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用Hopfield网络计算约束条件下系统熵的最小值被引量：1: 1; 作者田宝国谷可姜璐《数学物理学报（A辑）》 CSCD 北大核心 2002年第2期264-269,共6页; 有约束条件时系统熵的最小值问题是 NP完全问题 ,该文利用 Hopfield人工神经网络解决组合优化问题的能力计算了此问题。; 关键词熵最小值 Hopfied人工神经网络组合优化; 在线阅读下载PDF 职称材料

Bi_4Ti_3O_(12)薄膜及快速退火工艺的研究被引量：1: 2; 作者苏学军李岩张金春《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2002年第3期41-43,50,共4页; 采用MOCVD工艺在Ts=4 4 0℃条件下制备组分Bi/Ti=1.4 4的非晶态薄膜 ,经过快速退火处理 ,制备高度择优取向的Bi4Ti3 O12 铁电薄膜 ,在Ts=4 0 0℃条件下制备组分Bi/Ti=1.11的非晶态薄膜 ,经过快速退火处理 ,制备高度择优取向的Bi2 Ti2 O... 展开更多; 关键词 Bi4Ti3O12薄膜快速退火工艺 MOCVD XRD EDAX 铁电薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

钛酸铋薄膜退火时间的研究: 3; 作者苏学军李岩张金春《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2002年第5期37-39,51,共4页; 采用金属有机化学气相沉积工艺和快速退火工艺 ,在硅 (10 0 )基片上制备高度择优取向的Bi4 Ti3 O12 铁电薄膜 ,运用X射线衍射术分析薄膜材料的结构 ,通过测量材料的电滞回线和漏电流密度 ,研究快速退火对Bi4 Ti3 O12 薄膜电性能的影响... 展开更多; 关键词钛酸铋薄膜退火时间铁电薄膜金属有机化学气相沉积 X射线衍射; 在线阅读下载PDF 职称材料

快速退火对钛酸铋薄膜微结构和铁电性的影响: 4; 作者苏学军李岩《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第7期13-17,共5页; 采用MOCVD与快速退火工艺,制备高度择优取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜。运用x射线衍射术分析薄膜材料的结构,x射线显微分析仪测量薄膜材料的组分,并通过电滞回线的测量,研究快速退火对BiTiO薄膜结构和铁电性的影响。; 关键词钛酸铋薄膜微结构铁电性 MOCVD 快速退火; 在线阅读下载PDF 职称材料

