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题名超细氧化铝抛光液的制备及其抛光特性研究
被引量：14
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作者
雷红
褚于良
屠锡富
丘海能
方亮
罗桂海
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机构
上海大学纳米科学与技术研究中心
深圳开发磁记录有限公司
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出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第9期1425-1428,共4页
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基金
上海市纳米专项资助项目(0452nm013)
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文摘
化学机械抛光(CMP)技术广泛用于表面的超精加工,抛光液是CMP技术中的关键要素。本文制备了一种超细Al2O3抛光液,采用激光粒度仪、扫描电镜等对其进行了表征。进而研究了其在镍磷敷镀的硬盘基片CMP中的抛光特性。结果表明抛光液中Al2O3粒子用量、氧化剂用量均直接影响抛光后的表面质量及材料去除速率。借助对抛光后表面的原子力显微镜(AFM)、俄歇能谱以及X射线光电子能谱分析,对其CMP机理进行了推断。
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关键词
化学机械抛光(CMP)
硬盘基片
超细Al2O3粒子
抛光液
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Keywords
chemical-mechanical polishing （CMP）
hard disk substrate
ultra-fined Al2O3 particle
slurry
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分类号
TH117
[机械工程—机械设计及理论]
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题名颗粒等抛光液组分对硬盘盘基片抛光的影响
被引量：4
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作者
孙家振
潘国顺
朱永华
戴媛静
雒建斌
李维民
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机构
清华大学摩擦学国家重点实验室
深圳开发磁记录有限公司
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出处
《润滑与密封》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第11期1-4,30,共5页
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基金
国家自然科学基金委员会与广东省政府自然科学联合基金重点项目(U0635002)
国际科技合作计划项目(2006DFA73350)
国家973计划项目(2003CB716201)
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文摘
硬盘盘基片粗抛光必须在较高材料去除率的基础上获得高表面质量。分别用合成法和粉碎法制得的α-A l2O3颗粒做了抛光实验,并分析了抛光液中氧化剂、络合剂含量和抛光液pH值对材料去除率的影响机制。结果表明：用合成法制得的颗粒抛光后基片表面凹坑严重,降低抛光液配方中氧化剂的含量,虽可使表面粗糙度（Ra）和表面波纹度（Wa）大幅降低,但材料去除率也大幅下降,该颗粒不适合基片粗抛光;用粉碎法制得的颗粒抛光后基片表面划痕密集,加入一定量的减阻剂后基片Ra和Wa大幅降低,材料去除率有所降低但仍维持在较高的水平,因此减阻剂可平衡该颗粒的材料去除率和抛光表面质量;粉碎法制得的颗粒抛光液中,随氧化剂和络合剂的增加,材料去除率均呈先升后降趋势;pH值的升高会使材料去除率下降,但酸性太强会引起过腐蚀,适宜的pH在2.0-3.0之间。
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关键词
硬盘基片
化学机械抛光
材料去除率
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Keywords
hard disk substrate
chemical mechanical polishing
material removal rate
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分类号
TH117
[机械工程—机械设计及理论]
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