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微电子封装中等离子体清洗及其应用 被引量:20
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作者 聂磊 蔡坚 +1 位作者 贾松良 王水弟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第12期30-34,共5页
随着微电子工艺的发展,湿法清洗越来越局限,而干法清洗能够避免湿法清洗带来的环境污染,同时生产率也大大提高。等离子体清洗在干法清洗中优势明显,本文主要介绍了等离子体清洗的机理、类型、工艺特点以及在微电子封装工艺中的应用。
关键词 等离子体清洗 干法清洗 微电子封装
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吸收湿气对微电子塑料封装影响的研究进展 被引量:13
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作者 别俊龙 孙学伟 贾松良 《力学进展》 EI CSCD 北大核心 2007年第1期35-47,共13页
微电子塑料封装中常用的聚合物材料因易于吸收周围环境中的湿气而对器件本身的可靠性带来很大影响,本文回顾了封装材料中湿气扩散、湿应力及蒸汽压力的产生这3个互相联系过程的研究情况,从理论分析、特征参数描述及其实验测定、有限元... 微电子塑料封装中常用的聚合物材料因易于吸收周围环境中的湿气而对器件本身的可靠性带来很大影响,本文回顾了封装材料中湿气扩散、湿应力及蒸汽压力的产生这3个互相联系过程的研究情况,从理论分析、特征参数描述及其实验测定、有限元模拟分析的角度来分别予以介绍.从已有的理论分析与实验结果中可以看出,塑封材料吸收湿气会给器件的可靠性带来诸多影响,湿气的吸收、扩散、蒸发等过程,实验测量,以及由湿气带来的其它相关问题正成为微电子封装可靠性研究领域中的新热点,受到越来越多的关注与重视. 展开更多
关键词 微电子塑料封装 湿气吸收 湿气扩散 湿应力 蒸汽压力
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从ULSI芯片的性能能量效率展望21世纪信息电子学的发展
3
作者 李志坚 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期921-932,共12页
现行的ULSI正在并将继续沿着Moore定律高速发展.在其前进道路上会遇到哪些物理障碍,要解决哪些技术课题?当CMOS技术达到或接近其发展极限后,后续的信息电子学(包括纳电子学、bio-inspired电子学和量子信息处理等)前景又将如何?本文基于... 现行的ULSI正在并将继续沿着Moore定律高速发展.在其前进道路上会遇到哪些物理障碍,要解决哪些技术课题?当CMOS技术达到或接近其发展极限后,后续的信息电子学(包括纳电子学、bio-inspired电子学和量子信息处理等)前景又将如何?本文基于ULSI芯片的性能能量效率观点,对相关问题进行讨论. 展开更多
关键词 ULSI性能能量效率 片上系统 纳电子学 量子信息处理
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新型低驱动电压电子纸显示单元的研究 被引量:1
4
作者 吴建刚 岳瑞峰 +1 位作者 曾雪锋 刘理天 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期198-200,共3页
研制了一种基于介质上电润湿(electrow etting-on-d ielectric,EWOD)的新型低驱动电压电子纸反射式显示单元器件.本文分析了器件的工作原理以及性能影响因素,并提出用优化的氮化硅与碳氟聚合物复合介质层来改善器件的驱动电压.实验证实... 研制了一种基于介质上电润湿(electrow etting-on-d ielectric,EWOD)的新型低驱动电压电子纸反射式显示单元器件.本文分析了器件的工作原理以及性能影响因素,并提出用优化的氮化硅与碳氟聚合物复合介质层来改善器件的驱动电压.实验证实,器件在15V低电压驱动下成功实现了“开启”、“关闭”功能,其“开启”、“关闭”响应时间小于1/30 s. 展开更多