快速退火工艺对钛酸铋薄膜电学性能影响的研究: 5; 作者苏学军李岩《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2002年第1期35-37,共3页; 采用快速退火工艺处理的钛酸铋铁电薄膜 ,矫顽场Ec=9kV/cm ,在室温下剩余极化强度Pr=8μC/cm2 ;退火提高了钛酸铋薄膜的介电常数和材料的绝缘性 ,0 .1MHz附近薄膜材料的介电损耗tgδ<0 .; 关键词极化强度 C-V特性矫顽场快速退火介电钛酸铋铁电薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用Hopfield网络计算约束条件下系统熵的最小值被引量：1: 1; 作者田宝国谷可姜璐; 机构海军航空工程学院理化教研室北京师范大学系统科学系; 出处《数学物理学报（A辑）》 CSCD 北大核心 2002年第2期264-269,共6页; 文摘有约束条件时系统熵的最小值问题是 NP完全问题 ,该文利用 Hopfield人工神经网络解决组合优化问题的能力计算了此问题。; 关键词熵最小值 Hopfied人工神经网络组合优化; Keywords Etropy Minimum entropy Hopfield neural network.; 分类号 O224 [理学—运筹学与控制论] O414.2 [理学—理论物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Bi_4Ti_3O_(12)薄膜及快速退火工艺的研究被引量：1: 2; 作者苏学军李岩张金春; 机构海军航空工程学院理化教研室海军航空工程学院电工教研室; 出处《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2002年第3期41-43,50,共4页; 文摘采用MOCVD工艺在Ts=4 4 0℃条件下制备组分Bi/Ti=1.4 4的非晶态薄膜 ,经过快速退火处理 ,制备高度择优取向的Bi4Ti3 O12 铁电薄膜 ,在Ts=4 0 0℃条件下制备组分Bi/Ti=1.11的非晶态薄膜 ,经过快速退火处理 ,制备高度择优取向的Bi2 Ti2 O7薄膜 ,较好的退火温度为 6 30℃、时间为 6 0s ;快速退火对薄膜组分的影响不大 ,在相同的退火温度下 ,生成 4 3相还是 2 2相取决于退火前薄膜材料的组分。; 关键词 Bi4Ti3O12薄膜快速退火工艺 MOCVD XRD EDAX 铁电薄膜; Keywords MOCVD XRD RTA EDAX; 分类号 TM221 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名钛酸铋薄膜退火时间的研究: 3; 作者苏学军李岩张金春; 机构海军航空工程学院理化教研室海军航空工程学院电工教研室; 出处《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2002年第5期37-39,51,共4页; 文摘采用金属有机化学气相沉积工艺和快速退火工艺 ,在硅 (10 0 )基片上制备高度择优取向的Bi4 Ti3 O12 铁电薄膜 ,运用X射线衍射术分析薄膜材料的结构 ,通过测量材料的电滞回线和漏电流密度 ,研究快速退火对Bi4 Ti3 O12 薄膜电性能的影响。在优化的工艺条件下 ,Bi4 Ti3 O12 铁电薄膜的剩余极化强度 (Pr)为 8μC/cm2 ,漏电流密度为 10 -11A/cm2 。; 关键词钛酸铋薄膜退火时间铁电薄膜金属有机化学气相沉积 X射线衍射; Keywords rapid thermal annealing ferroelectrics thin film MOCVD XRD; 分类号 TM223 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名快速退火对钛酸铋薄膜微结构和铁电性的影响: 4; 作者苏学军李岩; 机构海军航空工程学院理化教研室海军航空工程学院电工教研室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第7期13-17,共5页; 文摘采用MOCVD与快速退火工艺,制备高度择优取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜。运用x射线衍射术分析薄膜材料的结构,x射线显微分析仪测量薄膜材料的组分,并通过电滞回线的测量,研究快速退火对BiTiO薄膜结构和铁电性的影响。; 关键词钛酸铋薄膜微结构铁电性 MOCVD 快速退火; Keywords MOCVD XRD RAT ferroelectrics thin films; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名快速退火工艺对钛酸铋薄膜电学性能影响的研究: 5; 作者苏学军李岩; 机构海军航空工程学院理化教研室海军航空工程学院电工教研室; 出处《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2002年第1期35-37,共3页; 基金国家自然科学基金项目; 文摘采用快速退火工艺处理的钛酸铋铁电薄膜 ,矫顽场Ec=9kV/cm ,在室温下剩余极化强度Pr=8μC/cm2 ;退火提高了钛酸铋薄膜的介电常数和材料的绝缘性 ,0 .1MHz附近薄膜材料的介电损耗tgδ<0 .; 关键词极化强度 C-V特性矫顽场快速退火介电钛酸铋铁电薄膜; Keywords polarization C-V characteristic coercive field RTA dielectric constant; 分类号 TM223 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	用Hopfield网络计算约束条件下系统熵的最小值	田宝国谷可姜璐	《数学物理学报（A辑）》 CSCD 北大核心	2002	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	Bi_4Ti_3O_(12)薄膜及快速退火工艺的研究	苏学军李岩张金春	《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD	2002	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	钛酸铋薄膜退火时间的研究	苏学军李岩张金春	《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	快速退火对钛酸铋薄膜微结构和铁电性的影响	苏学军李岩	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	快速退火工艺对钛酸铋薄膜电学性能影响的研究	苏学军李岩	《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料