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基于电源调制的L波段高性能GaAsHBT功率放大器
1
作者
闭涛
陈景龙
《半导体技术》
北大核心
2024年第1期71-76,共6页
介绍了一种基于GaInP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺、电源调制的高峰均比、高功率附加效率L波段功率放大器芯片,可满足多载波聚合、大容量通信系统的要求。从器件层面控制基极表面复合、寄生电阻和电容,实现低膝点电压、跨导均匀的晶...
介绍了一种基于GaInP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺、电源调制的高峰均比、高功率附加效率L波段功率放大器芯片,可满足多载波聚合、大容量通信系统的要求。从器件层面控制基极表面复合、寄生电阻和电容,实现低膝点电压、跨导均匀的晶体管;在电路层面采用自适应偏置电路和谐波调谐等提升线性和功率附加效率。该放大器采用前级驱动加末级输出、驱动比为1∶6的两级晶体管架构和高低通搭配的匹配电路。测试结果表明,在5 V偏置电压下,该功率放大器的饱和输出功率大于35 dBm;在大功率回退时(8 dBm),增益变化小于2 dB,功率附加效率指标达到50%;对于调制带宽为25 kHz的16进制正交振幅调制(16QAM)通信系统,邻道功率比小于-38 dBc@27 dBm。
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关键词
功率放大器
电源调制
GaAs异质结双极晶体管(HBT)
峰均比
邻道功率比(ACPR)
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职称材料
题名
基于电源调制的L波段高性能GaAsHBT功率放大器
1
作者
闭涛
陈景龙
机构
广西广播电视技术中心
深圳市正龙鑫电子有限公司
出处
《半导体技术》
北大核心
2024年第1期71-76,共6页
文摘
介绍了一种基于GaInP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺、电源调制的高峰均比、高功率附加效率L波段功率放大器芯片,可满足多载波聚合、大容量通信系统的要求。从器件层面控制基极表面复合、寄生电阻和电容,实现低膝点电压、跨导均匀的晶体管;在电路层面采用自适应偏置电路和谐波调谐等提升线性和功率附加效率。该放大器采用前级驱动加末级输出、驱动比为1∶6的两级晶体管架构和高低通搭配的匹配电路。测试结果表明,在5 V偏置电压下,该功率放大器的饱和输出功率大于35 dBm;在大功率回退时(8 dBm),增益变化小于2 dB,功率附加效率指标达到50%;对于调制带宽为25 kHz的16进制正交振幅调制(16QAM)通信系统,邻道功率比小于-38 dBc@27 dBm。
关键词
功率放大器
电源调制
GaAs异质结双极晶体管(HBT)
峰均比
邻道功率比(ACPR)
Keywords
power amplifier
power supply modulation
GaAs heterojunction bipolar transistor(HBT)
peak-to-average ratio
adjacent channel power ratio(ACPR)
分类号
TN722 [电子电信—电路与系统]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
基于电源调制的L波段高性能GaAsHBT功率放大器
闭涛
陈景龙
《半导体技术》
北大核心
2024
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