稀土掺杂氮化镓的发光机理、制备方法及其电致发光器件的应用

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作者 王质武 刘文 +4 位作者 张勇 杨清斗 卫静婷 唐伟群 张浩希 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期21-24,共4页

介绍了稀土掺杂氮化镓（GaN：RE）的发光机理及其掺杂的方法（热扩散、离子注入和原位掺杂），对各种方法的优势及其存在的问题进行了点评，综述了近年来国内外稀土掺杂GaN的研究进展及其相关电致发光器件在平板显示领域的应用。

关键词 稀土 氮化镓 电致发光 平板显示

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一种类分形结构光子晶体的能带 被引量：9

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作者 李岩 郑瑞生 +2 位作者 田进寿 冯玉春 牛憨笨 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期1218-1221,共4页

用时域有限差分方法计算了一种类分形结构光子晶体的能带 数值计算结果表明 ,这种结构的光子晶体在介质柱、空气背景的情况下具有不完全带隙 而且 ,其能带结构随着级数的增大在整体地趋向于低频的同时 。

关键词 光子晶体 带隙 分形

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准分形光子晶体多频带隙的特性及其应用 被引量：8

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作者 李岩 郑瑞生 +1 位作者 冯玉春 牛憨笨 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期310-314,共5页

用时域有限差分方法计算了多种准分形结构光子晶体的能带 数值计算结果表明,这些结构的光子晶体存在多频带隙的特点,且带隙的宽度及中心频率以及带隙中导带的中心频率均随准分形光子晶体单胞内结构单元几何形状的改变而改变.

关键词 光子晶体 带隙 分形 滤波器

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一种基于碳纳米管场发射的发光二极管 被引量：3

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作者 田进寿 许蓓蕾 +2 位作者 王俊峰 周军兰 郭宝平 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期1148-1150,共3页

制作了一个基于碳纳米管场发射的发光二极管 ,实验结果表明 ,这种发光二极管驱动场强低 ,亮度高 ,能够满足常用显示器和发光管的亮度要求 。

关键词 边界元法 碳纳米管 发光二极管 场屏蔽效应

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氮化铝薄膜光学常数和结合力测试分析 被引量：1

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作者 杨清斗 刘文 +1 位作者 王质武 卫静婷 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期935-938,979,共5页

用直流磁控溅射方法在硅衬底上制备氮化铝薄膜。X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪分析了薄膜的结构和成分;椭圆偏振仪测量并拟合获得AlN薄膜在250～1000nm波长范围内的折射率和消光系数曲线;利用大荷载划痕仪的声发射谱检测方法并结合不... 用直流磁控溅射方法在硅衬底上制备氮化铝薄膜。X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪分析了薄膜的结构和成分;椭圆偏振仪测量并拟合获得AlN薄膜在250～1000nm波长范围内的折射率和消光系数曲线;利用大荷载划痕仪的声发射谱检测方法并结合不同压力下的划痕显微形貌观察得到薄膜临界载荷(结合力)L为29.45N。 展开更多

关键词 氮化铝薄膜 椭圆偏振仪 消光系数 划痕仪 结合力

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一种基于碳管场发射显示器结构分析 被引量：8

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作者 田进寿 李冀 +1 位作者 许蓓蕾 牛憨笨 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1343-1348,共6页

用边界元法 (BEM )和MonteCarlo方法就一种基于碳纳米管场发射大面积彩色平面型显示器的可行性进行了理论分析 ,通过模拟跟踪发射电子轨迹 ,证实设计的显示器结构能够满足高分辨率显示的要求 ,而且驱动电压低、工艺简单 ,尤其和日本Can... 用边界元法 (BEM )和MonteCarlo方法就一种基于碳纳米管场发射大面积彩色平面型显示器的可行性进行了理论分析 ,通过模拟跟踪发射电子轨迹 ,证实设计的显示器结构能够满足高分辨率显示的要求 ,而且驱动电压低、工艺简单 ,尤其和日本Cannon公司的M .Okuda等人提出的表面传导型场发射显示器结构相比 。 展开更多

关键词 边界元法 MONTE CARLO方法 电子传输比 平面型场发射显示器

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高重复频率触发模式皮秒扫描相机 被引量：10

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作者 郭宝平 B.Cunin 牛憨笨 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期442-444,共3页

讨论了高重复频率扫描电路的研制,利用此扫描电路研制了扫描相机,使用掺钛兰宝石激光器进行了时间分辨率的标定,使用半导体激光器作为光源进行了脉冲宽度的测试最高工作频率为1MHz,时间分辨率为1.

