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吸收湿气对微电子塑料封装影响的研究进展 被引量：13
1
作者 别俊龙 孙学伟 贾松良 《力学进展》 EI CSCD 北大核心 2007年第1期35-47,共13页
微电子塑料封装中常用的聚合物材料因易于吸收周围环境中的湿气而对器件本身的可靠性带来很大影响,本文回顾了封装材料中湿气扩散、湿应力及蒸汽压力的产生这3个互相联系过程的研究情况,从理论分析、特征参数描述及其实验测定、有限元... 微电子塑料封装中常用的聚合物材料因易于吸收周围环境中的湿气而对器件本身的可靠性带来很大影响,本文回顾了封装材料中湿气扩散、湿应力及蒸汽压力的产生这3个互相联系过程的研究情况,从理论分析、特征参数描述及其实验测定、有限元模拟分析的角度来分别予以介绍．从已有的理论分析与实验结果中可以看出,塑封材料吸收湿气会给器件的可靠性带来诸多影响,湿气的吸收、扩散、蒸发等过程,实验测量,以及由湿气带来的其它相关问题正成为微电子封装可靠性研究领域中的新热点,受到越来越多的关注与重视． 展开更多
关键词 微电子塑料封装 湿气吸收 湿气扩散 湿应力 蒸汽压力
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微电子封装中等离子体清洗及其应用 被引量：20
2
作者 聂磊 蔡坚 +1 位作者 贾松良 王水弟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第12期30-34,共5页
随着微电子工艺的发展,湿法清洗越来越局限,而干法清洗能够避免湿法清洗带来的环境污染,同时生产率也大大提高。等离子体清洗在干法清洗中优势明显,本文主要介绍了等离子体清洗的机理、类型、工艺特点以及在微电子封装工艺中的应用。
关键词 等离子体清洗 干法清洗 微电子封装
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新型低驱动电压电子纸显示单元的研究 被引量：1
3
作者 吴建刚 岳瑞峰 +1 位作者 曾雪锋 刘理天 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期198-200,共3页
研制了一种基于介质上电润湿(electrow etting-on-d ielectric,EWOD)的新型低驱动电压电子纸反射式显示单元器件.本文分析了器件的工作原理以及性能影响因素,并提出用优化的氮化硅与碳氟聚合物复合介质层来改善器件的驱动电压.实验证实... 研制了一种基于介质上电润湿(electrow etting-on-d ielectric,EWOD)的新型低驱动电压电子纸反射式显示单元器件.本文分析了器件的工作原理以及性能影响因素,并提出用优化的氮化硅与碳氟聚合物复合介质层来改善器件的驱动电压.实验证实,器件在15V低电压驱动下成功实现了“开启”、“关闭”功能,其“开启”、“关闭”响应时间小于1/30 s. 展开更多
关键词 反射式显示 介质上电润湿 微流体 微电子机械系统
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从ULSI芯片的性能能量效率展望21世纪信息电子学的发展
4
作者 李志坚 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期921-932,共12页
现行的ULSI正在并将继续沿着Moore定律高速发展．在其前进道路上会遇到哪些物理障碍,要解决哪些技术课题?当CMOS技术达到或接近其发展极限后,后续的信息电子学(包括纳电子学、bio-inspired电子学和量子信息处理等)前景又将如何?本文基于... 现行的ULSI正在并将继续沿着Moore定律高速发展．在其前进道路上会遇到哪些物理障碍,要解决哪些技术课题?当CMOS技术达到或接近其发展极限后,后续的信息电子学(包括纳电子学、bio-inspired电子学和量子信息处理等)前景又将如何?本文基于ULSI芯片的性能能量效率观点,对相关问题进行讨论． 展开更多
关键词 ULSI性能能量效率 片上系统 纳电子学 量子信息处理
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高阻硅上RF-MEMS共面波导设计及测量研究 被引量：8
5
作者 刘泽文 宣云 +2 位作者 雷啸锋 李志坚 刘理天 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期158-164,共7页
