在SoC芯片当中.对于端口非测试复用IP核,由于其端口不能被直接... SoC(System-on-a-Chip)芯片设计中,由于芯片测试引脚数目的限制以及基于芯片性能的考虑,通常有一些端口不能进行测试复用的IP(Intellectual Property)核将不可避免地被集成在SoC芯片当中.对于端口非测试复用IP核,由于其端口不能被直接连接到ATE(Automatic Test Equipment)设备的测试通道上,由此,对端口非测试复用IP核的测试将是对SoC芯片进行测试的一个重要挑战.在本文当中,我们分别提出了一种基于V93000测试仪对端口非测试复用ADC(Analog-to-Digital Converter)以及DAC(Digita-l to-Analog Converter)IP核的性能参数测试方法.对于端口非测试复用ADC和DAC IP核,首先分别为他们开发测试程序并利用V93000通过SoC芯片的EMIF(External Memory Interface)总线对其进行配置.在对ADC和DAC IP核进行配置以后,就可以通过V93000捕获ADC IP核采样得到的数字代码以及通过V93000采样DAC IP核转换得到的模拟电压值,并由此计算ADC以及DAC IP核的性能参数.实验结果表明,本文分别提出的针对端口非测试复用ADC以及DAC IP核测试方案非常有效. 展开更多
关键词 片上系统 模数转换器 数模转换器 V93000测试仪 性能参数
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倒装芯片凸焊点的UBM 被引量：9
5
作者 郭江华 王水弟 +2 位作者 张忠会 胡涛 贾松良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期60-64,共5页
介绍了倒装芯片凸焊点的焊点下金属（ＵＢＭ）系统，讨论了电镀Ａｕ凸焊点用ＵＢＭ的溅射工艺和相应靶材、溅射气氛的选择，给出了凸焊点ＵＢＭ质量的考核试验方法和相关指标。
关键词 倒装芯片 凸焊点 UBM 微电子封装
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嵌入式粗颗粒度可重构处理器的软硬件协同设计流程 被引量：11
6
作者 于苏东 刘雷波 +1 位作者 尹首一 魏少军 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1136-1140,共5页
面向多媒体应用的可重构处理器架构由主处理器和动态配置的可重构阵列(Reconfigurable Cell Array,RCA)组成.协同设计流程以循环流水线和流水线配置技术为基础,采用启发式算法对应用中较大的关键循环进行了软硬件划分,使用表格调度算法... 面向多媒体应用的可重构处理器架构由主处理器和动态配置的可重构阵列(Reconfigurable Cell Array,RCA)组成.协同设计流程以循环流水线和流水线配置技术为基础,采用启发式算法对应用中较大的关键循环进行了软硬件划分,使用表格调度算法实现了任务在RCA上的映射.经过FPGA验证,H.264基准中的核心算法平均执行速度相比于PipeRench,MorphoSys,以及TI DSP TMS320C64X提高了3.34倍. 展开更多
关键词 可重构 循环 软硬件划分 映射
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一种新型硅基PT/PZT/PT夹心结构的电性能研究 被引量：5
7
作者 任天令 张林涛 +3 位作者 张武全 李春晓 刘理天 李志坚 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2000年第6期407-409,共3页
以无机锆盐为原料 ,用溶胶 -凝胶 (Sol- Gel)法成功地在 Pt/ Ti/ Si O2 / Si衬底上制备出一种新型Pb Ti O3/ Pb(Zr0 .5 3Ti0 .47) O3/ Pb Ti O3(PT/ PZT/ PT)夹心结构。这种新结构对于 PZT的晶化有很好的促进作用 ,其最终的退火温度为 7... 以无机锆盐为原料 ,用溶胶 -凝胶 (Sol- Gel)法成功地在 Pt/ Ti/ Si O2 / Si衬底上制备出一种新型Pb Ti O3/ Pb(Zr0 .5 3Ti0 .47) O3/ Pb Ti O3(PT/ PZT/ PT)夹心结构。这种新结构对于 PZT的晶化有很好的促进作用 ,其最终的退火温度为 70 0°C。 C- V特性、介电频率响应、漏电等电性能测试表明这一新型夹心结构具有良好的铁电和介电性能。 展开更多
关键词 PZT PT 夹心结构 溶胶-凝胶法 硅基 电性能 铁电
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实现AT切石英晶体振荡器微处理器温度补偿的新方法 被引量：9
8
作者 王喆垚 朱惠忠 +1 位作者 董永贵 冯冠平 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期215-217,共3页
