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室温射频磁控溅射制备纳米晶ZnS_(X)薄膜及其性能研究
被引量：
2
1
作者
杨扬
李刚
+4 位作者
金克武
王天齐
彭赛奥
姚婷婷
陈淑勇
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第7期230-237,共8页
为获得性能优异的透明介质薄膜,采用射频磁控溅射技术,以ZnS陶瓷靶为靶材,在玻璃衬底上室温沉积纳米晶富锌ZnS薄膜,通过X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、分光光度计、光谱椭偏仪重点研究了不同射频功率对制备的纳米晶Zn...
为获得性能优异的透明介质薄膜,采用射频磁控溅射技术,以ZnS陶瓷靶为靶材,在玻璃衬底上室温沉积纳米晶富锌ZnS薄膜,通过X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、分光光度计、光谱椭偏仪重点研究了不同射频功率对制备的纳米晶ZnS_(X)薄膜的晶相结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明:射频功率对ZnS_(X)薄膜晶相形成和结晶度具有重要影响;随着溅射功率的增加,ZnS_(X)薄膜中Zn和S元素的比例、特征拉曼峰的强度以及折射率的值都先增大后减小,薄膜的光学带隙从3.86 eV降低至3.76 eV;当溅射功率为150 W时,为ZnS_(X)薄膜具有立方相结构及高结晶度的最优条件,薄膜的Zn/S比接近于标准化学计量比,达到1.23,可见光平均透过率大于80%,550 nm下ZnS_(X)薄膜的光学折射率为2.03。
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关键词
薄膜
光学材料
射频磁控溅射
富锌硫化锌
溅射功率
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职称材料
题名
室温射频磁控溅射制备纳米晶ZnS_(X)薄膜及其性能研究
被引量：
2
1
作者
杨扬
李刚
金克武
王天齐
彭赛奥
姚婷婷
陈淑勇
机构
浮法玻璃新技术国家重点实验室薄膜技术研究所
中建材蚌埠
玻璃
工业设计
研究
院有限公司
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第7期230-237,共8页
基金
安徽省科技重大专项(No.201903a05020017)
安徽省重点研究与开发计划(Nos.1804a09020061,1804a09020043)。
文摘
为获得性能优异的透明介质薄膜,采用射频磁控溅射技术,以ZnS陶瓷靶为靶材,在玻璃衬底上室温沉积纳米晶富锌ZnS薄膜,通过X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、分光光度计、光谱椭偏仪重点研究了不同射频功率对制备的纳米晶ZnS_(X)薄膜的晶相结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明:射频功率对ZnS_(X)薄膜晶相形成和结晶度具有重要影响;随着溅射功率的增加,ZnS_(X)薄膜中Zn和S元素的比例、特征拉曼峰的强度以及折射率的值都先增大后减小,薄膜的光学带隙从3.86 eV降低至3.76 eV;当溅射功率为150 W时,为ZnS_(X)薄膜具有立方相结构及高结晶度的最优条件,薄膜的Zn/S比接近于标准化学计量比,达到1.23,可见光平均透过率大于80%,550 nm下ZnS_(X)薄膜的光学折射率为2.03。
关键词
薄膜
光学材料
射频磁控溅射
富锌硫化锌
溅射功率
Keywords
Thin films
Optical materials
Radio frequency magnetron sputtering
Zinc-rich ZnS films
Sputtering power
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
室温射频磁控溅射制备纳米晶ZnS_(X)薄膜及其性能研究
杨扬
李刚
金克武
王天齐
彭赛奥
姚婷婷
陈淑勇
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
2
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