设计并实现了基于高阻硅RF MEMS(射频微机电系统)共面波导传输线(CWP), 并测量和分析了不同偏压下的特征阻抗值。利用部分电容法和保角变换法得到的分析公式确定了特征阻抗为50Ω的共面波导的几何结构尺寸,采用MEMS准平面加工工艺在高... 设计并实现了基于高阻硅RF MEMS(射频微机电系统)共面波导传输线(CWP), 并测量和分析了不同偏压下的特征阻抗值。利用部分电容法和保角变换法得到的分析公式确定了特征阻抗为50Ω的共面波导的几何结构尺寸,采用MEMS准平面加工工艺在高阻硅衬底上实现了2.5μm厚的金共面波导结构。在施加不同直流偏压的情况下对所设计的共面波导进行了S参数测量。计算了Winkel多项式中所有系数的具体表达式,运用该多项式获得了共面波导的特征阻抗,并与传统的特征阻抗提取方法进行了结果比较。实验数据表明,在中心信号线上施加的直流偏压对S参数的影响很小,而对共面波导特征阻抗的影响较为明显,当施加的直流偏压从0 V变为38 V时,特征阻抗的实部会增加,变化幅度小于1.2Ω,虚部会减小,变化幅度小于0.8Ω。 展开更多
关键词 射频 微机电系统 共面波导 特征阻抗
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介质上电润湿现象的研究 被引量：7
6
作者 曾雪锋 董良 +2 位作者 吴建刚 岳瑞峰 刘理天 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期263-264,共2页
介绍了介质上电润湿的基本原理,分析了介质层材料的介电常数对接触角变化的影响,并提出了优化介质薄膜厚度的方法,为介质上电润湿的进一步应用提供了理论基础。
关键词 电润湿 介质上电润湿 接触角 厌水层
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硅基PZT薄膜的制备与刻蚀工艺研究 被引量：6
7
作者 赵宏锦 刘建设 +3 位作者 任天令 刘燕翔 刘理天 李志坚 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第4期290-292,共3页
采用溶胶 -凝胶 ( Sol- Gel)法制备了 PZT薄膜 ,在 60 0°C的退火温度下即获得了晶化完善的钙钛矿铁电相结构。采用典型的半导体光刻工艺 ,利用 HCl/ HF刻蚀溶液成功地获得刻蚀线条分辨率达微米量级的 PZT薄膜微图形。较好的解决了... 采用溶胶 -凝胶 ( Sol- Gel)法制备了 PZT薄膜 ,在 60 0°C的退火温度下即获得了晶化完善的钙钛矿铁电相结构。采用典型的半导体光刻工艺 ,利用 HCl/ HF刻蚀溶液成功地获得刻蚀线条分辨率达微米量级的 PZT薄膜微图形。较好的解决了有关 PZT薄膜制备与加工中存在的关键问题 ,为硅基铁电薄膜器件的实现奠定了良好的工艺基础。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 刻蚀工艺 PZT薄膜 硅基
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TPMS的研究和设计 被引量：15
8
作者 张艳红 张兆华 刘理天 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期441-442,共2页
简述了TPMS的基本原理、发展现状和趋势。介绍了设计的一种应用于汽车电子领域的胎压传感器,该器件把压力传感器和温度传感器集成在一起,具有结构简单,系统温漂小和功耗低等特点。
关键词 TPMS 压力传感器 温度传感器
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全同态加密研究动态及其应用概述 被引量：29
9
作者 刘明洁 王安 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2014年第12期2593-2603,共11页
随着互联网的发展,尤其是云计算概念的诞生,人们在加密数据搜索与处理等方面的需求日益增加,使得全同态加密变得愈加重要.全同态加密的思想是20世纪70年代Rivest等人首次提出的,如何构造满足全同态性质的体制一直是困扰密码学家的难题,... 随着互联网的发展,尤其是云计算概念的诞生,人们在加密数据搜索与处理等方面的需求日益增加,使得全同态加密变得愈加重要.全同态加密的思想是20世纪70年代Rivest等人首次提出的,如何构造满足全同态性质的体制一直是困扰密码学家的难题,直到2009年Gentry基于理想格提出了第1个全同态加密体制使得该方面的研究取得突破性进展.随后许多密码学家在全同态加密方案的研究上作出了有意义的工作,促进了全同态加密向实用化的发展.对全同态加密的研究动态进行了概要的介绍,包括Gentry提出的第1个全同态加密方案及其优化;基于整数的全同态加密方案;基于LWE问题的全同态加密方案等.随后探讨了全同态加密的一般性应用框架,并以云计算、电子投票、数字水印3个应用为例,介绍了全同态加密的重要应用价值. 展开更多
关键词 密码学 公钥密码学 全同态加密 云计算 信息安全
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串联电容式RF MEMS开关设计与制造研究 被引量：3
10