关键词 反射式显示 介质上电润湿 微流体 微电子机械系统
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基于椭圆曲线的代理数字签名 被引量:33
5
作者 白国强 黄谆 +1 位作者 陈弘毅 肖国镇 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1659-1663,共5页
现有的代理数字签名方案都是基于离散对数问题和大数因子分解问题的方案 .本文我们将代理签名的思想应用于椭圆曲线数字签名 ,提出了一种新的基于椭圆曲线离散对数问题的代理签名方案 ,并对方案的复杂性和安全性进行了分析 .在对方案的... 现有的代理数字签名方案都是基于离散对数问题和大数因子分解问题的方案 .本文我们将代理签名的思想应用于椭圆曲线数字签名 ,提出了一种新的基于椭圆曲线离散对数问题的代理签名方案 ,并对方案的复杂性和安全性进行了分析 .在对方案的安全性分析中 ,我们还提出了两类椭圆曲线上的困难问题 .新方案不仅推广和丰富了代理签名的研究成果 ,而且也扩展了椭圆曲线密码的密码功能 ,为信息安全问题的解决提供了新的密码学方法 . 展开更多
关键词 数字签名 代理数字签名 离散对数 椭圆曲线离散对数 椭圆曲线数字签名
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RSA密码协处理器的实现 被引量:18
6
作者 李树国 周润德 +1 位作者 冯建华 孙义和 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1441-1444,共4页
密码协处理器的面积过大和速度较慢制约了公钥密码体制RSA在智能卡中的应用 .文中对Montgomery模乘算法进行了分析和改进 ,提出了一种新的适合于智能卡应用的高基模乘器结构 .由于密码协处理器采用两个 3 2位乘法器的并行流水结构 ,这... 密码协处理器的面积过大和速度较慢制约了公钥密码体制RSA在智能卡中的应用 .文中对Montgomery模乘算法进行了分析和改进 ,提出了一种新的适合于智能卡应用的高基模乘器结构 .由于密码协处理器采用两个 3 2位乘法器的并行流水结构 ,这与心动阵列结构相比它有效地降低了芯片的面积和模乘的时钟数 ,从而可在智能卡中实现RSA的数字签名与认证 .实验表明 :在基于 0 3 5 μmTSMC标准单元库工艺下 ,密码协处理器执行一次 10 2 4位模乘需12 16个时钟周期 ,芯片设计面积为 3 8k门 .在 5MHz的时钟频率下 ,加密 10 2 4位的明文平均仅需 3 74ms.该设计与同类设计相比具有最小的模乘运算时钟周期数 ,并使芯片的面积降低了 1/ 3 .这个指标优于当今电子商务的密码协处理器 ,适合于智能卡应用 . 展开更多
关键词 模乘器 智能卡 公钥 模乘 RSA 密码协处理器
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基于EWOD的锥形管状结构液体变焦透镜 被引量:12
7
作者 康明 岳瑞峰 +2 位作者 吴建刚 欧阳帆 刘理天 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1768-1770,1774,共4页
提出了一种基于介质上电润湿(EWOD)的液体变焦透镜的新结构.它由一个依次覆盖有ITO透明导电薄膜及疏水介质膜的下极板、悬在其上的一个内外壁均覆盖有疏水层的玻璃锥管以及处于两者之间的导电液滴组成.通过改变ITO与液滴之间的电压... 提出了一种基于介质上电润湿(EWOD)的液体变焦透镜的新结构.它由一个依次覆盖有ITO透明导电薄膜及疏水介质膜的下极板、悬在其上的一个内外壁均覆盖有疏水层的玻璃锥管以及处于两者之间的导电液滴组成.通过改变ITO与液滴之间的电压大小,透镜的曲率及位置能同时被调节,从而实现对透镜焦距的调节.实验结果表明,该器件在0~50V电压下可实现对2cm至无穷远处物体的聚焦. 展开更多
关键词 介质上电润湿 变焦 液体透镜 表面张力
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UHV/CVD硅锗膜的Raman光谱分析 被引量:7
8
