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脑外伤后伪装认知功能损伤者事件相关电位研究 被引量:2
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作者 高北陵 吴冬凌 +2 位作者 李学武 梁伟德 丁树明 《中国神经精神疾病杂志》 CAS CSCD 北大核心 2007年第10期615-617,共3页
目的探讨检测伪装认知功能损伤的神经电生理技术。方法鉴定专家结合临床检查及二项必选数字记忆测验对193例脑外伤后精神伤残鉴定进行评估,区分出伪装认知功能损伤者52例与非伪装者120例为研究对象,通过高低音听觉刺激高低概率范式(oddb... 目的探讨检测伪装认知功能损伤的神经电生理技术。方法鉴定专家结合临床检查及二项必选数字记忆测验对193例脑外伤后精神伤残鉴定进行评估,区分出伪装认知功能损伤者52例与非伪装者120例为研究对象,通过高低音听觉刺激高低概率范式(oddball)引发事件相关电位,并同步记录被试判断高低音的正确率,分析伪装与非伪装组事件相关电位相关参数的差异。结果①伪装组在P300之后的负慢波潜伏期显著短于非伪装组[(412.0±181.6)msvs(424.0±170.1)ms,Z=3.25,P=0.001];而波幅也大于非伪装组,但未达到统计学意义(P>0.05)。②伪装组P300潜伏期短于非伪装组,而波幅大于非伪装组,但差异未达到统计学意义(P>0.05)。③伪装组听觉高低音判断的正确率显著低于非伪装组[(79.2±19.8)%vs(93.1±9.3)%,t=5.195,P<0.001〗。结论伪装认知功能损伤者客观脑电生理反应(潜伏期短,波幅大)与其主观行为表现(判断高低音的正确率低)的"矛盾现象"可以作为伪装认知功能损伤的判断依据之一。 展开更多
关键词 脑外伤 认知功能 伪装 事件相关电位
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