作者 侯智昊 刘泽文 +2 位作者 胡光伟 刘理天 李志坚 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期660-663,共4页
介绍了一种串联电容式RF MEMS开关的设计与制造。所设计的串联电容式RF MEMS开关利用薄膜淀积中产生的内应力使MEMS桥膜向上发生翘曲,从而提高所设计的开关的隔离度,克服了串联电容式RF MEMS开关通常只有在1GHz以下才能获得较高隔离度... 介绍了一种串联电容式RF MEMS开关的设计与制造。所设计的串联电容式RF MEMS开关利用薄膜淀积中产生的内应力使MEMS桥膜向上发生翘曲,从而提高所设计的开关的隔离度,克服了串联电容式RF MEMS开关通常只有在1GHz以下才能获得较高隔离度的缺点。其工艺与并联电容式RF MEMS开关完全相同,解决了并联电容式RF MEMS开关不能应用于低频段（〈10GHz）的问题。其插入损耗为-0.88dB@3GHz,在6GHz以上,插入损耗为-0.5dB;隔离度为-33.5dB@900MHz、-24dB@3GH和-20dB@5GHz,适合于3-5GHz频段的应用。 展开更多
关键词 射频 微电子机械系统 串联电容式RF MEMS开关 串联电容式 内应力
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低矫顽力GMR磁传感器的自旋阀结构研究 被引量：4
11
作者 刘鹏 李伟 +3 位作者 刘华瑞 叶双莉 任天令 刘理天 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05B期2061-2064,共4页
采用高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备了结构为Ta/freelayer/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀.研究了NiFe/CoFe和NiFeCr/CoFe分别作为复合自由层时,自旋阀的矫顽力特性.为了降低自旋阀的矫顽力,并保持高的磁电阻率(MR),采... 采用高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备了结构为Ta/freelayer/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀.研究了NiFe/CoFe和NiFeCr/CoFe分别作为复合自由层时,自旋阀的矫顽力特性.为了降低自旋阀的矫顽力,并保持高的磁电阻率(MR),采用NiFeCr/NiFe/CoFe作为自旋阀的复合自由层,得到的自旋阀的MR为10.08%,矫顽力为4.87×(103/4π)A/m.利用弱磁场下的横向退火工艺,此结构自旋阀的矫顽力可降至0.01×(103/4π)A/m以下.通过实施以上的优化方案,可以研制出高磁电阻率和低矫顽力的GMR传感器. 展开更多
关键词 自旋阀 复合自由层 横向退火工艺
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集成铁电器件中的关键工艺研究 被引量：3
12
作者 杨轶 张宁欣 +1 位作者 任天令 刘理天 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z2期192-193,共2页
对集成铁电器件中的关键工艺进行了研究,采用改进的溶胶—凝胶(Sol-Gel)法制备了高品质、(110)择优取向的锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜,成功的利用离子束刻蚀(IBE)、反应离子刻蚀(RIE)和湿法腐蚀方法对PZT薄膜进行了刻蚀加工,采用正胶剥离和... 对集成铁电器件中的关键工艺进行了研究,采用改进的溶胶—凝胶(Sol-Gel)法制备了高品质、(110)择优取向的锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜,成功的利用离子束刻蚀(IBE)、反应离子刻蚀(RIE)和湿法腐蚀方法对PZT薄膜进行了刻蚀加工,采用正胶剥离和干法刻蚀工艺实现了金属铂(Pt)电极图形,为集成铁电器件的实现提供了良好的工艺基础。 展开更多
关键词 铁电薄膜 锆钛酸铅 溶胶-凝胶 刻 蚀 剥 离
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AlN薄膜的制备与刻蚀工艺研究 被引量：3
13
作者 于毅 赵宏锦 +1 位作者 任天令 刘理天 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z2期239-240,共2页