关键词 高重复频率 扫描相机 MOS晶体管扫描电路

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Ni/Au与p-GaN的比接触电阻率测量 被引量：3

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作者 卫静婷 冯玉春 +5 位作者 李炳乾 杨建文 刘文 王质武 施炜 杨清斗 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期655-659,共5页

通过采用环形传输线方法(CILM),电流-电压(I-V)曲线、表面形貌等方法,研究不同的Ni/Au厚度比和空气气氛下合金退火温度对p型氮化镓欧姆接触特性造成的影响。根据Ni/Au与p型氮化镓欧姆接触的形成机制,采用合适的Ni/Au厚度比及退火温度,... 通过采用环形传输线方法(CILM),电流-电压(I-V)曲线、表面形貌等方法,研究不同的Ni/Au厚度比和空气气氛下合金退火温度对p型氮化镓欧姆接触特性造成的影响。根据Ni/Au与p型氮化镓欧姆接触的形成机制,采用合适的Ni/Au厚度比及退火温度,得到比接触电阻率(ρc)为1.09×10-5Ω.cm2的Ni/Au-p-GaN电极,并分析了Ni在退火过程中对形成良好的欧姆接触中所起到的作用。 展开更多

关键词 p型氮化镓 镍/金 比接触电阻率

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硅基氮化铝薄膜的AFM和XPS分析 被引量：2

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作者 刘文 王质武 +1 位作者 杨清斗 卫静婷 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期723-725,共3页

在Si(111)基底上利用直流磁控溅射系统沉积氮化铝(AlN)薄膜,X-射线衍射分析薄膜结构和取向,原子力显微镜分析薄膜表面形貌,X-射线光电子能谱分析薄膜的元素化学价态和组分。结果表明,生长的AlN薄膜具有良好的(100)择优取向,其半峰宽为0.... 在Si(111)基底上利用直流磁控溅射系统沉积氮化铝(AlN)薄膜,X-射线衍射分析薄膜结构和取向,原子力显微镜分析薄膜表面形貌,X-射线光电子能谱分析薄膜的元素化学价态和组分。结果表明,生长的AlN薄膜具有良好的(100)择优取向,其半峰宽为0.3°。薄膜表面粗糙度为0.23 nm,表面均方根粗糙度为0.30 nm,z轴方向最高突起约3.25 nm。薄膜表面组分为Al、N、O、C元素,其中C、O主要以物理吸附方式存在于薄膜表面,而Al、N元素的存在方式主要是Al—N化合物,深度剥蚀分析表明获得的AlN薄膜接近其化学计量比。 展开更多

关键词 氮化铝 直流磁控溅射 原子力显微镜 X射线光电子能谱 化学计量比

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Ni/ITO与p型GaN的欧姆接触 被引量：2

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作者 冯玉春 张建宝 +3 位作者 朱军山 杨建文 胡加辉 王文欣 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期757-760,共4页

通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了N i层厚度和N i层的高温退火对N i/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了N i/ITO-p-GaN欧姆接触的形成机制,提出了低温氧化N i金属层的方法。获得接触... 通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了N i层厚度和N i层的高温退火对N i/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了N i/ITO-p-GaN欧姆接触的形成机制,提出了低温氧化N i金属层的方法。获得接触电阻率(cρ)小于9.5×10-5Ω.cm2,透过率达到74%(470 nm)的N i/ITO-p-GaN电极。 展开更多

关键词 p型氮化镓 Ni-铟锡氧化物(Ni/ITO) 欧姆接触

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有源弯曲波导反馈特性的三维时域有限差分法仿真 被引量：1

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作者 段子刚 柴广跃 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1235-1237,共3页

