利用新材料的制备与特性测试方法构建创新型物理实验教学体系 被引量：1

1

作者 李小云 董文钧 +3 位作者 崔灿 李培刚 张晓波 史建君 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2014年第3期150-153,162,共5页

阐述新材料的制备与特性测试方法在构建创新型物理实验教学体系中的特殊作用、模式以及具体实践内容,并总结了此类创新、开放式实验教学对创新人才培养的影响和产生的效果。

关键词 材料制备 特性测试 物理实验 创新研究

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SiC纳米线光催化降解罗丹明B 被引量：6

2

作者 钟福新 郭冬冬 +2 位作者 金吉松 李浩 李培刚 《桂林理工大学学报》 CAS 北大核心 2012年第4期605-609,共5页

采用碳热还原法合成了纯度较高的单晶SiC纳米线,并对其光催化性能进行了研究。以罗丹明B为目标降解物,20 W紫外灯(λ=253.7 nm)为光源,探讨了不同条件下SiC纳米线对罗丹明B的光催化降解效果。结果表明,催化剂用量为0.04 g、pH值为1的条... 采用碳热还原法合成了纯度较高的单晶SiC纳米线,并对其光催化性能进行了研究。以罗丹明B为目标降解物,20 W紫外灯(λ=253.7 nm)为光源,探讨了不同条件下SiC纳米线对罗丹明B的光催化降解效果。结果表明,催化剂用量为0.04 g、pH值为1的条件下SiC纳米线对罗丹明B的光催化降解效果最好。光照6 h,罗丹明B的降解率达到67.63%。罗丹明B的降解符合一级动力学模型。 展开更多

关键词 SIC纳米线 光催化降解 罗丹明B

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纳米金增强掺磷四面体非晶碳膜的电化学活性 被引量：3

3

作者 刘爱萍 朱嘉琦 韩杰才 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期363-369,共7页

采用电沉积法在过滤阴极真空电弧技术合成的掺磷四面体非晶碳(ta-C∶P)薄膜表面沉积纳米金团簇,制备纳米金修饰的掺磷非晶碳(Au/ta-C∶P)薄膜电极。利用X射线光电子能谱、拉曼光谱、扫描电子显微镜和电化学伏安法表征ta-C∶P和Au/ta-C∶... 采用电沉积法在过滤阴极真空电弧技术合成的掺磷四面体非晶碳(ta-C∶P)薄膜表面沉积纳米金团簇,制备纳米金修饰的掺磷非晶碳(Au/ta-C∶P)薄膜电极。利用X射线光电子能谱、拉曼光谱、扫描电子显微镜和电化学伏安法表征ta-C∶P和Au/ta-C∶P的微观结构、表面形貌和电化学行为。结果表明,-80V的脉冲偏压更利于磷原子进入碳的网络,并明显增加薄膜的电导率和电化学活性。纳米金团簇可增加ta-C∶P电极的有效面积,提高对铁氰化钾氧化还原反应的活性和电极可逆性,增强对多巴胺的催化活性。研究结果揭示ta-C∶P和Au/ta-C∶P薄膜在电分析及生物传感器方面的潜在应用。 展开更多

关键词 掺磷四面体非晶碳电极 纳米金团簇 过滤阴极真空电弧 电化学活性 巴多胺 生物传感器

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类金刚石薄膜电极的电化学行为研究 被引量：1

4

作者 刘爱萍 朱嘉琦 韩杰才 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期185-189,193,共6页

类金刚石(DLC)薄膜以其优异的物理化学性能引起了人们的研究兴趣。导电的DLC薄膜可以作为电极材料并表现出宽的电势窗口,低的背景电流,良好的电化学活性,表面易修饰,从而有望用于生物电分析及污水检测等方面。从薄膜的制备、薄膜与基底... 类金刚石(DLC)薄膜以其优异的物理化学性能引起了人们的研究兴趣。导电的DLC薄膜可以作为电极材料并表现出宽的电势窗口,低的背景电流,良好的电化学活性,表面易修饰,从而有望用于生物电分析及污水检测等方面。从薄膜的制备、薄膜与基底界面、薄膜表面修饰等几个方面综述了DLC薄膜电极的制备技术和电化学行为研究,并对其应用前景进行展望。 展开更多