采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了具有较好(002)择优取向性的AlN薄膜。采用典型的半导体光刻工艺,利用刻蚀溶液成功地获得了AlN薄膜徽图形。较好地解决了AlN薄膜制备与加工中存在的关键问题,为高品质硅基AlN薄... 采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了具有较好(002)择优取向性的AlN薄膜。采用典型的半导体光刻工艺,利用刻蚀溶液成功地获得了AlN薄膜徽图形。较好地解决了AlN薄膜制备与加工中存在的关键问题,为高品质硅基AlN薄膜滤波器的实现奠定了良好的工艺基础。 展开更多
关键词 氮化铝薄膜 直流磁控反应溅射 择优取向 刻 蚀
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声带振动功能模式识别的研究 被引量：3
14
作者 赵守国 王素品 孙义和 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1258-1261,1274,共5页
应用小波变换估计传导语音的谐波噪声比,研究了不同发声方式、发音及声带病变对传导语音谐波噪声比的影响,并与口腔语音的谐波噪声比进行了对比研究,发现发不同元音时,传导语音谐波噪声比的变化范围是5dB,口腔语音谐波噪声比的变化范围... 应用小波变换估计传导语音的谐波噪声比,研究了不同发声方式、发音及声带病变对传导语音谐波噪声比的影响,并与口腔语音的谐波噪声比进行了对比研究,发现发不同元音时,传导语音谐波噪声比的变化范围是5dB,口腔语音谐波噪声比的变化范围为20dB;不同发声方式的传导语音谐波噪声比的变化范围可达18dB,口腔语音的变化范围为12dB.从结果可以看出,传导语音谐波噪声比能够更好地反映声带振动模式,是一种研究声带振动功能和模式及喉部疾病诊断的有效方法. 展开更多
关键词 声带振动 口腔语音 传导语音 谐波噪声比 小波变换 喉部疾病诊断 发声方式 振动功能 振动模式
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以Si_3N_4作增透膜的Si基Ge量子点探测器的研究 被引量：2
15
作者 魏榕山 邓宁 +4 位作者 王民生 张爽 陈培毅 刘理天 张璟 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1771-1774,共4页
设计并制作了以Si3N4作增透膜的Si基Ge量子点红外探测器.采用气态源分子束外延(GSMBE)方法在Si(100)衬底上生长了20层的自组织Ge量子点.在此基础上,流水制作了p-i-n结构的量子点红外探测器.为了提高探测器的响应度,采用Si3N4作为增透膜... 设计并制作了以Si3N4作增透膜的Si基Ge量子点红外探测器.采用气态源分子束外延(GSMBE)方法在Si(100)衬底上生长了20层的自组织Ge量子点.在此基础上,流水制作了p-i-n结构的量子点红外探测器.为了提高探测器的响应度,采用Si3N4作为增透膜以增强探测器对入射光的吸收.用传输矩阵方法模拟的结果显示,185上nm厚的Si3N4增透膜可以使探测器在1310nm波长处具有较高的吸收率.根据此结果,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在探测器表面淀积了185nm的Si3N4.在室温下,测得量子点探测器在1.31μm处的响应度为8.5mA/W,跟没有增透膜的器件相比,响应度提高了将近30倍. 展开更多
关键词 增透膜 气态源分子束外延 量子点 量子点红外探测器 暗电流密度 响应度
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用于室温红外探测器热敏材料的PECVD掺硼a-Si薄膜的研究 被引量：2
16
作者 岳瑞峰 董良 刘理天 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期277-281,共5页
采用PECVD法制备用于室温红外探测器中热敏感材料的掺硼a-Si薄膜。通过系统地研究气体流量、射频功率与衬底温度等制备工艺条件与薄膜的电导率、含氢量和电阻温度特性的相关性,得到了最佳的工艺条件,并利用其制备出了探测灵敏度高达2.17... 采用PECVD法制备用于室温红外探测器中热敏感材料的掺硼a-Si薄膜。通过系统地研究气体流量、射频功率与衬底温度等制备工艺条件与薄膜的电导率、含氢量和电阻温度特性的相关性,得到了最佳的工艺条件,并利用其制备出了探测灵敏度高达2.17×108cmHz1/2W-1的a-Si室温红外探测器。 展开更多
关键词 a-Si薄膜 室温红外探测器 PECVD 热敏材料 硼掺杂 电阻温度系数
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硅微机械悬浮结构电感的设计与制作工艺研究 被引量：1
17
作者 丁勇 刘泽文 +1 位作者 刘理天 李志坚 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1597-1600,共4页