半导体光放大器的耦合光纤形成的外腔反馈通过引入弯曲损耗得以抑制.通过对半导体光放大器有源波导引入对前、后向光场非对称散射损耗,以前向光场部分损耗为代价,反馈光场能量被分布式地较强辐射.时域有限差分法仿真研究表明,通过优化... 半导体光放大器的耦合光纤形成的外腔反馈通过引入弯曲损耗得以抑制.通过对半导体光放大器有源波导引入对前、后向光场非对称散射损耗,以前向光场部分损耗为代价,反馈光场能量被分布式地较强辐射.时域有限差分法仿真研究表明,通过优化弯曲有源波导的结构,相对于通常的有源直波导,在相同的材料增益和输入、输出条件下,反馈可以下降10 dB以上.由此可以简化高增益半导体光放大器的器件结构. 展开更多

关键词 半导体光放大器 有源弯曲波导 反馈抑制

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过渡层结构和生长工艺条件对S i基G aN的影响

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作者 冯玉春 胡加辉 +4 位作者 张建宝 王文欣 朱军山 杨建文 郭宝平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期907-910,897,共5页

为了提高MOCVD外延硅基GaN材料的质量,在硅(111)衬底上以HT-A lN为缓冲层,在缓冲层上再生长变组份过渡层后外延生长GaN。过渡层为多层复合结构,分为高温变组分A lGaN、GaN、低温A lN、高温变组分A lGaN。在高温生长A lGaN和GaN层中插入... 为了提高MOCVD外延硅基GaN材料的质量,在硅(111)衬底上以HT-A lN为缓冲层,在缓冲层上再生长变组份过渡层后外延生长GaN。过渡层为多层复合结构,分为高温变组分A lGaN、GaN、低温A lN、高温变组分A lGaN。在高温生长A lGaN和GaN层中插入一层低温生长A lN以缓解降温过程中应力对厚GaN层的影响,为了缓慢释放热应力、采用合适的慢降温工艺。当外延层的厚度小于1.7微米时GaN外延层无龟裂,而厚度不断增加时,GaN外延层产生龟裂。本文研究了A lN缓冲层生长温度、高温变组分A lGaN生长过程中生长时间的变化对所生长GaN材料的影响。采用三维视频显微镜、高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)对样品进行了测试分析。测试结果表明所研制的硅基GaN表面光亮、平整,过渡层的引入有利于降低外延层中应力,提高GaN结晶质量。 展开更多

关键词 SI(111) CAN ALN ALGAN

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低温AlN插入层降低硅基GaN膜微裂

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作者 冯玉春 刘晓峰 +2 位作者 王文欣 彭冬生 郭宝平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期772-776,共5页

为了降低MOCVD外延硅基GaN膜层中的应力、减少硅基厚GaN层的微裂;在高温GaN层中插入低温A lN。低温A lN插入层可平衡HT-GaN生长和降温过程引起的张应力,降低厚膜外延层的微裂,已研制出厚度超过1.8微米无微裂GaN外延层。本文重点研究了低... 为了降低MOCVD外延硅基GaN膜层中的应力、减少硅基厚GaN层的微裂;在高温GaN层中插入低温A lN。低温A lN插入层可平衡HT-GaN生长和降温过程引起的张应力,降低厚膜外延层的微裂,已研制出厚度超过1.8微米无微裂GaN外延层。本文重点研究了低温A lN生长温度对HT-GaN材料的影响,给出了较佳的LT-A lN生长温度。采用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),对样品进行了测试分析。试验和测试结果表明低温A lN的生长温度至关重要,生长温度过低影响GaN晶体质量,甚至不能形成晶体;生长温度过高同样会影响GaN结晶质量,同时降低插入层的应力平衡作用;实验结果表明最佳的LT-A lN插入层的生长温度为680℃左右。 展开更多

关键词 SI(111) GAN AIN

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一种适合于大量制备行波SOA增透膜新技术

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作者 段子刚 刘德明 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期547-549,共3页

提出了一种适合于批量制备SOA减反膜的实时监控技术。监控系统简单 ,操作方便 ,可以应用于国产镀膜机。由此技术批量制备SOA ,腔面剩余反射均接近 10 -4。

关键词 半导体光放大器 增透膜 剩余反射 适时监控

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