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基于10Gbit/s应用长波长光电二极管
被引量：
1
1
作者
曹均凯
王国栋
+2 位作者
镇磊
梁泽
潘青
《深圳大学学报（理工版）》
EI
CAS
北大核心
2005年第4期319-323,共5页
设计制作了一种基于10Gbit/s应用的正照平面结构的InGaAs/InPPIN高速光电二极管.该器件带宽达到19GHz,响应度>0.75A/W,暗电流<5nA,结电容<0.15pF.组件测试表明,器件适用于高速光通信及测量系统中对1310nm和1550nm波长光的探测.
关键词
光电二极管
高速光电探测器
PIN光电二级管
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职称材料
题名
基于10Gbit/s应用长波长光电二极管
被引量：
1
1
作者
曹均凯
王国栋
镇磊
梁泽
潘青
机构
深圳飞通光电股份有限公司
出处
《深圳大学学报（理工版）》
EI
CAS
北大核心
2005年第4期319-323,共5页
基金
国家"863计划"高技术计划项目(2002AA31220)
文摘
设计制作了一种基于10Gbit/s应用的正照平面结构的InGaAs/InPPIN高速光电二极管.该器件带宽达到19GHz,响应度>0.75A/W,暗电流<5nA,结电容<0.15pF.组件测试表明,器件适用于高速光通信及测量系统中对1310nm和1550nm波长光的探测.
关键词
光电二极管
高速光电探测器
PIN光电二级管
Keywords
photodiode
high speed photodetector
PIN-PD
分类号
TN312.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基于10Gbit/s应用长波长光电二极管
曹均凯
王国栋
镇磊
梁泽
潘青
《深圳大学学报（理工版）》
EI
CAS
北大核心
2005
1
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