本文介绍实现AT切石英晶体振荡器微处理器温度补偿的新方法———双频温度自测法 .AT切石英谐振器各泛音次数的频率温度曲线不同 ,利用基频与 3次泛音除一阶温度系数不同外其他各阶温度系数相等的特性 ,基频的 3倍频与 3次泛音频率的差... 本文介绍实现AT切石英晶体振荡器微处理器温度补偿的新方法———双频温度自测法 .AT切石英谐振器各泛音次数的频率温度曲线不同 ,利用基频与 3次泛音除一阶温度系数不同外其他各阶温度系数相等的特性 ,基频的 3倍频与 3次泛音频率的差频输出与温度近似成线性关系 .同时激励并测量基频和 3次泛音频率 ,经过微处理器计算差频实现谐振器温度自测并进行晶体振荡器的微处理器温度补偿 .与使用分立温度传感器相比 ,消除了测温元件与石英谐振器温度时间常数不同以及温度场梯度造成的测温误差 ,提高了测温和补偿精度 . 展开更多
关键词 石英谐振器 温度补偿 微处理器 振荡器
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可编程模糊逻辑控制器芯片的设计 被引量：9
9
作者 沈杰 靳东明 李志坚 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第8期23-25,共3页
本文提出了一种由模拟电路实现的通用可编程模糊逻辑控制器（ＰＦＬＣ），针对两输入变量、一输出变量的控制对象，允许有８１条控制规则．该控制器是由电流型ＣＭＯＳ多值器件构成，采用２μｍ标准ＣＭＯＳ工艺制造．ＰＦＬＣ有方便的... 本文提出了一种由模拟电路实现的通用可编程模糊逻辑控制器（ＰＦＬＣ），针对两输入变量、一输出变量的控制对象，允许有８１条控制规则．该控制器是由电流型ＣＭＯＳ多值器件构成，采用２μｍ标准ＣＭＯＳ工艺制造．ＰＦＬＣ有方便的输入／输出接口和修改规则，其模糊推理过程是并行的，每时钟周期完成一次，最高时钟频率可达１ＭＨｚ． 展开更多
关键词 模糊逻辑控制器 逻辑电路 程序控制器 芯片 设计
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一种扩展的片上实时调试系统设计 被引量：8
10
作者 赵岩 张果 +1 位作者 张春 王志华 《计算机工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期283-284,F0003,共3页
提出了一种为不支持调试模式的CPU扩展调试功能的系统设计方法。该方法在保持原CPU结构性和完整性的情况下,在片上增加了CPU监视/运行分析模块、调试控制模块、时钟/复位管理和JTAG兼容的调试访问接口,用较少的硬件开销实现了指令/数据... 提出了一种为不支持调试模式的CPU扩展调试功能的系统设计方法。该方法在保持原CPU结构性和完整性的情况下,在片上增加了CPU监视/运行分析模块、调试控制模块、时钟/复位管理和JTAG兼容的调试访问接口,用较少的硬件开销实现了指令/数据断点、单步、运行/停止、CPU复位、查看CPU核心寄存器、读取/修改外部存储器以及在线编程等功能,且调试命令的设置和执行完全独立于CPU,保证了CPU运行的实时性。 展开更多
关键词 调试模式 片上调试系统 门控时钟 JTAG
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一种A/D静态参数和动态参数的测试方法 被引量：16
11
作者 薛亮 沈延钊 张向民 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期72-74,共3页
设计了一套测试模数转换器静态和动态参数的方案。首先具体解释了模数转换器的静态参数和动态参数的定义,包括INL、DNL、信噪比、有效位数等,其次阐述了码密度测试和快速傅立叶变换测试的原理,最后用该方案对清华设计的高速模数转换器TH... 设计了一套测试模数转换器静态和动态参数的方案。首先具体解释了模数转换器的静态参数和动态参数的定义,包括INL、DNL、信噪比、有效位数等,其次阐述了码密度测试和快速傅立叶变换测试的原理,最后用该方案对清华设计的高速模数转换器TH0307进行了测试并给出测试结果。该方案适合批量测试。 展开更多
关键词 模数转换器 码密度 快速傅立叶变换
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基于模糊神经网络的智能巨磁电阻传感器设计 被引量：4
12
作者 张洵 靳东明 +3 位作者 刘华瑞 曲炳郡 任天令 刘理天 《计算机工程与设计》 CSCD 北大核心 2007年第4期895-897,共3页
在清华大学微纳器件和系统实验室制备了一种高性能的巨磁电阻(GMR)自旋阀。因为该GMR磁传感器的输出呈高度非线性,不利于后端客户的应用,所以设计了一种用于线性校正用途的模糊神经网络(FNN),并以此构建了智能GMR磁传感器系统,通过Matla... 在清华大学微纳器件和系统实验室制备了一种高性能的巨磁电阻(GMR)自旋阀。因为该GMR磁传感器的输出呈高度非线性,不利于后端客户的应用,所以设计了一种用于线性校正用途的模糊神经网络(FNN),并以此构建了智能GMR磁传感器系统,通过Matlab仿真试验验证了该方法的有效性。最后,讨论了单芯片系统(SOC)实现该智能GMR磁传感器的可行性,为进一步的系统集成提供了理论基础。 展开更多