作者 朱培喻 陈培毅 +4 位作者 黎晨 罗广礼 贾宏勇 刘志农 钱佩信 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期464-467,共4页
本文提出一种用Raman光谱测量SiGe合金膜中的锗组分及应变的方法 ,方法是非破坏的。并用这一方法测量了几种不同锗组分和膜厚度的SiGe合金样品 ,它们都是用UHV/CVD设备生长的。其中两个样品还与X 射线双晶衍射的结果作了比较 ,两种方法... 本文提出一种用Raman光谱测量SiGe合金膜中的锗组分及应变的方法 ,方法是非破坏的。并用这一方法测量了几种不同锗组分和膜厚度的SiGe合金样品 ,它们都是用UHV/CVD设备生长的。其中两个样品还与X 射线双晶衍射的结果作了比较 ,两种方法的结果十分一致 ,这说明本文提出的方法是准确可靠的。这些样品用于制作SiGe/Si异质结PMOSFET ,对 0 5 μm沟长器件 ,跨导达 112ms·mm-1。 展开更多
关键词 Raman SIGE合金 UHV/CVD 弛豫 应变 硅锗膜 拉曼光谱分析 半导体薄膜
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高阻硅上RF-MEMS共面波导设计及测量研究 被引量:8
9
作者 刘泽文 宣云 +2 位作者 雷啸锋 李志坚 刘理天 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期158-164,共7页
设计并实现了基于高阻硅RF MEMS(射频微机电系统)共面波导传输线(CWP), 并测量和分析了不同偏压下的特征阻抗值。利用部分电容法和保角变换法得到的分析公式确定了特征阻抗为50Ω的共面波导的几何结构尺寸,采用MEMS准平面加工工艺在高... 设计并实现了基于高阻硅RF MEMS(射频微机电系统)共面波导传输线(CWP), 并测量和分析了不同偏压下的特征阻抗值。利用部分电容法和保角变换法得到的分析公式确定了特征阻抗为50Ω的共面波导的几何结构尺寸,采用MEMS准平面加工工艺在高阻硅衬底上实现了2.5μm厚的金共面波导结构。在施加不同直流偏压的情况下对所设计的共面波导进行了S参数测量。计算了Winkel多项式中所有系数的具体表达式,运用该多项式获得了共面波导的特征阻抗,并与传统的特征阻抗提取方法进行了结果比较。实验数据表明,在中心信号线上施加的直流偏压对S参数的影响很小,而对共面波导特征阻抗的影响较为明显,当施加的直流偏压从0 V变为38 V时,特征阻抗的实部会增加,变化幅度小于1.2Ω,虚部会减小,变化幅度小于0.8Ω。 展开更多
关键词 射频 微机电系统 共面波导 特征阻抗
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一种1024级灰度大电容负载的LCD驱动芯片设计 被引量:10
10
作者 尹东辉 任彦楠 +3 位作者 岳超 李福乐 池保勇 陈志良 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期78-82,共5页
设计了一种基于动态扫描原理的液晶显示(LCD)驱动芯片。该芯片为高压CMOS数模混合集成电路并支持输出频率可选功能。芯片输入数据频率为13.5MHz,输出1 024级256列模拟电压信号直接驱动LCD,输出电压幅度可达12V以上。负载为200pF时,最大... 设计了一种基于动态扫描原理的液晶显示(LCD)驱动芯片。该芯片为高压CMOS数模混合集成电路并支持输出频率可选功能。芯片输入数据频率为13.5MHz,输出1 024级256列模拟电压信号直接驱动LCD,输出电压幅度可达12V以上。负载为200pF时,最大摆幅上升/下降时间小于5μs。芯片采用新加坡特许半导体(Chartered)0.35μm、18V高压工艺设计,并进行了仔细的版图设计以减小匹配误差,仿真结果显示电路性能完全满足设计指标要求。 展开更多
关键词 LCD 显示驱动 CMOS 高压数模混合
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2-GHzCMOS射频低噪声放大器的设计与测试 被引量:11
11
作者 林敏 王海永 +1 位作者 李永明 陈弘毅 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期1278-1281,共4页