本文系统分析了影响平面螺旋电感Q值的主要因素 ,并制作出一种应用于射频通信的硅微机械悬浮结构电感 .在考虑趋肤效应、涡流损耗等高频电磁场效应对电感Q值的影响后 ,获得了微机械电感的简化电学模型 ,得到了具有较高Q值电感的优化结... 本文系统分析了影响平面螺旋电感Q值的主要因素 ,并制作出一种应用于射频通信的硅微机械悬浮结构电感 .在考虑趋肤效应、涡流损耗等高频电磁场效应对电感Q值的影响后 ,获得了微机械电感的简化电学模型 ,得到了具有较高Q值电感的优化结构 .在制作硅微机械电感的工艺过程中 ,采用多孔硅作为牺牲层材料 ,将螺旋结构铝线圈制作在二氧化硅薄膜上 ,在使用添加了硅粉和过硫酸铵的TMAH溶液释放牺牲层之后 ,得到设计值为 4nH的悬浮结构微机械平面螺旋电感 .实验结果证明 ,整个工艺流程可靠 ,并与CMOS工艺兼容 . 展开更多
关键词 硅 微机械 悬浮结构 电感 制作工艺 Q值 多孔硅 牺牲层 集成电路 无线通信
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用于悬浮纳米结构制作的氢氟酸气相刻蚀研究 被引量：3
18
作者 张伟 刘泽文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1166-1169,共4页
针对纳米悬浮结构的制作,对不同温度和不同气相条件下的氢氟酸(HF)气相刻蚀进行了研究。利用自制的研究装置,使用HF/水混合气体和HF/乙醇混合气体分别进行了HF对PECVD SiO2的气相刻蚀实验,同时测量了不同衬底温度下刻蚀速率的变化。研... 针对纳米悬浮结构的制作,对不同温度和不同气相条件下的氢氟酸(HF)气相刻蚀进行了研究。利用自制的研究装置,使用HF/水混合气体和HF/乙醇混合气体分别进行了HF对PECVD SiO2的气相刻蚀实验,同时测量了不同衬底温度下刻蚀速率的变化。研究结果表明,在常温常压下,HF/乙醇混合气体气相刻蚀速率约为7.6 nm/s,而HF/水混合气体气相刻蚀速率约为11.5 nm/s。在衬底温度分别为35,40和50℃时,HF/水混合气体的气相刻蚀速率分别为10.25,7.95和5.18 nm/s。利用HF气相腐蚀进行SiO2牺牲层释放,得到了悬浮的纳米梁结构,梁与衬底的间距为400 nm。 展开更多
关键词 氢氟酸 气相刻蚀 二氧化硅 纳米结构 微/纳机电系统
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ICP-CVD制备高质量疏水性碳氟聚合物薄膜的研究 被引量：1
19
作者 岳瑞峰 曾雪锋 +2 位作者 吴建刚 康明 刘理天 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期168-171,共4页
在室温下以c-C4F8为反应气体,采用电感耦合等离子体化学气相淀积(ICP-CVD)法制备出碳氟聚合物薄膜,研究了工艺条件与薄膜的光、电性能和结构与疏水性的相关性。结果表明,薄膜结构均匀致密,主要由C-CFX、CF、CF2和CF3组成;当射频功率为40... 在室温下以c-C4F8为反应气体,采用电感耦合等离子体化学气相淀积(ICP-CVD)法制备出碳氟聚合物薄膜,研究了工艺条件与薄膜的光、电性能和结构与疏水性的相关性。结果表明,薄膜结构均匀致密,主要由C-CFX、CF、CF2和CF3组成;当射频功率为400 W,c-C4F8的流量为40 sccm时,制备出的薄膜和去离子水之间的接触角高达112°。 展开更多
关键词 碳氟聚合物薄膜 疏水性 感应耦合等离子体化学气相淀积 化学键结构
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两种新型无源OLED显示列驱动电路的研究与设计 被引量：1
20
作者 刘铭 肖雯玉 +1 位作者 贾晨 陈志良 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期550-556,共7页
针对两种采用不同灰度调制方式和预充方法的新型无源OLED显示列驱动电路进行研究和设计。阐述了脉冲宽度调制和脉冲幅度调制两种灰度显示方式的一致性,提出相对应两种灰度调制方式的列驱动电路,从电路设计到版图实现上比较了这两种电路... 针对两种采用不同灰度调制方式和预充方法的新型无源OLED显示列驱动电路进行研究和设计。阐述了脉冲宽度调制和脉冲幅度调制两种灰度显示方式的一致性,提出相对应两种灰度调制方式的列驱动电路,从电路设计到版图实现上比较了这两种电路。阐述了电压和电流两种预充方式,设计出两种新型预充方法,并且应用到OLED显示驱动芯片中。Hspice仿真和版图实现后表明,两种列驱动电路中前者的版图面积约是后者的1/2,采用省电模式预充方法的后者的功耗约是前者的1/3。 展开更多
关键词 OLED 列驱动电路 脉冲宽度调制 脉冲幅度调制 预充
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