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题名半导体设备预测性维修技术的运用探究
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作者
王友旺
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机构
深圳深爱半导体股份有限公司
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出处
《中国新通信》
2024年第12期13-16,共4页
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文摘
在半导体生产制造中,设备的故障诊断与维护是一个重要环节,其影响因素众多,例如工艺、设备、环境等。有研究表明,设备故障的95%~100%发生在生产运行中,只有5%~15%发生在设备运行前。可见,设备故障具有突发性,对生产影响极大。预测性维修技术的核心是通过监测、诊断、评估等手段获取设备的状态信息,以避免或减少设备故障带来的损失。实施预测性维修技术可以在不影响正常生产的前提下对设备进行维护保养,从而使设备保持最佳的工作状态,延长使用寿命。在半导体生产制造过程中,预测性维修技术具有广泛的应用前景。
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关键词
半导体设备
预测性
维修技术
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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题名浅谈扩散工艺在半导体生产中的应用
被引量：1
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作者
周金廷
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机构
深爱半导体股份有限公司
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出处
《科技创新与应用》
2012年第19期35-35,共1页
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文摘
扩散工艺是制作半导体的关键结构PN结的一种常用方法。本文在介绍了扩散的定义、扩散工艺在半导体生产过程中的作用原理和应用范围的基础上,从扩散工艺的工艺流程,扩散工艺在PN结形成中的作用以及扩散工艺的发展三个方面,探究了扩散工艺在半导体生产中的应用。
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关键词
半导体
扩散工艺
PN结
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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题名第三代半导体及氮化镓(GaN)材料分析
被引量：4
- 3
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作者
李杰
王友旺
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机构
深圳深爱半导体股份有限公司
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出处
《集成电路应用》
2023年第10期326-328,共3页
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文摘
阐述第三代半导体及氮化镓(GaN)材料制备工艺,以及第三代半导体在全球和国内的发展情况,分析氮化镓(GaN)材料的特征和氮化镓半导体材料的应用,包括在通信系统、功率半导体、军事用途、电子学中的应用。
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关键词
第三代半导体
碳化硅(SiC)
氮化镓(GaN)
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Keywords
third-generation semiconductor
silicon carbide(SiC)
gallium nitride(GaN).
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分类号
TN303
[电子电信—物理电子学]
TN304
[电子电信—物理电子学]
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题名光刻机中的智能化控制系统分析
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作者
王友旺
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机构
深圳深爱半导体股份有限公司
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出处
《集成电路应用》
2024年第2期338-340,共3页
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文摘
阐述光刻机智能化控制系统的关键技术,分析其在芯片制造中的应用前景。通过建模、优化算法、智能感知与数据采集技术以及人工智能与机器学习的应用,实现光刻过程的自动化与优化。该系统对于提高生产效率、降低成本和改善产品质量,对芯片制造业发展具有重要意义。
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关键词
光刻机
智能化控制系统
集成电路制造
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Keywords
lithography machine
intelligent control system
integrated circuit manufacturing
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名逆导型非穿通绝缘栅双极晶体管仿真
被引量：1
- 5
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作者
杨坤进
汪德文
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机构
深圳深爱半导体股份有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第7期517-520,529,共5页
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基金
深圳市2012年高新技术产业发展专项
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文摘
仿真了逆导型(RC)非穿通-绝缘栅双极晶体管(NPT-IGBT)的器件结构及其"折回效应"现象的I-V特性曲线,研究了一些器件重要结构参数(背面阳极n+区域与p+区域尺寸比例Ln/Lp以及n-漂移区厚度)对所仿真的逆导型NPT-IGBT器件电流"折回效应"的影响。用"MOSFET+pin二极管"等效电路模型分析了仿真结果中得到的结论。结果表明,Ln/Lp与n-漂移区厚度对"折回效应"幅度影响显著。在n-漂移区厚度为60μm时,Ln/Lp尺寸比例在5/11和2/14(μm/μm)之间,"折回效应"幅度较低,并且反向二极管具有导通能力,可以成为对应RC-NPT-IGBT的工艺窗口;在n-漂移区厚度达到150μm时,"折回效应"接近消失,Ln/Lp尺寸比例可以有更宽的选择。
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关键词
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
非穿通型(NPT)
逆向导通(RC)
“折回效应”
电导调制效应
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Keywords
insulated gate bipolar transistor （IGBT）
non-punch-through （NPT）
reverse-conducting （RC）
snap-back effect
conductivity modulation effect
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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题名Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究
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作者
石青宏
刘瑞庆
黄伟
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机构
深圳深爱半导体股份有限公司
中国电子科技集团公司第
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出处
《电子与封装》
2017年第6期41-44,共4页
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文摘
首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600~800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650~800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65 eV,理想因子接近于1。
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关键词
Ni(W)Si
热稳定性
肖特基势垒二极管
XRD
RAMAN光谱
卢瑟福背散射
快速热退火(RTA)
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Keywords
Ni（W）Si
thermal stability
Schottky Barrier Diode
XRD
Raman spectral analysis
RBS（Ruther ford backscattering spectrometry）
RTA（Rapid thermal annealing）
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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题名优化栅的VDMOS器件结构及特性简析
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作者
刘宗贺
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机构
深爱半导体股份有限公司
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出处
《集成电路应用》
2011年第8期22-23,共2页
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文摘
垂直双扩散MOSFET（VDMOSl由于具有独特的高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度（多子导电器件）、优越的频率特性及低噪声等特点，在功率集成电路及系统中已经得到十分广泛的应用，主要应用于电机调速、逆变器、开关电源、电子开关、高保真音响、汽车电器和电子镇流器等多个领域。作为开关器件的它为电子设备提供所需电源与电机设备驱动。
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关键词
频率特性
VDMOS
器件结构
优化
功率集成电路
电机调速
开关电源
高输入阻抗
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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