本文采用 CMOS艺,针对无线通信系统前端(Front-end)的低噪声放大器进行了分析、设计、仿真和测试。测试结果表明,该放大器工作在 2.04GHz的中心频率上,3dB带宽约为 110MHz,功率增益为 22dB,NF小于 3.3dB.测试结果与仿真结果能够很好... 本文采用 CMOS艺,针对无线通信系统前端(Front-end)的低噪声放大器进行了分析、设计、仿真和测试。测试结果表明,该放大器工作在 2.04GHz的中心频率上,3dB带宽约为 110MHz,功率增益为 22dB,NF小于 3.3dB.测试结果与仿真结果能够很好地吻合. 展开更多
关键词 CMOS射频集成电路 低噪声放大器 噪声 无线通信
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基于MEMS压力传感器的外置式数字胎压监测系统 被引量:12
12
作者 杨旸 闵云龙 +3 位作者 沈强 张兆华 刘理天 余志平 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期1347-1352,共6页
轮胎压力监测报警系统(Tire Pressure Monitoring System)(TPMS)是汽车安全领域重要电子装置,近年来已开始获得广泛应用,但传统的TPMS产品多为内置式,安装在轮胎内,安装和维护时需要拆卸轮胎造成很大不便,同时轮胎里的金属轮辋对位于胎... 轮胎压力监测报警系统(Tire Pressure Monitoring System)(TPMS)是汽车安全领域重要电子装置,近年来已开始获得广泛应用,但传统的TPMS产品多为内置式,安装在轮胎内,安装和维护时需要拆卸轮胎造成很大不便,同时轮胎里的金属轮辋对位于胎内的压力传感器和无线发射装置有很强的屏蔽作用,信号衰竭很快,要保证信号传输到位于驾驶室内的接收器,必须提高发射功率,从而大大缩短发射器的电池使用寿命。针对这些技术问题,提出了一种新型外置直接式数字胎压监测系统,它的胎压监测节点核心器件MCU选用Infineon的专用压力处理器芯片SP30,该芯片内置MEMS压力传感器可通过外连气门芯直接测量胎内气压,再通过无线方式与上位接收器进行无障碍无线传输通信,避免了信号屏蔽,延长了电池和产品的使用寿命以及安装成本。给出了新型外置直接式TPMS产品的具体硬件设计、软件流程和通信协议。测试表明该系统的无线信号传输可靠、抗干扰能力强、轮胎位置识别准确、反应灵敏、安装与维护方便及组态灵活等特点、有着广泛的市场应用前景。 展开更多
关键词 无线传输 胎压监测 压力传感 编码 TPMS
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一种CMOS超宽带LNA的优化设计方法 被引量:11
13
作者 刘萌萌 张盛 +2 位作者 王硕 张建良 周润德 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1082-1086,共5页
为实现性能更优的超宽带(UWB)射频前端低噪声放大器(LNA),本文提出了一种通用的基于CMOS工艺的超宽带LNA优化设计方法.基于源端电感负反馈的LNA电路模型,本文提出利用最优化的数学方法分别确定晶体管尺寸、输入匹配网络和负载网络各元... 为实现性能更优的超宽带(UWB)射频前端低噪声放大器(LNA),本文提出了一种通用的基于CMOS工艺的超宽带LNA优化设计方法.基于源端电感负反馈的LNA电路模型,本文提出利用最优化的数学方法分别确定晶体管尺寸、输入匹配网络和负载网络各元件参数的方法,实现了较好的输入阻抗匹配,达到了较高的增益、较好的增益平坦度以及优秀的噪声系数,并具有较低的功耗;本设计方法所用无源元件不但适宜CMOS集成,而且对工艺偏差具有一定的忍耐力.仿真结果说明用上述方法设计的超宽带LNA在工作频带内能够达到预期的各项性能要求. 展开更多
关键词 射频前端低噪声放大器 超宽带 优化设计方法 CMOS
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介质上电润湿现象的研究 被引量:7
14
作者 曾雪锋 董良 +2 位作者 吴建刚 岳瑞峰 刘理天 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期263-264,共2页
