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Ni/Au与p-GaN的比接触电阻率测量
被引量：
3
1
作者
卫静婷
冯玉春
+5 位作者
李炳乾
杨建文
刘文
王质武
施炜
杨清斗
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期655-659,共5页
通过采用环形传输线方法(CILM),电流-电压(I-V)曲线、表面形貌等方法,研究不同的Ni/Au厚度比和空气气氛下合金退火温度对p型氮化镓欧姆接触特性造成的影响。根据Ni/Au与p型氮化镓欧姆接触的形成机制,采用合适的Ni/Au厚度比及退火温度,...
通过采用环形传输线方法(CILM),电流-电压(I-V)曲线、表面形貌等方法,研究不同的Ni/Au厚度比和空气气氛下合金退火温度对p型氮化镓欧姆接触特性造成的影响。根据Ni/Au与p型氮化镓欧姆接触的形成机制,采用合适的Ni/Au厚度比及退火温度,得到比接触电阻率(ρc)为1.09×10-5Ω.cm2的Ni/Au-p-GaN电极,并分析了Ni在退火过程中对形成良好的欧姆接触中所起到的作用。
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关键词
p型氮化镓
镍/金
比接触电阻率
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职称材料
题名
Ni/Au与p-GaN的比接触电阻率测量
被引量：
3
1
作者
卫静婷
冯玉春
李炳乾
杨建文
刘文
王质武
施炜
杨清斗
机构
深圳大学光电子研究所广东省光电子器件与系统重点实验室
佛山科学技术学院物理系
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期655-659,共5页
基金
广东省关键领域重点突破项目(No.2B2003A107)
深圳市科技计划项目(No.200515)
+1 种基金
深圳大学省
部重点实验室开放基金项目
文摘
通过采用环形传输线方法(CILM),电流-电压(I-V)曲线、表面形貌等方法,研究不同的Ni/Au厚度比和空气气氛下合金退火温度对p型氮化镓欧姆接触特性造成的影响。根据Ni/Au与p型氮化镓欧姆接触的形成机制,采用合适的Ni/Au厚度比及退火温度,得到比接触电阻率(ρc)为1.09×10-5Ω.cm2的Ni/Au-p-GaN电极,并分析了Ni在退火过程中对形成良好的欧姆接触中所起到的作用。
关键词
p型氮化镓
镍/金
比接触电阻率
Keywords
p-type GaN
Ni/Au
ohmic contact resistance
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
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作者
出处
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被引量
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1
Ni/Au与p-GaN的比接触电阻率测量
卫静婷
冯玉春
李炳乾
杨建文
刘文
王质武
施炜
杨清斗
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2006
3
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