关键词 类金刚石 电化学 电极

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晶体元件的象差计算(英文)

5

作者 张为权 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1090-1093,共4页

建立了折射光线轨迹的软件包和提出了波象差的计算方法.利用这个软件包,分析了双焦透镜的各类象差和象差与入射角的关系.这个软件包的特点是各种物理量的计算十分清晰,它为改进晶体元件的设计提供了理论依据.

关键词 象差 光线轨迹包 双折射元件

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4H碳化硅单晶中的位错 被引量：4

6

作者 杨光 刘晓双 +5 位作者 李佳君 徐凌波 崔灿 皮孝东 杨德仁 王蓉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第9期1673-1690,共18页

4H碳化硅(4H-SiC)单晶具有禁带宽度大、载流子迁移率高、热导率高和稳定性良好等优异特性,在高功率电力电子、射频/微波电子和量子信息等领域具有广阔的应用前景。经过多年的发展,6英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC单晶衬底和同质外延薄膜已... 4H碳化硅(4H-SiC)单晶具有禁带宽度大、载流子迁移率高、热导率高和稳定性良好等优异特性,在高功率电力电子、射频/微波电子和量子信息等领域具有广阔的应用前景。经过多年的发展,6英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC单晶衬底和同质外延薄膜已得到了产业化应用。然而,4H-SiC单晶中的总位错密度仍高达10^(3)~10^(4) cm^(-2),阻碍了4H-SiC单晶潜力的充分发挥。本文介绍了4H-SiC单晶中位错的主要类型,重点讲述4H-SiC单晶生长、衬底晶圆加工以及同质外延过程中位错的产生、转变和湮灭机理,并概述4H-SiC单晶中位错的表征方法,最后讲述了位错对4H-SiC单晶衬底和外延薄膜的性质,以及4H-SiC基功率器件性质的影响。 展开更多

关键词 4H碳化硅 位错 单晶 外延 电学性质 光学性质

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数值模拟顶部籽晶溶液生长法制备单晶碳化硅的研究进展 被引量：2

7

作者 隋占仁 徐凌波 +4 位作者 崔灿 王蓉 杨德仁 皮孝东 韩学峰 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第6期1067-1085,共19页

宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)凭借着其高击穿场强、高热导率、耐高温、高化学稳定性和抗辐射等优异性能,在电力电子器件领域尤其是高温、高频、高功率等应用场景下有着巨大潜力。大尺寸、高质量、低成本的单晶SiC的制备是SiC相关半导体... 宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)凭借着其高击穿场强、高热导率、耐高温、高化学稳定性和抗辐射等优异性能,在电力电子器件领域尤其是高温、高频、高功率等应用场景下有着巨大潜力。大尺寸、高质量、低成本的单晶SiC的制备是SiC相关半导体产品规模化应用的前提。顶部籽晶溶液生长(TSSG)法生长的单晶SiC有着晶体质量高、易扩径、易p型掺杂等优势,有望成为制备单晶SiC的主流方法。但目前由于该方法涉及的生长机理复杂,研究者对其内部机理的理解还不够充分,难以对TSSG生长设备和方法进行有效的改进与优化。利用计算机对TSSG法生长单晶SiC生长过程进行数值模拟被认为是对其内部机理探究的有效途径之一。本文首先回顾了TSSG法生长单晶SiC和相关数值模拟分析的发展历程,介绍了TSSG法生长单晶SiC和数值模拟的基本原理,然后介绍了数值模拟方法计算分析TSSG法生长单晶SiC模型涉及的主要模块、影响单晶生长的主要因素(如马兰戈尼力、浮力、电磁力等),以及对数值模型的优化方法。最后,指出了数值模拟方法计算分析TSSG法生长单晶SiC在未来的重点研究方向。 展开更多