介绍了介质上电润湿的基本原理,分析了介质层材料的介电常数对接触角变化的影响,并提出了优化介质薄膜厚度的方法,为介质上电润湿的进一步应用提供了理论基础。
关键词 电润湿 介质上电润湿 接触角 厌水层
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一种基于MEMS芯片的新型地面大气电场传感器 被引量:14
15
作者 杨鹏飞 陈博 +3 位作者 闻小龙 彭春荣 夏善红 郝一龙 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2016年第6期1536-1540,共5页
该文基于MEMS电场敏感芯片,研制出了一种新型的地面大气电场传感器,解决了现有场磨式电场仪易磨损、功耗大、故障率高等问题。敏感芯片采用SOIMUMPS加工工艺制备,其芯片面积仅为5.5 mm×5.5 mm。该文提出了传感器敏感芯片的弱信号... 该文基于MEMS电场敏感芯片,研制出了一种新型的地面大气电场传感器,解决了现有场磨式电场仪易磨损、功耗大、故障率高等问题。敏感芯片采用SOIMUMPS加工工艺制备,其芯片面积仅为5.5 mm×5.5 mm。该文提出了传感器敏感芯片的弱信号检测方法,设计出了满足环境适应性的传感器整体结构方案,并建立了传感器的灵敏度分析模型。对电场传感器进行测试,测量范围为-50 k V/m^50 k V/m,总不确定度为0.67%,分辨力达到10 V/m,功耗仅为0.62 W。外场试验结果表明,MEMS地面大气电场传感器在晴天和雷暴天的电场探测结果,与Campbell公司场磨式电场仪探测结果都有较好的一致性,说明该传感器能满足预测雷暴要求,实现雷电监测和预警功能。 展开更多
关键词 微机电系统 电场传感器 MEMS地面大气电场传感器
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微辐射热计的光学与热学设计 被引量:8
16
作者 董良 岳瑞峰 刘理天 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期109-113,共5页
针对四臂微桥结构的微辐射热计的光学和热学设计 ,分析了SiO2 红外吸收层 /poly Si热敏感薄膜电阻层 /SiO2 支撑薄膜层的多层薄膜的光学特性 ,研究了SiO2 红外吸收层的厚度对多层膜系平均红外吸收率的影响 .与常规设计思想不同的是 ,没... 针对四臂微桥结构的微辐射热计的光学和热学设计 ,分析了SiO2 红外吸收层 /poly Si热敏感薄膜电阻层 /SiO2 支撑薄膜层的多层薄膜的光学特性 ,研究了SiO2 红外吸收层的厚度对多层膜系平均红外吸收率的影响 .与常规设计思想不同的是 ,没有假设微辐射热计的平均红外吸收率一定 ,而将不同厚度的SiO2 红外吸收层所对应的膜系平均红外吸收率用于微桥的热学设计中 ,通过有限元分析软件ANSYS5 .7,得到SiO2 红外吸收层的最佳厚度 。 展开更多
关键词 微辐射热计 光学设计 热学设计 红外吸收率 红外焦平面阵列 微测辐射热计 红外辐射
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直流磁控反应溅射制备硅基AlN薄膜 被引量:10
17
作者 于毅 赵宏锦 +2 位作者 高占友 任天令 刘理天 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第1期53-55,共3页
采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了AlN薄膜。用X-射线衍射(XRD)、电镜扫描(SEM)、原子力显微(AFM)对薄膜的晶向结构和表面形貌进行了分析,研究了不同工艺参数对薄膜择优取向的影响,分析了AlN晶粒生长的有关机理... 采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了AlN薄膜。用X-射线衍射(XRD)、电镜扫描(SEM)、原子力显微(AFM)对薄膜的晶向结构和表面形貌进行了分析,研究了不同工艺参数对薄膜择优取向的影响,分析了AlN晶粒生长的有关机理。制备出的AlN薄膜显示出较好的(002)面择优取向性,半高宽(FWHM)为0.35°~0.40°,折射率约为2.07。 展开更多
