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APCVD法制备Nb∶TiO_2薄膜及其光电性能
被引量：
3
1
作者
杨磊
刘涌
+5 位作者
王慷慨
丛炳俊
程波
陆妍
林俊君
宋晨路
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第4期526-529,541,共5页
透明导电氧化物（TCO）薄膜要求低电阻率和可见光区高透过率.目前最常用的是ITO薄膜存在着有毒、In成本高等难以克服的缺点.NTO薄膜是近年来新发现的一种具备广阔前景的TCO薄膜,但对它的认识还不充分.本文采用APCVD法在玻璃基板上成功...
透明导电氧化物（TCO）薄膜要求低电阻率和可见光区高透过率.目前最常用的是ITO薄膜存在着有毒、In成本高等难以克服的缺点.NTO薄膜是近年来新发现的一种具备广阔前景的TCO薄膜,但对它的认识还不充分.本文采用APCVD法在玻璃基板上成功制备出了颗粒均匀细小致密的NTO薄膜,探索出最佳反应温度为500℃～550℃,通过高真空退火的方式改善了薄膜晶体质量,光学透过率获得大幅提升,与经过掺杂但未经过H2退火的Nb∶TiO2薄膜和经过H2退火但未掺杂的TiO2薄膜相比较,经过掺杂和H2退火的Nb∶ TiO2薄膜其电学性能得到明显改善.
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关键词
透明导电氧化物薄膜
常压化学气相沉积
晶体质量
光电性能
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职称材料
题名
APCVD法制备Nb∶TiO_2薄膜及其光电性能
被引量：
3
1
作者
杨磊
刘涌
王慷慨
丛炳俊
程波
陆妍
林俊君
宋晨路
机构
浙江大学硅材料国家重点实验室材料科学与工程学系
深圳市德厚科技有限公司
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第4期526-529,541,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(51172200)
文摘
透明导电氧化物（TCO）薄膜要求低电阻率和可见光区高透过率.目前最常用的是ITO薄膜存在着有毒、In成本高等难以克服的缺点.NTO薄膜是近年来新发现的一种具备广阔前景的TCO薄膜,但对它的认识还不充分.本文采用APCVD法在玻璃基板上成功制备出了颗粒均匀细小致密的NTO薄膜,探索出最佳反应温度为500℃～550℃,通过高真空退火的方式改善了薄膜晶体质量,光学透过率获得大幅提升,与经过掺杂但未经过H2退火的Nb∶TiO2薄膜和经过H2退火但未掺杂的TiO2薄膜相比较,经过掺杂和H2退火的Nb∶ TiO2薄膜其电学性能得到明显改善.
关键词
透明导电氧化物薄膜
常压化学气相沉积
晶体质量
光电性能
Keywords
transparent conductive oxide films
atmospheric pressure chemical vapor deposition
crystalquality
optical and electrical properties
分类号
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
APCVD法制备Nb∶TiO_2薄膜及其光电性能
杨磊
刘涌
王慷慨
丛炳俊
程波
陆妍
林俊君
宋晨路
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015
3
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