关键词 宽禁带半导体 碳化硅 顶部籽晶溶液生长法 数值模拟 有限元 晶体生长 机器学习

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葡萄糖在铂化类金刚石薄膜电极上的氧化行为 被引量：1

8

作者 赵海新 刘爱萍 +1 位作者 仇旭 沈国先 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1325-1329,共5页

采用磁控溅射技术共溅射石墨靶和铂靶,制备铂化类金刚石(DLC-Pt)薄膜.利用X射线光电子能谱和激光拉曼光谱表征DLC-Pt薄膜的成分和微观结构,采用循环伏安法研究葡萄糖在DLC-Pt薄膜表面的氧化行为.结果表明,DLC-Pt薄膜中有更多的sp^2杂化... 采用磁控溅射技术共溅射石墨靶和铂靶,制备铂化类金刚石(DLC-Pt)薄膜.利用X射线光电子能谱和激光拉曼光谱表征DLC-Pt薄膜的成分和微观结构,采用循环伏安法研究葡萄糖在DLC-Pt薄膜表面的氧化行为.结果表明,DLC-Pt薄膜中有更多的sp^2杂化碳原子,铁氰化钾在DLC-Pt薄膜表面的氧化还原反应受扩散控制.葡萄糖在-0.8V的电位下发生氧化反应,且在这个电位下葡萄糖的氧化信号不受尿素和抗坏血酸氧化信号的干扰.葡萄糖氧化电流和其浓度在2～22 mmol/L的范围内呈线性关系.因此DLC-Pt薄膜有望用做葡萄糖传感器检测血液中葡萄糖的浓度. 展开更多

关键词 磁控溅射 铂化类金刚石 葡萄糖传感器 催化活性

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掺杂及分子修饰对类金刚石细胞相容性的影响

9

作者 刘敏 刘爱萍 +1 位作者 郁建灿 钱国栋 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期1790-1795,1804,共7页

为实现类金刚石(DLC)薄膜在不同使用环境下生物相容性的可调性,采用元素掺杂及化学分子修饰对DLC薄膜表面进行改性,借助X射线光电子能谱、拉曼光谱及静态接触角测试表征薄膜的表面形貌和微观结构,探究掺杂及分子修饰对薄膜细胞相容性的... 为实现类金刚石(DLC)薄膜在不同使用环境下生物相容性的可调性,采用元素掺杂及化学分子修饰对DLC薄膜表面进行改性,借助X射线光电子能谱、拉曼光谱及静态接触角测试表征薄膜的表面形貌和微观结构,探究掺杂及分子修饰对薄膜细胞相容性的影响.结果显示:B、N、P、Pt元素掺杂以及3-氨基苯硼酸(APBA)修饰均没有改变薄膜非晶结构,只是提高薄膜有序程度.B、N、P元素的掺入减小了DLC薄膜的接触角,而N、Pt元素共掺使接触角变化不大.APBA修饰使各种DLC薄膜的接触角均减小.B、N、P元素的掺入促进PC12细胞的黏附与增殖,抑制细胞凋亡,而Pt元素的掺入起相反的作用,APBA修饰对细胞生长有明显促进作用.这说明元素掺杂及分子修饰是调节DLC薄膜细胞相容性的有效方法. 展开更多

关键词 类金刚石(DLC)薄膜 掺杂 化学修饰 细胞黏附 细胞增殖

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基于共轭透视相关相机的光场图像渲染与显示 被引量：2

10

作者 周梦滔 楼益民 +2 位作者 胡娟梅 冯玉顺 吴锋民 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期85-94,共10页