关键词 氮化铝薄膜 直流磁控反应溅射 择优取向
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用于圆片级封装的金凸点研制 被引量:5
18
作者 王水弟 蔡坚 +3 位作者 谭智敏 胡涛 郭江华 贾松良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期27-30,共4页
介绍了电镀法进行圆片级封装中金凸点制作的工艺流程,并对影响凸点成型的主要工艺因素进行了研究。凸点下金属化层(UBM,under bump metallization)溅射、厚胶光刻和厚金电镀是其中的工艺难点,通过大量的实验研究,确定了TiW/Au的UBM体系... 介绍了电镀法进行圆片级封装中金凸点制作的工艺流程,并对影响凸点成型的主要工艺因素进行了研究。凸点下金属化层(UBM,under bump metallization)溅射、厚胶光刻和厚金电镀是其中的工艺难点,通过大量的实验研究,确定了TiW/Au的UBM体系,得到了优化的厚胶光刻工艺。同时,研制了用于圆片级封装金凸点制作的垂直喷镀设备,选用不同的电镀液体系和光刻胶体系,对电镀参数进行了控制和研究。对制作的金凸点与国外同类产品的基本特性进行了对比,表明其已经达到可应用水平。 展开更多
关键词 金凸点 电镀 圆片级封装 厚胶光刻 溅射
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JPEG2000小波变换器的VLSI结构设计 被引量:5
19
作者 刘雷波 王学进 +3 位作者 孟鸿鹰 王志华 陈弘毅 夏宇闻 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1609-1612,共4页
新一代静止图像压缩标准JPEG2 0 0 0将离散小波变换 (DWT)作为其核心变换技术 ,并推荐采用推举体制 (lifting)快速算法来实现 .空间组合推举体制算法 (SCLA)大大降低了lifting的运算量 .当选用 9/ 7小波滤波器时 ,SCLA的乘法运算量只有l... 新一代静止图像压缩标准JPEG2 0 0 0将离散小波变换 (DWT)作为其核心变换技术 ,并推荐采用推举体制 (lifting)快速算法来实现 .空间组合推举体制算法 (SCLA)大大降低了lifting的运算量 .当选用 9/ 7小波滤波器时 ,SCLA的乘法运算量只有lifting的 7/ 12 .本文提出了一种实现SCLA算法的VLSI结构 ,降低了基于lifting实现的运算量 ,加快了变换的速度 ,减小了电路的规模 .本文的二维正反小波变换器已经作为单独的IP核应用于我们目前正在开发的JPEG2 0 0 展开更多
关键词 JPEG2000 小波变换器 VLSI结构设计 LIFTING 空间组合推举体制算法 图像压缩
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一种新型硅基厚膜压力/温度传感器的设计和制作 被引量:6
20
作者 张艳红 刘兵武 +3 位作者 刘理天 张兆华 谭智敏 林惠旺 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期2376-2379,共4页
设计并制作了一种新型传感器,它包含压阻式压敏元件和热敏元件两部分.其中压敏元件采用比常规更厚的50μm硅杯薄膜(500μm×500μm),增大了体硅上高应力区的面积,在降低工艺要求的同时提高了线性测量范围和过载压力.压敏电阻设计为... 设计并制作了一种新型传感器,它包含压阻式压敏元件和热敏元件两部分.其中压敏元件采用比常规更厚的50μm硅杯薄膜(500μm×500μm),增大了体硅上高应力区的面积,在降低工艺要求的同时提高了线性测量范围和过载压力.压敏电阻设计为折线结构,采用优化的几何尺寸,并将其部分制作在高应力体硅上以获得更高灵敏度.体硅上的温敏电阻随压敏电阻利用同步注入工艺制作,减小了工艺复杂度.该器件工艺简单,成品率高,与标准IC工艺兼容.初步的测试结果表明器件具有良好的性能. 展开更多
关键词 压力/温度传感器 压阻效应 应力分布 集成工艺
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