关键词 巨磁电阻 模糊神经网络 单芯片系统 智能传感器 线性校正
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VMM中Guest OS非陷入系统调用指令截获与识别 被引量：6
13
作者 熊海泉 刘志勇 +2 位作者 徐卫志 唐士斌 范东睿 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2014年第10期2348-2359,共12页
针对虚拟化环境下Guest OS某些特定指令行为不会产生陷入从而在虚拟机管理器(virtual machine monitor,VMM)中无法对其进行监控处理的问题,提出通过改变非陷入指令正常运行条件,使其执行非法产生系统异常陷入VMM的思想;据此就x86架构下G... 针对虚拟化环境下Guest OS某些特定指令行为不会产生陷入从而在虚拟机管理器(virtual machine monitor,VMM)中无法对其进行监控处理的问题,提出通过改变非陷入指令正常运行条件,使其执行非法产生系统异常陷入VMM的思想;据此就x86架构下Guest OS中3种非陷入系统调用指令在VMM中的截获与识别进行研究:其中基于int和sysenter指令的系统调用通过使其产生通用保护(general protection,GP)错系统异常而陷入,基于syscall指令的系统调用则通过使其产生UD(undefined)未定义指令系统异常而陷入,之后VMM依据虚拟处理器上下文现场信息对其进行识别;基于Qemu&Kvm实现的原型系统表明:上述方法能成功截获并识别出Guest OS中所有3种系统调用行为,正常情况下其性能开销也在可接受的范围之内,如在unixbench的shell测试用例中,其性能开销比在1.900~2.608之间.与现有方法相比,它们都是以体系结构自身规范为基础,因此具有无需修改Guest OS、跨平台透明的优势. 展开更多
关键词 客户操作系统 虚拟机管理器 虚拟化 非陷入指令 系统调用
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用于射频领域的高调节范围MEMS压控电容 被引量：6
14
作者 梁雪冬 刘泽文 +1 位作者 刘理天 李志坚 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第3期252-254,共3页
在分析了传统平行极板MEMS压控电容的基础上,提出了一种新型的高调节范围MEMS压控电容。与传统的平行极板电容不同的是,它由三对极板构成。其中一对是起电容作用的极板,另外两对是控制极板。交流信号通过电容极板传输,而直流控制电压施... 在分析了传统平行极板MEMS压控电容的基础上,提出了一种新型的高调节范围MEMS压控电容。与传统的平行极板电容不同的是,它由三对极板构成。其中一对是起电容作用的极板,另外两对是控制极板。交流信号通过电容极板传输,而直流控制电压施加在控制极板上。使用有限元分析软件Ansys对该电容进行了模拟,得出其调节范围达214%,大大超出了传统的平行极板电容在调节范围上的自然限制(50%)。另外,设计了该电容的工艺流程。其工艺流程较简单,很容易集成在标准的RF电路中。 展开更多
关键词 MEMS压控电容 崩塌效应 控制极板 悬臂梁 牺牲层
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硅基PZT铁电薄膜的制备与性能研究 被引量：4
15
作者 张林涛 任天令 +2 位作者 张武全 刘理天 李志坚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期49-52,共4页
用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）方法制备了硅基Ｐｂ（Ｚｒ＿０．５３Ｔｉ＿０．４７）０＿３（ＰＺＴ铁电薄膜。分析了ＰＺＴ铁电薄膜的表面形貌、晶化程度、界面状态等性质。基于上述分析结果提出并实现了低温退火处理制备有ＰＴ过渡... 用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）方法制备了硅基Ｐｂ（Ｚｒ＿０．５３Ｔｉ＿０．４７）０＿３（ＰＺＴ铁电薄膜。分析了ＰＺＴ铁电薄膜的表面形貌、晶化程度、界面状态等性质。基于上述分析结果提出并实现了低温退火处理制备有ＰＴ过渡层的ＰＺＴ铁电薄膜的工艺流程。测试了低温制备的ＰＺＴ铁电薄膜的Ｃ－Ｖ、漏电等电性能，发现在Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备ＰＺＴ铁电薄膜的工艺中加入ＰＴ过渡层，有助于提高ＰＺＴ薄膜的品质。 展开更多
关键词 SOL-GEL法 PZT PT 铁电薄膜
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模糊控制和模糊控制芯片 被引量：7