为提升光场图像的渲染效率,提出一种基于共轭透视相关相机的光场图像渲染算法并搭建了相应的光场显示系统。利用共轭透视相机实现了深度正确的光场图像的一步渲染,从而省去了图像编码过程。同时利用相邻共轭相机之间的透视相关性减少重... 为提升光场图像的渲染效率,提出一种基于共轭透视相关相机的光场图像渲染算法并搭建了相应的光场显示系统。利用共轭透视相机实现了深度正确的光场图像的一步渲染,从而省去了图像编码过程。同时利用相邻共轭相机之间的透视相关性减少重复计算,加速了渲染过程。对比传统算法,该算法并行处理能力强,非常适合利用图形处理硬件进行加速处理。利用中央处理器和图形处理器混合编程技术搭建了获取光场图像的渲染管线。对比测试结果表明,算法对视点数目不敏感,尤其适合高密度视点的光场图像的渲染。而且所渲染的视点越多,效率提升越明显。该算法还可以有效地兼容计算机图形学中的纹理贴图、光照等技术实现逼真场景的渲染。为验证算法的正确性,搭建了一套光场显示系统,利用所渲染的光场图像实现了虚拟场景的3D显示,获得了良好的3D立体效果。 展开更多

关键词 光场显示 光场图像 透视相关性 渲染管线 计算机图形学

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基于双全息光学元件的3D视网膜投影显示器 被引量：1

11

作者 刘鸿伟 楼益民 +1 位作者 胡娟梅 吴锋民 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期73-80,共8页

为克服非相干光源照明条件下基于全息光学元件的视网膜投影显示系统存在的色散、出瞳小、无法获得单眼调焦深度信息等局限,提出了一种基于双全息光学元件的3D视网膜投影显示器。用全息光学元件取代玻璃透镜,用发光二极管取代激光。用反... 为克服非相干光源照明条件下基于全息光学元件的视网膜投影显示系统存在的色散、出瞳小、无法获得单眼调焦深度信息等局限,提出了一种基于双全息光学元件的3D视网膜投影显示器。用全息光学元件取代玻璃透镜,用发光二极管取代激光。用反射型体全息光栅和反射型体全息透镜构成的光学结构对系统的色散进行补偿,获得了清晰的图像,系统分辨率达到11.6 lp/mm。结合双全息光学元件结构,利用时分复用技术和角度复用技术实现了具有密集视点的3D视网膜投影显示。该结构可有效扩展系统的出瞳,解决视网膜投影显示系统出瞳小的问题。同时在0.45~2.0 m的深度范围内,实现具有单眼调焦深度信息的真3D显示,显示范围覆盖人眼的辐辏调焦响应敏感范围,可有效缓解辐辏调焦矛盾引起的眩晕和视觉疲劳问题。该系统结构紧凑、价格便宜且避免了散斑噪音和安全隐患,具有良好的应用前景。 展开更多

关键词 视网膜投影 近眼显示 时分复用 全息光学元件 色散

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基于人眼特性的分区时分复用3D视网膜投影显示 被引量：1

12

作者 韦子超 楼益民(指导) +1 位作者 胡娟梅 吴锋民 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期279-288,共10页

为克服传统视网膜投影显示技术存在的出瞳小、无法获得单眼调焦深度信息的局限,提出了一种基于麦克斯韦视图的分区时分复用3D视网膜投影显示技术。根据人眼视觉特性将虚拟场景分为边缘背景区域和中心注视区域:对中心注视区域采用时分复... 为克服传统视网膜投影显示技术存在的出瞳小、无法获得单眼调焦深度信息的局限,提出了一种基于麦克斯韦视图的分区时分复用3D视网膜投影显示技术。根据人眼视觉特性将虚拟场景分为边缘背景区域和中心注视区域:对中心注视区域采用时分复用的3D视网膜投影显示技术,实现了具有单眼调焦深度信息的真3D显示,同时增大了出瞳面积。对边缘背景区域采用短焦目镜和液晶显示器件实现了大视角显示。利用半透半反镜实现了边缘和中心区域的图像融合。构建了一套基于LED阵列、数字微镜器件、液晶显示器等光电器件的实验显示系统,实现了大出瞳、宽视角的真3D视网膜投影显示,验证了技术方案的可行性。 展开更多

关键词 视网膜投影 3D显示 麦克斯韦视图 时分复用

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