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PECVD法制备不同衬底微晶硅薄膜的研究
被引量：
4
1
作者
桂全宏
佘星欣
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期599-604,610,共7页
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法分别在玻璃衬底和p型薄膜硅衬底上制备了微晶硅薄膜。使用拉曼谱仪、紫外-可见分光光度计、傅里叶红外光谱仪等对微晶硅薄膜进行检测,重点研究了硅烷浓度、衬底温度对薄膜沉积速率和晶化率的影响...
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法分别在玻璃衬底和p型薄膜硅衬底上制备了微晶硅薄膜。使用拉曼谱仪、紫外-可见分光光度计、傅里叶红外光谱仪等对微晶硅薄膜进行检测,重点研究了硅烷浓度、衬底温度对薄膜沉积速率和晶化率的影响。实验结果表明:两种衬底上薄膜的沉积速率均随硅烷浓度的增大、衬底温度的升高而变大。硅烷浓度对两种衬底的薄膜晶化率影响规律相同,即均随其升高而降低;但两种衬底的衬底温度影响规律存在差别:对玻璃衬底而言,温度升高,样品晶化率减小;而p型薄膜硅衬底则在温度升高时,样品晶化率先增大后减小。此外还发现,晶化率与薄膜光学性能及含氧量存在较密切关联。
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关键词
微晶硅薄膜
沉积速率
晶化率
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职称材料
题名
PECVD法制备不同衬底微晶硅薄膜的研究
被引量：
4
1
作者
桂全宏
佘星欣
机构
深圳市科技专家委员会办公室
哈尔滨工业大学
深圳
研究生院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期599-604,610,共7页
基金
国家自然科学基金(50902028)
文摘
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法分别在玻璃衬底和p型薄膜硅衬底上制备了微晶硅薄膜。使用拉曼谱仪、紫外-可见分光光度计、傅里叶红外光谱仪等对微晶硅薄膜进行检测,重点研究了硅烷浓度、衬底温度对薄膜沉积速率和晶化率的影响。实验结果表明:两种衬底上薄膜的沉积速率均随硅烷浓度的增大、衬底温度的升高而变大。硅烷浓度对两种衬底的薄膜晶化率影响规律相同,即均随其升高而降低;但两种衬底的衬底温度影响规律存在差别:对玻璃衬底而言,温度升高,样品晶化率减小;而p型薄膜硅衬底则在温度升高时,样品晶化率先增大后减小。此外还发现,晶化率与薄膜光学性能及含氧量存在较密切关联。
关键词
微晶硅薄膜
沉积速率
晶化率
Keywords
microcrystalline silicon thin film
deposition rate
crystalline volume fraction
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PECVD法制备不同衬底微晶硅薄膜的研究
桂全宏
佘星欣
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
4
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