16
作者 沈杰 靳东明 李志坚 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期61-66,60,共7页
本文对模糊逻辑及模糊控制的基本概念、发展过程、应用领域进行了论述，探讨了模糊算法各个部分（模糊化、规则的选取与调整、各种算子、去模糊等）的功能和作用，介绍了目前受到广泛关注的模糊逻辑与人工神经元网络及专家系统相结合的... 本文对模糊逻辑及模糊控制的基本概念、发展过程、应用领域进行了论述，探讨了模糊算法各个部分（模糊化、规则的选取与调整、各种算子、去模糊等）的功能和作用，介绍了目前受到广泛关注的模糊逻辑与人工神经元网络及专家系统相结合的一些方法，最后讨论了各种模糊控制的实现方法以及各种模糊控制芯片，特别是电流型多值模糊控制芯片的发展． 展开更多
关键词 模糊逻辑 模糊逻辑控制 VLSI 芯片
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基于脉搏波相位差的无创连续血压测量方法 被引量：10
17
作者 李申龙 李毅彬 +3 位作者 李洪阳 张洋 陈晓萌 邓宁 《传感器与微系统》 CSCD 2016年第1期62-64,共3页
无创连续血压测量技术对医疗保健、临床监护、临床研究有重要意义。首次提出利用人体脉搏波的相位差来测量血压的新方法。介绍了桡动脉相位差和指端相位差与血压的关系,设计了实验测量不同血压条件下的人体多点脉搏波相位差,结果表明:... 无创连续血压测量技术对医疗保健、临床监护、临床研究有重要意义。首次提出利用人体脉搏波的相位差来测量血压的新方法。介绍了桡动脉相位差和指端相位差与血压的关系,设计了实验测量不同血压条件下的人体多点脉搏波相位差,结果表明:多点脉搏波相位差与血压存在很强的相关性,且便携性与稳定性要优于传统的基于脉搏波传输时间(PTT)测量血压。 展开更多
关键词 脉搏波 相位差 无创连续血压测量
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一个改进的用于铁电存储器设计的铁电电容宏模型 被引量：4
18
作者 任天令 张武全 +3 位作者 李春晓 陈宏毅 朱钧 刘理天 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1135-1137,共3页
从描述铁电电容的P V滞回特性出发 ,本文在ZSTT宏模型的基础上提出了一个改进的铁电电容宏模型 ,并成功利用此模型对铁电存储器 (FeRAM)进行了电路优化和电路模拟 .最后将试图对此模型做进一步的推广 。
关键词 铁电存储器 铁电电容 宏模型
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集成电路陶瓷封装热阻R_(T-JC)的有限元分析 被引量：13
19
作者 贾松良 朱浩颖 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第6期6-11,共6页
给出了采用热测试芯片的三类陶瓷封装的结到外壳热阻ＲＴ－ＪＣ的有限元模拟结果，并与测量结果进行了对比。讨论了芯片和外壳的温度分布，导热脂层对壳温分布和测量的影响。还模拟了ＲＴ－ＪＣ与芯片厚度、芯片面积、芯片粘接层热导率... 给出了采用热测试芯片的三类陶瓷封装的结到外壳热阻ＲＴ－ＪＣ的有限元模拟结果，并与测量结果进行了对比。讨论了芯片和外壳的温度分布，导热脂层对壳温分布和测量的影响。还模拟了ＲＴ－ＪＣ与芯片厚度、芯片面积、芯片粘接层热导率的关系。这些结果既为将采用热测试芯片测量的集成电路封装热阻值应用于实际器件提供了参考。 展开更多
关键词 集成电路 封装 热阻 有限元 热分析
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硅基PZT铁电薄膜的界面和表面研究 被引量：4
20
作者 张林涛 任天令 +3 位作者 刘理天 李志坚 张琪 朱静 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2000年第5期316-318,共3页
用高分辨透射电镜等手段研究了溶胶 -凝胶 (Sol- Gel)工艺制备的硅基 Pb(Zr,Ti) O3 (PZT)铁电薄膜 ,发现在 PZT的上表面生成了 Si O2 ,PZT与硅衬底的界面处形成了无定型的 Si Ox 层并有铅的沉积 ,而且热处理温度越高 ,这种现象越显著。... 用高分辨透射电镜等手段研究了溶胶 -凝胶 (Sol- Gel)工艺制备的硅基 Pb(Zr,Ti) O3 (PZT)铁电薄膜 ,发现在 PZT的上表面生成了 Si O2 ,PZT与硅衬底的界面处形成了无定型的 Si Ox 层并有铅的沉积 ,而且热处理温度越高 ,这种现象越显著。这些结构严重影响了 PZT铁电薄膜的品质及其应用。在分析上述结构产生机制的基础上提出了 Sol- Gel工艺的改进方法。 展开更多
关键词 高分辨透射电镜 溶胶-凝胶 PZT 铁电薄膜 硅基
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